3DG6013 [ETC]
3DG6013硅NPN型高频小功率晶体管 ;
ETC 
晶分立器件
3DG6013
高 放大 境 定双极型晶体管
1 概述与特点
3DG6013 硅 NPN 型高频小功率晶体管 主要用于收音机及电子玩具中作小信号放大 其特点
如下
频率特性好
反向漏电小
饱和压降低
电流特性好
封装形式 TO-92
2
特性
2.1 极限
除非另有规定 Tamb= 25
5.3max
4.2max
参 数 名 称
集电极-发射极电压
集电极-基 极电压
发射极-基 极电压
集电极电流
符号
VCE0
VCB0
VEB0
IC
额定值
20
单位
V
40
V
5
V
0.45
0.5
A
耗散功率(Ta=25
结温
)
Ptot
0.625
150
W
0.45
1.27
1.27
Tj
E
B C
贮存温度
Tstg
-55 150
2.2 参数
除非另有规定 Tamb= 25
规 范 值
参 数 名 称
符 号
测 试 条 件
单位
最小 典型 最大
0.1
集电极-基极截止电流
发射极-基极截止电流
ICB0
IEB0
VCB=40V, IE=0
VEB=5V, IC=0
uA
0.1
mA
共发射极正向电流传输比
的静态值
70
400
hFE
VCE=1V, IC=50mA
0.6
1.2
集电极-发射极饱和电压
基 极-发射极饱和电压
VCEsat IC=400Ma, IB=40mA
VBEsat IC=400mA, IB=40mA
V
V
VCE=6V, IC=20mA
150
特征频率
fT
MHz
f=30MHz
无 锡 华 晶 微 电 子 股 份 有 限 公 司
地址 江苏省无锡市梁溪路 14 号 电话 0510 5807228-2268 2299
传真 0510 5800360
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华晶分立器件
3DG6013
3 特性曲
Ptot-Tamb 关系曲线
hFE-IC 关系曲线
h
FE
P
tot (W)
Tamb=25
VCE=1V
0.60
0.45
100
10
0.30
0.15
0
0
50
100
T(
)
0.001
0.01
0.1
I
C (A)
VBEsat-IC 关系曲线
VCEsat-IC 关系曲线
V
CEsat (V)
V
BEsat (V)
Tamb=25
IC/IB=10
Tamb=25
IC/IB =10
1
1.2
0.1
0.6
0.01
0.01
0.1
I
C (A)
0.01
IC (A)
0.1
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