美光 HBM4 出击，伺机打破内存市场现有局面

全球第三大内存半导体公司美光科技（Micron Technology）展现出强大的市场信心，其表示有信心在明年售罄所生产的高带宽内存（HBM）芯片。HBM 作为人工智能（AI）的关键部件，在当前的科技发展浪潮中占据着至关重要的地位。目前，HBM 龙头企业 SK 海力士（SK Hynix）正在与其主要客户英伟达（Nvidia）就明年的供应进行着紧张的谈判，而美光科技则先行一步，提出了售罄的可能性，这无疑在内存市场激起了层层涟漪。

据半导体业界消息人士和外电 13 日报道，美光公司首席商务官（CBO）苏米特・萨达纳（Sumit Sadhana）在当地时间 11 日于 KeyBank 主办的 “技术领导力论坛” 上公布了本财年第四季度的盈利预测。他指出，“我们一直在与客户深入讨论 2026 年 HBM 的供应问题，近几个月来取得了重大进展”，并补充道，“基于此，我们有信心明年能够售罄所有 HBM 库存”。他还透露，“12 层 HBM3E 的良率提升速度远超 8 层，12 层产品的出货量也已经超越 8 层产品”。美光所提及的明年供货量，主要以 HBM3E（第五代）12 层为主，预计也会包含 HBM4（第六代）。

在市场格局方面，占据 AI 芯片市场 90% 份额的主导产品 12 层 HBM3E 的供应商是 SK 海力士和美光，三星电子正在接受英伟达的质量测试。美光在宣布 HBM3E 量产消息时，直接提到英伟达是其客户，以此与竞争对手区分开来。此次美光提到的 “售罄”，被市场解读为其充分考虑到了英伟达的供应潜力。

美光不仅对 HBM3E 充满信心，对 HBM4 也表现出了十足的底气。目前，三家内存公司已经向英伟达等主要客户提供了 HBM4 样品。不过，三家公司的生产计划各不相同：SK 海力士和三星电子计划在今年下半年推出 HBM4，而美光的目标是明年。美光 CBO 苏米特・萨达纳表示：“我们的 HBM4 将与 HBM3E 采用相同的 1β 节点生产，这是一个非常成熟且性能卓越的节点。” 他还指出，“相比之下，我们的一个竞争对手正试图在 1c 节点上生产 HBM4，这将需要额外的工作来验证新技术。” 这里的 1β 工艺是美光公司对第五代 10 纳米 DRAM 的命名，而下一代 1c 是第六代 10 纳米 DRAM，据信三星电子将从 HBM4 开始应用。

对于下一代产品 HBM4E（第七代），苏米特・萨达纳表示：“一些客户正在寻找将 GPU 逻辑集成到 HBM4E 的 HBM 基础芯片中的定制产品。” 他指出，“这种定制开发将产生高昂的费用，因此我们将只与少数供应商合作，这可能会改变市场格局。”

另一方面，尽管一些业内人士预计 SK 海力士将很快宣布售罄，但 ZDNet 指出，人们对其合同最终敲定的进展感到担忧。报道称，在第二季度财报电话会议上，该公司表示已经了解明年 HBM 的供应情况，但没有透露任何细节，这与 2024 年上半年的情况不同，当时该公司自信地宣布 2025 年的 HBM 配额已售罄。值得注意的是，ZDNet 指出，SK 海力士最初计划在 2025 年中期与 NVIDIA 完成 2026 年 HBM 的供应，但谈判拖延至本月。据报道，尽管双方高层进行了多次会谈，但双方仍难以调和在产量承诺和 HBM4 定价方面的分歧。

据 ZDNet 报道，HBM4 预计将使 I/O 数量较上一代增加一倍，扩大核心芯片面积，并将基础（逻辑）芯片外包给台积电。因此，业内预计 HBM4 的价格将比 12 - Hi HBM3E 上涨约 30%，达到每单位 500 美元左右。与此同时，尽管最近有传言称三星的 12 纳米高阶 HBM3E 即将通过 NVIDIA 的验证，但这些报道仍未得到证实。关于 HBM4，韩联社援引美光公司萨达纳的话称，美光的 HBM4 采用了 HBM3E 成熟的 1β 工艺节点，而三星则计划采用更新的 1c 节点，这需要进一步验证。1β 节点代表美光的第五代 10 纳米级 DRAM，而下一代 1c 节点则是三星计划用于 HBM4 的节点。