MOS 管输入电阻高却怕静电，原因几何？

在电子领域中，MOS 管是一种极为重要的电子元件。MOS 管本身具有很高的输入电阻，然而它却是一个 ESD（静电放电）敏感器件。其栅 - 源极间电容非常小，这使得它极易受外界电磁场或静电的感应而带电。由于在静电较强的场合难于泄放电荷，所以很容易引起静电击穿。

静电击穿一般分为两种类型：

●一是电压型，即栅极的薄氧化层发生击穿，形成针孔，使栅极和源极间短路，或者使栅极和漏极间短路；

●二是功率型，即金属化薄膜铝条被熔断，造成栅极开路或者是源极开路。

MOS 管被击穿的原因及相应解决方案如下。首先，MOS 管本身输入电阻高且栅源极间电容小，少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（U = Q / C），从而将管子损坏。虽然 MOS 输入端有抗静电的保护措施，但仍需小心对待。在存储和运输中，最好用金属容器或者导电材料包装，避免放在易产生静电高压的化工材料或化纤织物中。在组装、调试时，工具、仪表、工作台等均应良好接地。要防止操作人员的静电干扰造成的损坏，例如不宜穿尼龙、化纤衣服，手或工具在接触集成块前最好先接一下地。对器件引线矫直弯曲或人工焊接时，使用的设备必须良好接地。

其次，MOS 电路输入端的保护二极管，其导通时电流容限一般为 1mA，在可能出现过大瞬态输入电流（超过 10mA）时，应串接输入保护电阻。因此应用时可选择一个内部有保护电阻的 MOS 管。同时，由于保护电路吸收的瞬间能量有限，太大的瞬间信号和过高的静电电压将使保护电路失去作用。所以焊接时电烙铁必须可靠接地，以防漏电击穿器件的输入端，一般使用时，可断电后利用电烙铁的余热进行焊接，并先焊其接地管脚。

MOS 栅源（G - S）极下拉电阻也有着重要作用。MOS 是电压驱动元件，对电压很敏感，悬空的 G 很容易接受外部干扰使 MOS 导通，外部干扰信号对 G - S 结电容充电，这个微小的电荷可以储存很长时间。

在试验中 G 悬空很危险，很多 MOS 管就因为这样爆管。G 接个下拉电阻对地，旁路干扰信号就不会直通了，一般可以选择 10 - 20K 的电阻，这个电阻称为栅极电阻。其作用一是为场效应管提供偏置电压；二是起到泻放电阻的作用(保护栅极G~源极S)。

第一个作用好理解，这里解释一下第二个作用的原理。保护栅极G~源极S，场效应管的G-S极间的电阻值是很大的，这样只要有少量的静电就能使他的G-S极间的等效电容两端产生很高的电压。如果不及时把这些少量的静电泻放掉，他两端的高压就有可能使场效应管产生误动作，甚至有可能击穿其G-S极。这时栅极与源极之间加的电阻就能把上述的静电泻放掉，从而起到了保护场效应管的作用。

总之，在使用 MOS 管时，我们需要充分了解其特性，采取有效的防护措施，以确保其正常工作。