IQE006NE2LM5CG
在英飞凌创新的源极底置技术下推出了OptiMOS™ 低压功率MOSFET(IQE006NE2LM5CG)中心门极封装版本。将门极放置在封装的中间位置,从而实现最佳的源极连接。由于中心门极具有更大的漏极至源极爬电距离,因此中心门极封装提供 MOSFET 优化且易于并联的优势。这样,即可在一个 PCB 层上连接多个设备的门极,从而提高电流能力,实现更高的输出电平。此外,源极底置中心门极封装提供高系统效率和高功率密度。
PC
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706-2300-501-300
System cable; for Siemens S7-300; 4 analog outputs (voltage); Length: 3 m;
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