XN06114(XN6114) [ETC]
複合デバイス － 複合トランジスタ ;
| 型号： | XN06114(XN6114) |
| 厂家： | 
ETC |
| 描述： | 複合デバイス － 複合トランジスタ |
| 文件： | 总3页 (文件大小：193K) |
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複合トランジスタ
XN06114 (XN6114)
シリコンPNPエピタキシャルプレーナ形
Unit : mm
+0.20
–0.05
1.9 0.1
0.95 0.95
2.90
+0.10
スイッチング用 / デジタル回路用
0.16
–0.06
4
5
6
■ 特ꢀ長
•
•
1パッケージに2素子内蔵(抵抗内蔵トランジスタ)
積とアセンブリコストの半減が可能
実装面
3
2
1
+0.10
–0.05
0.30
0.50
+0.10
–0.05
■ 基
本品
種
10°
•
UNR2114 (UN2114) × 2
■ 絶対最大定格 Ta = 25°C
項目
記号
定格
−50
単位
V
1 : Collector (Tr1)
2 : Base (Tr1)
3 : Collector (Tr2)
EIAJ : SC-74
4 : Base (Tr2)
5 : Emitter (Tr2)
6 : Emitter (Tr1)
コレクタ・ベース間電圧(E 開放時) VCBO
コレクタ・エミッタ間電圧(B開放時) VCEO
−50
V
Mini6-G1 Package
コレクタ電流
全許容損失
IC
−100
300
mA
mW
形名表示記号 : CK
PT
接
合温度
Tj
150
°C
内部接続図
保存温度
Tstg
−55 ∼ +150
°C
4
5
6
Tr1
1
Tr2
3
2
■ 電気的特性 Ta = 25°C 3°C
項目
記号
VCBO
条件
最小 標準 最大
単位
V
コレクタ・ベース間電圧(E 開放時)
IC = −10 µA, IE = 0
IC = −2 mA, IB = 0
VCB = −50 V, IE = 0
VCE = −50 V, IB = 0
VEB = −6 V, IC = 0
VCE = −10 V, IC = −5 mA
−50
コレクタ・エミッタ間電圧(B開放時) VCEO
コレクタ・ベース間遮断電流(E 開放時) ICBO
−50
V
− 0.1
− 0.5
− 0.2
µA
µA
mA
コレクタ・エミッタ間遮断電流(B開放時)
エミッタ・ベース間遮断電流(C 開放時) IEBO
流電流増幅率 hFE
流電流増幅率比
ICEO
直
80
*
直
hFE(Small/ VCE = −10 V, IC = −5 mA
0.50
0.99
Large)
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
出力電圧ハイレベル
出力電圧ローレベル
入力抵抗
VCE(sat) IC = −10 mA, IB = − 0.3 mA
− 0.25
V
V
VOH
VOL
R1
VCC = −5 V, VB = − 0.5 V, RL = 1 kΩ
−4.9
VCC = −5 V, VB = −2.5 V, RL = 1 kΩ
− 0.2
+30%
0.25
V
−30%
10
0.21
80
kΩ
抵抗比率
R1 / R2
fT
0.17
トランジション周 波数
VCB = −10 V, IE = 1 mA, f = 200 MHz
MHz
注) 1. 測定方法は，日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。
2. : 2素子間比
*
注) 形名の( )内は，従来品
番です
発行年月 : 2003年12月
SJJ00096BJD
1
XN06114
PT Ta
IC VCE
VCE(sat) IC
−100
−10
−1
−160
−120
−80
−40
0
500
400
300
200
100
0
IC / IB = 10
Ta = 25°C
IB = −1.0 mA
−0.9 mA
−0.8 mA
−0.7 mA
−0.6 mA
−0.5 mA
−0.4 mA
−0.3 mA
−0.2 mA
Ta = 75°C
25°C
−0.1
−0.1 mA
−25°C
−
0.01
−0.1
−1
−10
−100
0
−2
−4
−6
−8 −10 −12
0
40
80
120
160
(
)
コレクタ電流 IC (mA)
周
囲温度 Ta °C
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
hFE IC
Cob VCB
IO VIN
−104
−103
−102
−10
−1
400
300
200
100
0
6
5
4
3
2
1
0
VO = −5 V
Ta = 25°C
f = 1 MHz
IE = 0
VCE = −10 V
Ta = 25°C
Ta = 75°C
25°C
−25°C
−1
−10
−100
−1000
−0.1
−1
−10
−100
−0.4 −0.6 −0.8 −1.0 −1.2 −1.4
入力電圧 VIN (V)
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
VIN IO
−1000
−100
−10
VO = − 0.2 V
Ta = 25°C
−1
−0.1
−0.1
−1
−10
−100
出力電流 IO (mA)
SJJ00096BJD
2
本資料に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項
(1) 本資
料に記載の製品および技術情 報のうちで「、外国為替及び外国貿易法」に該当するものを輸
出する時、または、国外に持ち出す時は、日本政府の許可が必要です。
(2) 本資
しくは第三者の知的財産権その他の権利に対する保証または実施権の許諾を意味するものではあ
りません。
料に記載の技術情 報は製品の代表特性および応用回路例などを示したものであり、弊社も
(3) 上記技術情 報のご使用
に起因して第三者所有の権利にかかわる問題が発生した場合、当社はそ
の責を負うものではありません。
料に記載されている製品は、標準用途 一般電子機器(事務機器、通信機器、計測機器、家
(4) 本資
電製品など)に使用されることを意図しております。
特別な品質、信頼性が要求され、その故障や誤動作が直 人命を脅かしたり、人体に危害を及ぼ
す恐れのある用 特定用途(航 空・宇 宙 用 、交通機器、燃焼機器、生命維持装置、安全装置など)
にご使用をお考えのお客様および当社が意図した標準用途以外にご使用をお考えのお客様は、事
に弊社営業窓口までご相談願 います。
接
途
前
(5) 本資
ありますのでご了承ください。したがって、最終的な設計、ご購入、ご使用に際しましては、事前
最新の製品規格書または仕様書をお求め願 い、ご確認ください。
料に記載しております製品および製品仕様は、改良などのために予告なく変更する場合が
に
(6) 設計に際して、特に最大定格、動作電源
だきますようお願 い致します。保証値を超えてご使用された場合、その後に発生した機器の欠陥に
ついては弊社として責任を負いません。
また、保証値内のご使用であっても、半導体製品について通常予測される故障発生率、故障モー
ドをご考慮の上、弊社製品の動作が原因でご使用機器が人身事故、火災事故、社会的な損害などを
電圧範囲、放熱特性については保証範囲内でご使用いた
生じさせない冗長設計、延焼対策設計、誤動作防止設計などのシステム上の対策を講じて頂きます
ようお願 い致します。
(7) 防湿包装を必要
とする製品につきましては、個々の仕様書取り交わしの折、取り決めた条件(保
存期間、開封後の放置時間など)を守ってご使用ください。
(8) 本資
料の一部または全部を弊社の文書による承諾なしに、転載または複製することを堅くお断
り致します。
2003 SEP
相关型号：
XN06115
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, SC-74, 6 PIN
PANASONIC
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