品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRFR120A
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Advanced Power MOSFET 先进的功率MOSFET |
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IRFR120ATF
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Advanced Power MOSFET | |||
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IRFR120ATM
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Avalanche Rugged Technology | 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRFR120ATM
中文翻译 品牌: ONSEMI |
元器件封装:TO-252; | |||
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IRFR120N
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFR120NCLPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Surface Mount (IRFR120N) | ||||
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IRFR120NCPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
元器件封装:D-PAK; | ||||
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IRFR120NCTRLPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
元器件封装:D-PAK; | ||||
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IRFR120NPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Fast Switching 快速开关 |
晶体 开关 晶体管 功率场效应晶体管 脉冲 局域网 | ||
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IRFR120NPBF
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Surface Mount (IRFR120N) Straight Lead (IRFU120N) 表面贴装( IRFR120N )直铅( IRFU120N ) |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFR120NPBF_15
中文翻译 品牌: INFINEON |
ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY | ||||
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IRFR120NTR
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 9.1A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK-3 | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRFR120NTR
中文翻译 品牌: UMW |
种类:N-Channel;漏源电压(Vdss):100V;持续漏极电流(Id)(在25°C时):9.4A;Vgs(th)(V):±20;漏源导通电阻:21mΩ@10V | ||||
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IRFR120NTRL
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK-3 | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRFR120NTRLPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, D | 晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | ||
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IRFR120NTRPBF
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, D | 晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | ||
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IRFR120NTRPBF
中文翻译 品牌: VBSEMI |
元器件封装:TO252; | ||||
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IRFR120NTRR
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 9.1A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK-3 | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRFR120NTRRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, D | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRFR120PBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
IRFR120 | 晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFR120PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) = 0.27ヘ , ID = 7.7A ) HEXFET功率MOSFET( VDSS = 100V , RDS ( ON) = 0.27ヘ, ID = 7.7A ) |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFR120TR
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET POWER MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFR120TR
中文翻译 品牌: VISHAY |
IRFR120 | 晶体 晶体管 开关 脉冲 | ||
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IRFR120TRL
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | ||
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IRFR120TRL
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Dynamic dV/dt Rating 动态的dv / dt额定值 |
晶体 晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFR120TRLPBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFR120TRLPBF
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Dynamic dV/dt Rating 动态的dv / dt额定值 |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFR120TRPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
IRFR120 | 晶体 晶体管 开关 脉冲 | ||
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IRFR120TRR
中文翻译 品牌: VISHAY |
IRFR120 | 晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | ||
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IRFR120TRRPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
IRFR120 |