| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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NE5510179A
中文翻译 品牌: NEC |
3.5V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR 1.9 GHZ TRANSMISSION AMPLIFIERS 3.5V操作硅射频功率MOSFET 1.9 GHZ发送放大器 |
放大器 射频 | |||
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NE5510179A
中文翻译 品牌: CEL |
3.5 V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR 1.9 GHZ TRANSMISSION AMPLIFIERS 3.5 V工作电压硅射频功率MOSFET 1.9 GHZ发送放大器 |
放大器 射频 | |||
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NE5510179A-T1
中文翻译 品牌: NEC |
3.5V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR 1.9 GHZ TRANSMISSION AMPLIFIERS 3.5V操作硅射频功率MOSFET 1.9 GHZ发送放大器 |
晶体 放大器 射频场效应晶体管 | |||
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NE5510179A-T1
中文翻译 品牌: CEL |
3.5 V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR 1.9 GHZ TRANSMISSION AMPLIFIERS 3.5 V工作电压硅射频功率MOSFET 1.9 GHZ发送放大器 |
晶体 放大器 晶体管 射频 | |||
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NE5510179A-T1-A
中文翻译 品牌: NEC |
暂无描述 | 晶体 放大器 射频场效应晶体管 | |||
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NE5510279A
中文翻译 品牌: NEC |
3.5V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR GSM1800 TRANSMISSION AMPLIFIERS 3.5V操作硅射频功率MOSFET用于GSM1800发送放大器 |
晶体 放大器 射频场效应晶体管 GSM | |||
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NE5510279A
中文翻译 品牌: CEL |
3.5 V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR GSM1800 TRANSMISSION AMPLIFIERS 3.5 V工作电压硅射频功率MOSFET用于GSM1800发送放大器 |
晶体 放大器 晶体管 射频 GSM | |||
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NE5510279A-T1
中文翻译 品牌: NEC |
3.5V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR GSM1800 TRANSMISSION AMPLIFIERS 3.5V操作硅射频功率MOSFET用于GSM1800发送放大器 |
晶体 放大器 射频场效应晶体管 GSM | |||
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NE5510279A-T1
中文翻译 品牌: CEL |
3.5 V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR GSM1800 TRANSMISSION AMPLIFIERS 3.5 V工作电压硅射频功率MOSFET用于GSM1800发送放大器 |
晶体 放大器 晶体管 射频 GSM | |||
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NE5511279A
中文翻译 品牌: NEC |
NECS 7.5 V UHF BAND RF POWER SILICON LD-MOS FET NECS 7.5 V UHF频段射频功率硅LD- MOS FET |
晶体 射频场效应晶体管 放大器 | |||
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NE5511279A
中文翻译 品牌: CEL |
7.5 V UHF BAND RF POWER SILICON LD-MOS FET 7.5 V UHF频段射频功率硅LD- MOS FET |
晶体 晶体管 射频 放大器 | |||
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NE5511279A-A
中文翻译 品牌: NEC |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 79A, 4 PIN | 晶体 射频场效应晶体管 放大器 | ||
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NE5511279A-T1
中文翻译 品牌: NEC |
NECS 7.5 V UHF BAND RF POWER SILICON LD-MOS FET NECS 7.5 V UHF频段射频功率硅LD- MOS FET |
晶体 射频场效应晶体管 放大器 | |||
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NE5511279A-T1
中文翻译 品牌: CEL |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 79A, 4 PIN | 放大器 晶体管 | |||
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NE5511279A-T1A
中文翻译 品牌: NEC |
NECS 7.5 V UHF BAND RF POWER SILICON LD-MOS FET NECS 7.5 V UHF频段射频功率硅LD- MOS FET |
晶体 射频场效应晶体管 放大器 | |||
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NE5511279A-T1A
中文翻译 品牌: CEL |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 79A, 4 PIN | 放大器 晶体管 | |||
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NE5511279A-T1A-A
中文翻译 品牌: CEL |
7.5 V UHF BAND RF POWER SILICON LD-MOS FET 7.5 V UHF频段射频功率硅LD- MOS FET |
晶体 晶体管 射频 ISM频段 放大器 | |||
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NE5512
中文翻译 品牌: NXP |
Dual high-performance operational amplifier 双路高性能运算放大器 |
运算放大器 | |||
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NE5512D
中文翻译 品牌: NXP |
Dual high-performance operational amplifier 双路高性能运算放大器 |
运算放大器 | ||
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NE5512D-T
中文翻译 品牌: NXP |
IC DUAL OP-AMP, 5000 uV OFFSET-MAX, 3 MHz BAND WIDTH, PDSO8, 0.157 INCH, PLASTIC, SOP-8, Operational Amplifier | 放大器 光电二极管 | ||
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NE5512D-T
中文翻译 品牌: PHILIPS |
Operational Amplifier, 2 Func, BIPolar, PDSO8, | 放大器 光电二极管 | |||
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NE5512FE
中文翻译 品牌: NXP |
IC DUAL OP-AMP, 6000 uV OFFSET-MAX, 3 MHz BAND WIDTH, CDIP8, CERDIP-8, Operational Amplifier | 运算放大器 | ||
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NE5512FE-B
中文翻译 品牌: PHILIPS |
Operational Amplifier, 2 Func, BIPolar, CDIP8 | 放大器 | |||
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NE5512N
中文翻译 品牌: NXP |
Dual high-performance operational amplifier 双路高性能运算放大器 |
运算放大器 | ||
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NE5514
中文翻译 品牌: NXP |
Quad high-performance operational amplifier 四核高性能运算放大器 |
运算放大器 | |||
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NE5514D
中文翻译 品牌: NXP |
Quad high-performance operational amplifier 四核高性能运算放大器 |
运算放大器 | ||
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NE5514F
中文翻译 品牌: NXP |
IC QUAD OP-AMP, 6000 uV OFFSET-MAX, 3 MHz BAND WIDTH, CDIP14, CERDIP-14, Operational Amplifier | 放大器 | ||
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NE5514F
中文翻译 品牌: PHILIPS |
Operational Amplifier, 4 Func, 6000uV Offset-Max, BIPolar, CDIP14, | 放大器 | |||
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NE5514F-B
中文翻译 品牌: PHILIPS |
Operational Amplifier, 4 Func, 6000uV Offset-Max, BIPolar, CDIP14 | 放大器 | |||
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NE5514N
中文翻译 品牌: NXP |
Quad high-performance operational amplifier 四核高性能运算放大器 |
运算放大器 |