型号等于：	NE555 (12) NE556 (5) NE558 (3)
型号起始：	NE55* (760) NE550* (28) NE551* (94) NE552* (36) NE553* (273) NE554* (13) NE555* (166) NE556* (102) NE557* (12) NE558* (21) NE559* (15)
所属品牌：	不限 TI(135) VISHAY(130) NXP(128) PHILIPS(100) NEC(44) ONSEMI(43) RENESAS(40) CEL(34) ETC(28) ROCHESTER(19) STMICROELECTRONICS(15) UTC(15) FAIRCHILD(10) FS(3) UMW(3) DIODES(2) HGSEMI(2) MOTOROLA(2) TGS(2) ESTEK(1) HARRIS(1) HMSEMI(1) SAMSUNG(1) Wing Shing(1)
功能分类：	不限光电二极管(273) 运算放大器(147) 放大器电路(72) 放大器(170) 模拟波形发生功能(37) 信号电路(38) CD(50) 晶体管(41) PC(30) 电阻器(10) 晶体(29) 射频场效应晶体管(16) 射频(15) 开关(22) ISM频段(10) 模拟定时器(11) 外围集成电路(5) 控制器(11) 输出元件(9) 调节器(12) 视频放大器(4) 功率放大器(5) GSM(6) 稳压器(3) 开关式稳压器或控制器(3) 电源电路(3) 开关式控制器(3) 电子(2) 电机(3) 转换器(4) 位置转换器(2) 采样保持电路(2) 半导体(1) 振荡器(1) 军事(1) 电动机控制(2) 脉冲(1) 空调(1) 运动控制电子器件(1)

NE55 - 型号起始 - 放大器; 总记录数：324

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		NE5500134-T1-AZ 中文翻译品牌: RENESAS	NE5500134-T1-AZ	放大器 ISM频段晶体管
		NE5500179A 中文翻译品牌: CEL	4.8 V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR GSM1800 AND GSM1900 TRANSMISSION AMPLIFIERS 4.8 V工作电压硅射频功率MOSFET用于GSM1800和GSM1900发送放大器	放大器射频 GSM
		NE5500179A-T1 中文翻译品牌: NEC	SILICON POWER MOS FET 硅功率MOS FET	晶体射频场效应晶体管放大器
		NE5500179A-T1 中文翻译品牌: CEL	4.8 V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR GSM1800 AND GSM1900 TRANSMISSION AMPLIFIERS 4.8 V工作电压硅射频功率MOSFET用于GSM1800和GSM1900发送放大器	晶体放大器晶体管射频 GSM
		NE5500179A-T1-A 中文翻译品牌: NEC	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 5.70 X 5.70 MM, 1.10 MM HEIGHT, 79A, 4 PIN	晶体射频场效应晶体管放大器
		NE5500234 中文翻译品牌: NEC	Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, POWER, MINIMOLD PACKAGE-3	放大器晶体管
		NE5500234-AZ 中文翻译品牌: NEC	Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, POWER, MINIMOLD PACKAGE-3	放大器 ISM频段晶体管
		NE5500234-AZ 中文翻译品牌: RENESAS	NE5500234-AZ	放大器 ISM频段晶体管
		NE5500234-T1-AZ 中文翻译品牌: RENESAS	NE5500234-T1-AZ	放大器 ISM频段晶体管
		NE5500234-T1-AZ 中文翻译品牌: NEC	Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, POWER, MINIMOLD PACKAGE-3	放大器 ISM频段晶体管
		NE5500479A-T1 中文翻译品牌: NEC	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET	放大器晶体管
		NE5510179A 中文翻译品牌: NEC	3.5V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR 1.9 GHZ TRANSMISSION AMPLIFIERS 3.5V操作硅射频功率MOSFET 1.9 GHZ发送放大器	放大器射频
		NE5510179A 中文翻译品牌: CEL	3.5 V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR 1.9 GHZ TRANSMISSION AMPLIFIERS 3.5 V工作电压硅射频功率MOSFET 1.9 GHZ发送放大器	放大器射频
		NE5510179A-T1 中文翻译品牌: NEC	3.5V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR 1.9 GHZ TRANSMISSION AMPLIFIERS 3.5V操作硅射频功率MOSFET 1.9 GHZ发送放大器	晶体放大器射频场效应晶体管
		NE5510179A-T1 中文翻译品牌: CEL	3.5 V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR 1.9 GHZ TRANSMISSION AMPLIFIERS 3.5 V工作电压硅射频功率MOSFET 1.9 GHZ发送放大器	晶体放大器晶体管射频
		NE5510179A-T1-A 中文翻译品牌: NEC	暂无描述	晶体放大器射频场效应晶体管
		NE5510279A 中文翻译品牌: NEC	3.5V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR GSM1800 TRANSMISSION AMPLIFIERS 3.5V操作硅射频功率MOSFET用于GSM1800发送放大器	晶体放大器射频场效应晶体管 GSM
		NE5510279A 中文翻译品牌: CEL	3.5 V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR GSM1800 TRANSMISSION AMPLIFIERS 3.5 V工作电压硅射频功率MOSFET用于GSM1800发送放大器	晶体放大器晶体管射频 GSM
		NE5510279A-T1 中文翻译品牌: NEC	3.5V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR GSM1800 TRANSMISSION AMPLIFIERS 3.5V操作硅射频功率MOSFET用于GSM1800发送放大器	晶体放大器射频场效应晶体管 GSM
		NE5510279A-T1 中文翻译品牌: CEL	3.5 V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR GSM1800 TRANSMISSION AMPLIFIERS 3.5 V工作电压硅射频功率MOSFET用于GSM1800发送放大器	晶体放大器晶体管射频 GSM
		NE5511279A 中文翻译品牌: NEC	NECS 7.5 V UHF BAND RF POWER SILICON LD-MOS FET NECS 7.5 V UHF频段射频功率硅LD- MOS FET	晶体射频场效应晶体管放大器
		NE5511279A 中文翻译品牌: CEL	7.5 V UHF BAND RF POWER SILICON LD-MOS FET 7.5 V UHF频段射频功率硅LD- MOS FET	晶体晶体管射频放大器
		NE5511279A-A 中文翻译品牌: NEC	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 79A, 4 PIN	晶体射频场效应晶体管放大器
		NE5511279A-T1 中文翻译品牌: NEC	NECS 7.5 V UHF BAND RF POWER SILICON LD-MOS FET NECS 7.5 V UHF频段射频功率硅LD- MOS FET	晶体射频场效应晶体管放大器
		NE5511279A-T1 中文翻译品牌: CEL	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 79A, 4 PIN	放大器晶体管
		NE5511279A-T1A 中文翻译品牌: NEC	NECS 7.5 V UHF BAND RF POWER SILICON LD-MOS FET NECS 7.5 V UHF频段射频功率硅LD- MOS FET	晶体射频场效应晶体管放大器
		NE5511279A-T1A 中文翻译品牌: CEL	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 79A, 4 PIN	放大器晶体管
		NE5511279A-T1A-A 中文翻译品牌: CEL	7.5 V UHF BAND RF POWER SILICON LD-MOS FET 7.5 V UHF频段射频功率硅LD- MOS FET	晶体晶体管射频 ISM频段放大器
		NE5512 中文翻译品牌: NXP	Dual high-performance operational amplifier 双路高性能运算放大器	运算放大器
		NE5512D 中文翻译品牌: NXP	Dual high-performance operational amplifier 双路高性能运算放大器	运算放大器

Total:30012 3 4 5 6 7 8 9 10...10 下页

总300+条记录，每页显示30条记录分10页显示。