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1N4460 硅稳压二极管 (SILICON ZENER DIODES)
.型号:   1N4460
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描述: 硅稳压二极管
SILICON ZENER DIODES
文件大小 :   104 K    
页数 : 2 页
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品牌   EIC [ EIC DISCRETE SEMICONDUCTORS ]
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100%
证书TH97 / 10561QM
证书TW00 / 17276EM
1N4460 - 1N4496和
1N6485 - 1N6491
V
Z
: 3.3 - 200伏
P
D
: 1.5瓦
产品特点:
*硅功率齐纳二极管
*完整的电压范围3.3到200伏
*高反向峰值功耗
*高可靠性
*低漏电流
*无铅/符合RoHS免费
硅稳压二极管
M1A
0.085(2.16)
0.075(1.91)
1.00 (25.4)
分钟。
0.138(3.51)
0.122(3.10)
机械数据:
*案例: M1A模压塑料
*环氧: UL94V -O率阻燃
*铅:轴向引线每MIL -STD- 202焊接的,
方法208保证
*极性:颜色频带端为负极
*安装位置:任意
*重量:0.32克(约)
0.024(0.60)
0.022(0.55)
1.00 (25.4)
分钟。
尺寸以英寸(毫米)
最大额定值
(评分在25 ° C环境温度,除非另有规定)
等级
在大功耗= 25°C
最大正向电压在我
F
= 200毫安
热阻,结到铅(注1 )
工作温度
存储温度范围
注意:
(1)在8"分之3 ( 10mm)的引线长度形式的身体。
符号
P
D
V
F
R
θJA
T
J
T
英镑
价值
1.5
1.0
42
- 65〜 + 175
- 65〜 + 175
单位
W
V
° C / W
°C
°C
图。 1功耗温度降额曲线
P
D
,最大耗散
(W)
1.5
1.2
0.9
0.6
L = 8"分之3 ( 10mm)的
0.3
0
0
25
50
75
100
125
150
175
TA ,环境温度( ° C)
第1页2
启示录03 : 2006年11月2日
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