XN06111(XN6111) [ETC]
複合デバイス － 複合トランジスタ ;
| 型号： | XN06111(XN6111) |
| 厂家： | 
ETC |
| 描述： | 複合デバイス － 複合トランジスタ |
| 文件： | 总3页 (文件大小：172K) |
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複合トランジスタ
XN06111 (XN6111)
シリコンPNP エピタキシャルプレーナ形
Unit: mm
スイッチング用/デジタル回路用
+0.20
2.90
–0.05
+0.10
–0.06
0.16
1.9±0.1
(0.95) (0.95)
特ꢀ長
4
3
5
6
I
G
1パッケージに2素子内蔵。
(抵抗内蔵トランジスタ･独立タイプ)
2
1
G
実装面積とアセンブリコストの半減が可能。
+0.10
–0.05
0.30
0.50
+0.10
–0.05
10°
使用素子基本形名
I
G
UNR1111(UN1111)× 2素子
絶対最大定格 (Ta=25˚C)
1 : Collector (Tr1)
2 : Base (Tr1)
3 : Collector (Tr2)
4 : Base (Tr2)
5 : Emitter (Tr2)
6 : Emitter (Tr1)
I
項目
記号
VCBO
VCEO
IC
定格
–50
単位
V
Mini6-G1 Package
コレクタ･ベース電圧
コレクタ･エミッタ電圧
コレクタ電流
全損失
素子の
定格
–50
V
形名表示記号：6Z
–100
mA
mW
˚C
内部接続図
PT
300
総合
接合部温度
保存温度
Tj
150
Tr1
6
5
4
1
2
3
Tstg
–55 ~ +150
˚C
Tr2
電気的特性 (Ta=25˚C)
I
項目
記号
VCBO
条件
最小
–50
標準
最大
単位
V
コレクタ･ベース電圧
IC = –10µA, IE = 0
IC = –2mA, IB = 0
VCB = –50V, IE = 0
VCE = –50V, IB = 0
VEB = –6V, IC = 0
VCE = –10V, IC = –5mA
コレクタ･エミッタ電圧
VCEO
ICBO
ICEO
IEBO
hFE
–50
V
– 0.1
– 0.5
– 0.5
µA
µA
mA
コレクタしゃ断電流
エミッタしゃ断電流
直流電流増幅率
35
直流電流増幅率比
コレクタ･エミッタ飽和電圧
出力電圧ハイレベル
出力電圧ローレベル
トランジション周波数
入力抵抗
hFE (小/大)*1 VCE = –10V, IC = –5mA
0.5
0.99
VCE(sat)
VOH
VOL
fT
IC = –10mA, IB = – 0.3mA
– 0.25
– 0.2
V
V
VCC = –5V, VB = – 0.5V, RL = 1kΩ
VCC = –5V, VB = –2.5V, RL = 1kΩ
VCB = –10V, IE = 1mA, f = 200MHz
–4.9
V
80
10
MHz
kΩ
R1
–30%
0.8
+30%
1.2
抵抗比率
R1/R2
1.0
*1 2素子間比
注) ( )内は,従来品番です
1
Composite Transistors
XN06111
PT — Ta
500
400
300
200
100
0
0
40
80
120
160
)
(
Ambient temperature Ta ˚C
IC — VCE
VCE(sat) — IC
hFE — IC
160
120
80
–160
–140
–120
–100
–80
–60
–40
–20
0
–100
IC/IB=10
VCE=–10V
Ta=75˚C
25˚C
Ta=25˚C
–0.9mA
IB=–1.0mA
–30
–10
–0.8mA
–0.7mA
–0.6mA
–0.5mA
–25˚C
–3
–1
–0.4mA
–0.3mA
Ta=75˚C
–0.3
–0.1
25˚C
40
–0.2mA
–25˚C
–0.03
–0.01
–0.1mA
0
–1
0
–2
–4
–6
–8
–10 –12
–3
–10 –30 –100 –300 –1000
–0.1 –0.3
–1
–3
–10 –30 –100
(
)
(
)
Collector to emitter voltage VCE
V
(
)
Collector current IC mA
Collector current IC mA
Cob — VCB
IO — VIN
VIN — IO
6
5
4
3
2
1
0
–10000
–100
VO=–5V
Ta=25˚C
VO=–0.2V
Ta=25˚C
f=1MHz
IE=0
Ta=25˚C
–3000
–1000
–30
–10
–300
–100
–3
–1
–30
–10
–0.3
–0.1
–
3
–0.03
–0.01
–1
–0.4
–0.1 –0.3
–1
–3
–10 –30 –100
–0.6
–0.8
–1.0
–1.2
–1.4
–0.1 –0.3
–1
–3
–10 –30 –100
(
)
(
)
(
)
Collector to base voltage VCB
V
Input voltage VIN
V
Output current IO mA
2
本資料に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項
(1) 本資料に記載の製品および技術で、「外国為替及び外国貿易法」に該当するものを輸出する時、ま
たは、国外に持ち出す時は、日本政府の許可が必要です。
(2) 本資料に記載の技術情報は製品の代表特性および応用回路例などを示したものであり、工業所有
権等の保証または実施権の許諾を意味するものではありません。
—
一般電子機器(事務機器、通信機器、計測機器、家電
(3) 本資料に記載されている製品
は、標準用途
製品など)に使用されることを意図しております。
特別な品
質、信
頼性が要
求され、その故障や誤動作が直接人命を脅かしたり、人体に危害を及ぼす
特定用途(航空・宇宙用、交通機器、燃焼機器、生命維持装置、安全装置など)に
ご使用をお考えのお客様および当社が意図した標準用途以外にご使用をお考えのお客様は、事前
弊社営業窓口までご相談願います。
—
恐れのある用途
に
(4) 本資料に掲載しております製品
りますのでご了承ください。したがって、最終的な設計、ご購入、ご使用に際しましては、事前に最新
の製品規格書または仕様書をお求め願い、ご確認ください。
および製品仕様は、改良などのために予告なく変更する場合があ
(5) 設計に際して、特に最大定格、動作電源電圧範囲、放熱特性については保証範囲内でご使用いただ
きますようお願い致します。保証値を超えてご使用された場合、その後に発生した機器の欠陥につ
いては弊社として責
また、保証値内のご使用であっても、弊社製品の動作が原因でご使用機器が各種法令に抵触しな
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2001 MAR
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