CP608-CJD32C-CG [CENTRAL]
Transistor;
| 型号： | CP608-CJD32C-CG |
| 厂家： | 
CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 描述： | Transistor |
| 文件： | 总2页 (文件大小：199K) |
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TM
PROCESS CP608
Power Transistor
Central
Semiconductor Corp.
PNP - Amp/Switch Transistor Chip
PROCESS DETAILS
Process
EPITAXIAL BASE
Die Size
Die Thickness
Base Bonding Pad Area
Emitter Bonding Pad Area
Top Side Metalization
Back Side Metalization
66 X 66 MILS
12.5 ± 1.0 MILS
12 X 24 MILS
11 X 14 MILS
Al - 50,000Å
Cr/Ni/Ag - 16,000Å
GEOMETRY
GROSS DIE PER 4 INCH WAFER
2,630
PRINCIPAL DEVICE TYPES
CJD32C
TIP32C
BACKSIDE COLLECTOR
145 Adams Avenue
Hauppauge, NY 11788 USA
Tel: (631) 435-1110
Fax: (631) 435-1824
www.centralsemi.com
R2 (1-August 2002)
TM
PROCESS CP608
Central
Typical Electrical Characteristics
Semiconductor Corp.
145 Adams Avenue
Hauppauge, NY 11788 USA
Tel: (631) 435-1110
Fax: (631) 435-1824
R2 (1-August 2002)
www.centralsemi.com
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