| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRFS614B
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
250V N-Channel MOSFET 250V N沟道MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFS614B_FP001
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, TO-220F, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRFS624
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 250V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRFS624B
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
250V N-Channel MOSFET 250V N沟道MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFS625
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 250V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220F, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRFS634
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 250V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRFS635
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 250V, 0.68ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220F, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRFS640A
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Rugged Gate Oxide Technology 坚固的门栅氧化层技术 |
晶体 晶体管 开关 脉冲 栅 局域网 | ||
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IRFS640A
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Improved gate charge 改进的栅极电荷 |
晶体 栅极 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFS640B
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
200V N-Channel MOSFET 200V N沟道MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFS640B
中文翻译 品牌: TGS |
200V N-Channel MOSFET 200V N沟道MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFS640B
中文翻译 品牌: ROCHESTER |
18A, 200V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRFS640B_FP001
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, TO-220F, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRFS640B_FP001
中文翻译 品牌: ROCHESTER |
18A, 200V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, TO-220F, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRFS645
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 7.4A I(D), 250V, 0.34ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220F, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRFS650B_FP001
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE, TO-220F, 3 | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRFS654B
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
250V N-Channel MOSFET 250V N沟道MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 |
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