XP04654(XP4654) [ETC]
複合デバイス － 複合トランジスタ ;
| 型号： | XP04654(XP4654) |
| 厂家： | 
ETC |
| 描述： | 複合デバイス － 複合トランジスタ |
| 文件： | 总5页 (文件大小：236K) |
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複合トランジスタ
XP04654 (XP4654)
シリコンNPNエピタキシャルプレーナ形(Tr1部)
シリコンPNPエピタキシャルプレーナ形(Tr2部)
Unit : mm
+0.05
高速スイッチング用
0.12
–0.02
0.2 0.05
5
6
4
■ 特ꢀ長
•
•
1パッケージに2素子内蔵
実装面積とアセンブリコストの半減が可能
1
2
3
(0.65) (0.65)
■ 基
本品種
1.3 0.1
2.0 0.1
•
2SC3757 + 2SA1738
10˚
■ 絶対最大定格 Ta = 25°C
項目
記号
定格
単位
Tr1
コレクタ・ベース間電圧
VCBO
40
V
1 : Emitter (Tr1)
2 : Base (Tr1)
3 : Collector (Tr2)
EIAJ : SC-88
4 : Emitter (Tr2)
5 : Base (Tr2)
6 : Collector (Tr1)
SMini6-G1 Package
(E 開放時)
コレクタ・エミッタ間
電圧(E•B 間短絡時)
VCES
VEBO
40
5
V
V
エミッタ・ベース間電圧
(C 開放時)
形名表示記号 : ED
コレクタ電流
IC
ICP
100
300
−15
mA
mA
V
内部接続図
尖頭コレクタ電流
6
5
2
4
Tr2
コレクタ・ベース間電圧
VCBO
(E 開放時)
Tr1
1
Tr2
3
コレクタ・エミッタ間
電圧(E•B 間短絡時)
VCES
VEBO
−15
−4
V
V
エミッタ・ベース間電圧
(C 開放時)
コレクタ電流
尖頭コレクタ電流
全許容損失
合温度
IC
ICP
PT
50
mA
mA
mW
−
100
−
総合
150
150
接
Tj
°C
保存温度
Tstg
−55 ∼ +150
°C
注) 形名の( )内は，従来品
番です
発行年月 : 2004年2月
SJJ00188BJD
1
XP04654
■ 電気的特性 Ta = 25°C 3°C
•
Tr1部
項目
記号
条件
VCB = 40 V, IE = 0
最小 標準 最大
単位
µA
コレクタ・ベース間遮断電流(E 開放時) ICBO
エミッタ・ベース間遮断電流(C 開放時) IEBO
0.1
0.1
VEB = 4 V, IC = 0
µA
直
流電流増幅率
hFE
VCE = 1 V, IC = 10 mA
60
320
0.25
1.0
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
ベース・エミッタ間飽和電圧
トランジション周 波数
コレクタ出力容量(入力開放時)
ターンオン時間
VCE(sat) IC = 10 mA, IB = 1 mA
VBE(sat) IC = 10 mA, IB = 1 mA
0.17
V
V
fT
Cob
ton
VCB = 10 V, IE = −10 mA, f = 200 MHz
450
2
MHz
pF
ns
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz
6
スイッチング時間測定回路参照
17
17
10
ターンオフ時間
toff
tstg
注) 測定方法は，日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。
ns
蓄
積時間
ns
•
Tr2部
項目
記号
条件
VCB = −8 V, IE = 0
最小 標準 最大
単位
µA
コレクタ・ベース間遮断電流(E 開放時) ICBO
エミッタ・ベース間遮断電流(C 開放時) IEBO
− 0.1
− 0.1
VEB = −3 V, IC = 0
µA
直
流電流増幅率
hFE1
VCE = −1 V, IC = −10 mA
50
150
hFE2
VCE = −1 V, IC = −1 mA
30
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
トランジション周 波数
コレクタ出力容量(入力開放時)
ターンオン時間
VCE(sat) IC = −10 mA, IB = −1 mA
− 0.1 − 0.2
V
MHz
pF
fT
Cob
ton
VCB = −10 V, IE = 10 mA, f = 200 MHz 800
VCB = −5 V, IE = 0, f = 1 MHz
1 500
1
スイッチング時間測定回路参照
12
ns
ターンオフ時間
toff
tstg
20
ns
蓄積時間
19
ns
注) 測定方法は，日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。
共通特性図
PT Ta
250
200
150
100
50
0
0
40
80
120
160
(
)
周
囲温度 Ta °C
SJJ00188BJD
2
XP04654
Tr1部特性図
スイッチング時間測定回路�
ton , toff test circuit
tstg test circuit
0.1 µF
0.1 µF
1 kΩ
VOUT
VOUT
A
220 Ω
910 Ω
500 Ω
50 Ω
90 Ω
0.1 µF
VIN = 10 V 3.3 kΩ
VIN = 10 V
50 Ω
VCC = 3 V
VCC = 10 V
3.3 kΩ
500 Ω
VBB = 2 V
50 Ω
VBB = −3 V
10%
10%
VIN
VIN
10%
90%
toff
VOUT
VOUT
90%
ton
10%
tstg
(Aにおける波形)
IC VCE
VCE(sat) IC
VBE(sat) IC
120
100
80
60
40
20
0
100
10
100
10
1
IC / IB = 10
Ta = 25°C
IB = 3.0 mA
2.5 mA
2.0 mA
1.5 mA
1.0 mA
Ta = −25°C
25°C
1
75°C
Ta = 75°C
−25°C
25°C
0.5 mA
0.1
0.01
0.1
0.01
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1
10
100
1000
1
10
100
(
)
V
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE
(
)
(
)
コレクタ電流 IC mA
コレクタ電流 IC mA
hFE IC
fT IE
Cob VCB
600
6
5
4
3
2
1
0
600
500
400
300
200
100
IE = 0
f = 1 MHz
Ta = 25°C
VCE = 1 V
VCB = 10 V
Ta = 25°C
500
400
300
200
100
0
Ta = 75°C
25°C
−25°C
0
−1
0.1
1
10
100
1
10
100
−10
−100
−1000
(
)
コレクタ電流 IC mA
(
)
( )
コレクタ・ベース間電圧 VCB V
エミッタ電流 IE mA
SJJ00188BJD
3
XP04654
Tr2部特性図
スイッチング時間測定回路
ton , toff test circuit
tstg test circuit
VBB
VCC = −1.5 V
62 Ω
VBB = −10 V VCC = −3 V
2 kΩ
508 Ω
34 Ω
30 Ω
VOUT
VOUT
0.1 µF
51 Ω
0.1 µF
51 Ω
52 Ω
VIN
VIN
0
10%
90%
0
VIN
VOUT
VIN
VOUT
90%
90%
90%
10%
toff
VIN = 9.8 V
ton
VIN = −5.8 V
tstg
VIN = 9.0 V
VBB = Ground VBB = −8.0 V
IC VCE
VCE(sat) IC
VBE(sat) IC
−60
−50
−40
−30
−20
−10
0
−100
−10
−100
−10
IC / IB = 10
IC / IB = 10
Ta = 25°C
IB = −600 µA
−500 µA
−400 µA
Ta = 75°C
25°C
Ta = −25°C
25°C
75°C
−25°C
−300 µA
−200 µA
−1
−1
− 0.1
− 0.1
−100 µA
− 0.01
− 0.01
0
−2
−4
−6
−8
−10 −12
−1
−10
−100
−1000
−1
−10
−100
−1000
(
)
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE
V
(
)
コレクタ電流 IC mA
(
)
コレクタ電流 IC mA
hFE IC
fT IE
Cob VCB
2400
2000
1600
1200
800
400
0
240
200
160
120
80
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
VCB = −10 V
f = 200 MHz
Ta = 25°C
IE = 0
VCE = −10 V
f = 1 MHz
Ta = 25°C
Ta = 75°C
25°C
−25°C
40
0
1
10
100
− 0.1
−1
−10
−100
−1
( )
コレクタ・ベース間電圧 VCB V
−10
−100
(
)
(
)
エミッタ電流 IE mA
コレクタ電流 IC mA
SJJ00188BJD
4
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接
途
前
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に
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2003 SEP
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