DBDD1200S33K2C20 [ETC]
IGBT Module ; IGBT模块\n
| 型号： | DBDD1200S33K2C20 |
| 厂家： | 
ETC |
| 描述： | IGBT Module
|
| 文件： | 总4页 (文件大小：151K) |
| 中文： | 中文翻译 | 下载： | 下载PDF数据表文档文件 |
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
DD1200S33K2C
Vorläufige Daten
preliminary data
Diode-Wechselrichter / diode-inverter
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = -25°C
3300
Vçç¢
3300
V
A
Dauergleichstrom
DC forward current
IŒ
IŒç¢
I²t
1200
2400
500
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forward current
t« = 1 ms
A
Grenzlastintegral
I²t - value
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 125°C
kA²s
kW
µs
Spitzenverlustleistung
maximum power dissipation
P笢
tŒÓÒ ÑÍÒ
2400
10,0
Mindesteinschaltdauer
minimum turn-on time
Charakteristische Werte / characteristic values
min. typ. max.
Durchlassspannung
forward voltage
IŒ = 1200 A, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C
IŒ = 1200 A, V•Š = 0 V, TÝÎ = 125°C
VŒ
Iç¢
QØ
2,80 3,50
2,80 3,50
V
V
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
IŒ = 1200 A, - diŒ/dt = 6800 A/µs
Vç = 1800 V, V•Š = -15 V, TÝÎ = 25°C
Vç = 1800 V, V•Š = -15 V, TÝÎ = 125°C
1700
2000
A
A
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
IŒ = 1200 A, -diŒ/dt = 6800 A/µs
Vç = 1800 V, V•Š = -15 V, TÝÎ = 25°C
Vç = 1800 V, V•Š = -15 V, TÝÎ = 125°C
710
1300
µC
µC
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
IŒ = 1200 A, -diŒ/dt = 6800 A/µs
Vç = 1800 V, V•Š = -15 V, TÝÎ = 25°C
Vç = 1800 V, V•Š = -15 V, TÝÎ = 125°C
EØþÊ
735
1550
mJ
mJ
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Diode
per diode
RÚÌœ†
RÚ̆™
17,0 K/kW
K/kW
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Diode / per diode
/
12,0
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
prepared by: Jürgen Biermann
approved by: Christoph Lübke
date of publication: 2003-6-12
revision: 2.0
1
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
DD1200S33K2C
Vorläufige Daten
preliminary data
Modul / module
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
insulation test voltage
Vš»¥¡
Vš»¥¡
V†Š ‡
6,0
2,6
kV
kV
V
Teilentladungs Aussetzspannung
RMS, f = 50 Hz, Q«‡ ú 10 pC (acc. to IEC 1287)
partial discharge extinction voltage
Kollektor-Emitter-Gleichsperrspannung
TÝÎ = 25°C, 100 fit
1800
AlSiC
AlN
DC stability
Material Modulgrundplatte
material of module baseplate
Material für innere Isolation
material for internal insulation
Kriechstrecke
creepage distance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
32,0
32,0
mm
mm
Luftstrecke
clearance distance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
19,0
19,0
Vergleichszahl der Kriechwegbildung
comparative tracking index
CTI
> 400
min. typ. max.
6,00
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per module
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) / ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
RÚ̆™
LÙ†Š
K/kW
nH
Modulinduktivität
stray inductance module
25
Modulleitungswiderstand,
Anschlüsse - Chip
module lead resistance,
terminals - chip
T† = 25°C, pro Zweig / per arm
R††óôŠŠó
0,32
mÂ
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
TÝÎ ÑÈà
TÝÎ ÓÔ
TÙÚÃ
150
°C
°C
°C
Temperatur im Schaltbetrieb
temperature under switching conditions
-40
-40
125
125
Lagertemperatur
storage temperature
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
Schraube / screw M6
M
M
4,25
-
5,75 Nm
2,1 Nm
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse Schraube / screw M4
terminal connection torque
1,8
8,0
-
-
Schraube / screw M8
10
Nm
Gewicht
weight
G
1000
g
Dauergleichstrom: chipbezogener Wert; Terminalwert pro Zweig: <1000A
DC forward current: chip related value; terminal value per arm: <1000A
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine
Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but guarantees no characteristics.
It is valid with the appropriate technical explanations.
prepared by: Jürgen Biermann
approved by: Christoph Lübke
date of publication: 2003-6-12
revision: 2.0
2
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
DD1200S33K2C
Vorläufige Daten
preliminary data
Durchlaßkennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)
forward characteristic of diode-inverter (typical)
IŒ = f (VŒ)
Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.
transient thermal impedance diode-inverter
ZÚÌœ† = f (t)
2400
100
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
ZÚÌœ† : Diode
2000
1600
1200
800
400
0
10
1
i:
1
2
3
rÍ[K/kW]: 7,65 4,25 1,02 4,08
4
τÍ[s]:
0,03 0,1 0,3
1
0,1
0,001
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
VΠ[V]
2,5
3,0
3,5
4,0
0,01
0,1
t [s]
1
10
Sicherer Arbeitsbereich Diode-Wechselr. (SOA)
save operation area diode-inverter (SOA)
Iç = f(Vç)
TÝÎ = 125°C
3000
Iç, Modul
2400
1800
1200
600
0
0
500
1000 1500 2000 2500 3000 3500
Vç [V]
prepared by: Jürgen Biermann
approved by: Christoph Lübke
date of publication: 2003-6-12
revision: 2.0
3
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
DD1200S33K2C
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltplan / circuit diagram
Gehäuseabmessungen / package outlines
prepared by: Jürgen Biermann
approved by: Christoph Lübke
date of publication: 2003-6-12
revision: 2.0
4
相关型号：
©2020 ICPDF网 联系我们和版权申明