DD1200 [DIOTEC]

Fast Switching High Voltage Si-Rectifiers; 快速开关高压硅整流器


型号：	DD1200
厂家：	DIOTEC SEMICONDUCTOR
描述：	Fast Switching High Voltage Si-Rectifiers 快速开关高压硅整流器开关高压
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DD 300 … DD 1800

Fast Switching High Voltage Si-Rectifiers Schnelle Si-Hochspannungs-Gleichrichter

Nominal current – Nennstrom

20 mA

Ø 3^±0.05

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

3000…18000 V

Plastic case

Kunststoffgehäuse

Ø 3.05 x 14 [mm]

0.4 g

Weight approx. – Gewicht ca.

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Ø 0.6^±0.05

Standard packaging taped in ammo pack

see page 16

Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack

siehe Seite 16

Dimensions / Maße in mm

Maximum ratings

Grenzwerte

Type

Typ

Repetitive peak reverse voltage

Period. Spitzensperrspannung

Surge peak reverse voltage

Stoßspitzensperrspannung

V_RSM[V]

1. Cathode ring *)

1. Kathodenring *)

V_RRM[V]

DD 300

3000

6000

white / weiß

brown / braun

blue / blau

DD 600

6000

DD 1000

DD 1200

DD 1400

DD 1600

DD 1800

10000

12000

14000

16000

18000

10000

12000

14000

16000

18000

silver / silber

yellow / gelb

green / grün

red / rot

*) The cathode may be indicated by a second green ring

*) Die Kathode kann durch einen zweiten grünen Ring angezeigt werden

Max. average forward rectified current, R-load

Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last

T_A= 50ꢀC

f > 15 Hz

T_A= 25ꢀC

I_FAV

I_FRM

I_FSM

20 mA ¹)

300 mA ¹)

3 A

Repetitive peak forward current

Periodischer Spitzenstrom

Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave

Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle

)

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case

Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

188

28.02.2002

DD 300 … DD 1800

Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

– 50…+150ꢀC

T_S– 50…+150ꢀC

Characteristics

Kennwerte

Forward voltage – Durchlaßspannung

Leakage current – Sperrstrom

T_j= 25ꢀC

I_F= 10 mA

V_R= V_RRM

V_F

I_R

< 40 V

< 1 ꢀA

Reverse recovery time

Sperrverzugszeit

I_F= 10 mA through/über

I_R= 10 mA to/auf I_R= 1 mA

t_rr

< 150 ns

Thermal resistance junction to ambient air

R_thA

< 60 K/W ¹)

Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft

Forward characteristic (typical values)

Durchlaßkennlinie (typische Werte)

)

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case

Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

189

28.02.2002

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