型号起始：	IRFS6* (46) IRFS61* (6) IRFS62* (9) IRFS63* (10) IRFS64* (15) IRFS65* (6)
所属品牌：	不限 FAIRCHILD(21) SAMSUNG(16) ETC(5) ROCHESTER(2) KERSEMI(1) TGS(1)
功能分类：	不限局域网(29) 开关(17) 脉冲(22) 晶体管(31) 晶体(14) 功率场效应晶体管(5) 栅(1) 栅极(1)

IRFS6 - 型号起始 - 晶体管; 总记录数：38

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		IRFS610B 中文翻译品牌: FAIRCHILD	200V N-Channel MOSFET 200V N沟道MOSFET
		IRFS614A 中文翻译品牌: ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 250V V(BR)DSS \| 2.1A I(D) \| TO-220AB 晶体管\| MOSFET \| N沟道\| 250V V（ BR ） DSS \| 2.1AI （D ） \| TO- 220AB\n	晶体晶体管脉冲局域网
		IRFS614B 中文翻译品牌: FAIRCHILD	250V N-Channel MOSFET 250V N沟道MOSFET	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
		IRFS614BYDTU-FP001 中文翻译品牌: FAIRCHILD	Transistor
		IRFS614B_FP001 中文翻译品牌: FAIRCHILD	Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, TO-220F, 3 PIN	局域网开关脉冲晶体管
		IRFS620 中文翻译品牌: SAMSUNG	Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN	局域网晶体管
		IRFS620A 中文翻译品牌: ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 4.1A I(D) \| TO-220AB 晶体管\| MOSFET \| N沟道\| 200V V（ BR ） DSS \| 4.1AI （D ） \| TO- 220AB\n	晶体晶体管脉冲局域网
		IRFS621 中文翻译品牌: SAMSUNG	Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 150V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN	局域网晶体管
		IRFS622 中文翻译品牌: SAMSUNG	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220F, 3 PIN	局域网晶体管
		IRFS624 中文翻译品牌: SAMSUNG	Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 250V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN	局域网开关脉冲晶体管
		IRFS624A 中文翻译品牌: ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 250V V(BR)DSS \| 3.4A I(D) \| TO-220AB 晶体管\| MOSFET \| N沟道\| 250V V（ BR ） DSS \| 3.4AI （D ） \| TO- 220AB\n	晶体晶体管脉冲局域网
		IRFS624B 中文翻译品牌: FAIRCHILD	250V N-Channel MOSFET 250V N沟道MOSFET	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
		IRFS625 中文翻译品牌: SAMSUNG	Power Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 250V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220F, 3 PIN	局域网开关脉冲晶体管
		IRFS630 中文翻译品牌: SAMSUNG	Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN	局域网晶体管
		IRFS630A 中文翻译品牌: FAIRCHILD	Advanced Power MOSFET 先进的功率MOSFET
		IRFS631 中文翻译品牌: SAMSUNG	Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 150V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN	局域网晶体管
		IRFS632 中文翻译品牌: SAMSUNG	Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220F, 3 PIN	局域网晶体管
		IRFS634 中文翻译品牌: SAMSUNG	Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 250V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN	局域网开关脉冲晶体管
		IRFS634A 中文翻译品牌: SAMSUNG	Advanced Power MOSEFT 高级电源MOSEFT	晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
		IRFS634B 中文翻译品牌: FAIRCHILD	250V N-Channel MOSFET 250V N沟道MOSFET
		IRFS635 中文翻译品牌: SAMSUNG	Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 250V, 0.68ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220F, 3 PIN	局域网开关脉冲晶体管
		IRFS640 中文翻译品牌: SAMSUNG	Improved inductive ruggedness 改进的感应耐用
		IRFS640A 中文翻译品牌: FAIRCHILD	Rugged Gate Oxide Technology 坚固的门栅氧化层技术	晶体晶体管开关脉冲栅局域网
		IRFS640A 中文翻译品牌: SAMSUNG	Improved gate charge 改进的栅极电荷	晶体栅极晶体管开关脉冲局域网
		IRFS640B 中文翻译品牌: FAIRCHILD	200V N-Channel MOSFET 200V N沟道MOSFET	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
		IRFS640B 中文翻译品牌: TGS	200V N-Channel MOSFET 200V N沟道MOSFET	晶体晶体管开关脉冲局域网
		IRFS640B 中文翻译品牌: ROCHESTER	18A, 200V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F, 3 PIN	局域网开关脉冲晶体管
		IRFS640B_FP001 中文翻译品牌: FAIRCHILD	Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, TO-220F, 3 PIN	局域网开关脉冲晶体管
		IRFS640B_FP001 中文翻译品牌: ROCHESTER	18A, 200V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, TO-220F, 3 PIN	局域网开关脉冲晶体管
		IRFS641 中文翻译品牌: SAMSUNG	Improved inductive ruggedness 改进的感应耐用

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