| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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NE5500134-T1-AZ
中文翻译 品牌: RENESAS |
NE5500134-T1-AZ | 放大器 ISM频段 晶体管 | |||
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NE5500179A
中文翻译 品牌: NEC |
SILICON POWER MOS FET 硅功率MOS FET |
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NE5500179A-T1
中文翻译 品牌: NEC |
SILICON POWER MOS FET 硅功率MOS FET |
晶体 射频场效应晶体管 放大器 | |||
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NE5500179A-T1
中文翻译 品牌: CEL |
4.8 V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR GSM1800 AND GSM1900 TRANSMISSION AMPLIFIERS 4.8 V工作电压硅射频功率MOSFET用于GSM1800和GSM1900发送放大器 |
晶体 放大器 晶体管 射频 GSM | |||
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NE5500179A-T1-A
中文翻译 品牌: NEC |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 5.70 X 5.70 MM, 1.10 MM HEIGHT, 79A, 4 PIN | 晶体 射频场效应晶体管 放大器 | |||
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NE5500234
中文翻译 品牌: NEC |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, POWER, MINIMOLD PACKAGE-3 | 放大器 晶体管 | |||
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NE5500234-AZ
中文翻译 品牌: NEC |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, POWER, MINIMOLD PACKAGE-3 | 放大器 ISM频段 晶体管 | |||
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NE5500234-AZ
中文翻译 品牌: RENESAS |
NE5500234-AZ | 放大器 ISM频段 晶体管 | |||
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NE5500234-T1-AZ
中文翻译 品牌: RENESAS |
NE5500234-T1-AZ | 放大器 ISM频段 晶体管 | |||
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NE5500234-T1-AZ
中文翻译 品牌: NEC |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, POWER, MINIMOLD PACKAGE-3 | 放大器 ISM频段 晶体管 | |||
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NE5500434-AZ
中文翻译 品牌: RENESAS |
NE5500434-AZ | ||||
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NE5500434-T1-AZ
中文翻译 品牌: RENESAS |
NE5500434-T1-AZ | ||||
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NE5500479A-T1
中文翻译 品牌: NEC |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 放大器 晶体管 | |||
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NE5500479A-T1-A
中文翻译 品牌: NEC |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 79A, 4 PIN | ||||
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NE5501N
中文翻译 品牌: PHILIPS |
0.5A, 7 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR | 开关 光电二极管 晶体管 | |||
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NE5501N
中文翻译 品牌: NXP |
TRANSISTOR 0.5 A, 7 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power | 开关 光电二极管 晶体管 | |||
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NE5502N
中文翻译 品牌: NXP |
TRANSISTOR 0.5 A, 7 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power | 开关 光电二极管 晶体管 | |||
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NE5503N
中文翻译 品牌: NXP |
0.5A, 7 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR | 开关 光电二极管 晶体管 | |||
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NE5504N
中文翻译 品牌: NXP |
TRANSISTOR 0.5 A, 7 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power | 开关 光电二极管 晶体管 | |||
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NE5510179A
中文翻译 品牌: NEC |
3.5V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR 1.9 GHZ TRANSMISSION AMPLIFIERS 3.5V操作硅射频功率MOSFET 1.9 GHZ发送放大器 |
放大器 射频 | |||
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NE5510179A-T1
中文翻译 品牌: NEC |
3.5V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR 1.9 GHZ TRANSMISSION AMPLIFIERS 3.5V操作硅射频功率MOSFET 1.9 GHZ发送放大器 |
晶体 放大器 射频场效应晶体管 | |||
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NE5510179A-T1
中文翻译 品牌: CEL |
3.5 V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR 1.9 GHZ TRANSMISSION AMPLIFIERS 3.5 V工作电压硅射频功率MOSFET 1.9 GHZ发送放大器 |
晶体 放大器 晶体管 射频 | |||
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NE5510179A-T1-A
中文翻译 品牌: NEC |
暂无描述 | 晶体 放大器 射频场效应晶体管 | |||
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NE5510279A
中文翻译 品牌: NEC |
3.5V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR GSM1800 TRANSMISSION AMPLIFIERS 3.5V操作硅射频功率MOSFET用于GSM1800发送放大器 |
晶体 放大器 射频场效应晶体管 GSM | |||
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NE5510279A
中文翻译 品牌: CEL |
3.5 V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR GSM1800 TRANSMISSION AMPLIFIERS 3.5 V工作电压硅射频功率MOSFET用于GSM1800发送放大器 |
晶体 放大器 晶体管 射频 GSM | |||
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NE5510279A-T1
中文翻译 品牌: NEC |
3.5V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR GSM1800 TRANSMISSION AMPLIFIERS 3.5V操作硅射频功率MOSFET用于GSM1800发送放大器 |
晶体 放大器 射频场效应晶体管 GSM | |||
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NE5510279A-T1
中文翻译 品牌: CEL |
3.5 V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR GSM1800 TRANSMISSION AMPLIFIERS 3.5 V工作电压硅射频功率MOSFET用于GSM1800发送放大器 |
晶体 放大器 晶体管 射频 GSM | |||
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NE5510279A-T1-A
中文翻译 品牌: NEC |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 79A, 4 PIN | ||||
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NE5510379A-T1
中文翻译 品牌: RENESAS |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,1.5A I(D),BEAM LEAD | ||||
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NE5511279A
中文翻译 品牌: NEC |
NECS 7.5 V UHF BAND RF POWER SILICON LD-MOS FET NECS 7.5 V UHF频段射频功率硅LD- MOS FET |
晶体 射频场效应晶体管 放大器 |