T1551N [EUPEC]

Phase Control Thyristor; 相位控制晶闸管


型号：	T1551N
厂家：	EUPEC GMBH
描述：	Phase Control Thyristor 相位控制晶闸管
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Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T 1551N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

4800

5200

5000 V

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DRM,V_RRM

^PerK^iode^isn^cn^heda^Vt^oe^rwn^{ärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung}

^{repetitive peak forward off-state and re}E^verl^se^{e v}k^oltt^agr^eische Eigenschaften

3920 A

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

I_TRMSM

1830 A

2500 A

Dauergrenzstrom

average on-state current

T_C= 85 °C

T_C= 60 °C

I_TAVM

44000 A

43000 A

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I_TSM

9680 10³ A²s

9250 10³ A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

DIN IEC 60747-6

f = 50 Hz, i_GM= 3 A, di_G/dt = 6 A/µs

300 A/µs

Kritische Stromsteilheit

critical rate of rise of on-state current

(di_T/dt)_cr

(dv_D/dt)_cr

2000 V/µs

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

5.Kennbuchstabe / 5^thletter H

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

on-state voltage

typ.

max.

1,57 V

1,7 V

T_vj= T_{vj max}, i_T= 2000A

v_T

typ.

max.

0,88 V

0,92 V

Schleusenspannung

threshold voltage

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

typ. 0,345 mΩ

max. 0,39 mΩ

Ersatzwiderstand

slope resistance

T_vj= T_{vj max}

r_T

typ.

0,497

Durchlaßkennlinie

on-state characteristic

200A ≤ i_F≤ 2500A

T_vj= T_{vj max}

0,000137

-0,0127

0,02

max.

0,539

v_T= A + B ⋅ i_T+ C ⋅ Ln(i_T+ 1) + D ⋅ i_T

0,000193

0,00534

0,0164

350

Zündstrom

gate trigger current

T_vj= 25°C, v_D= 12 V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

max.

2,5

Zündspannung

gate trigger voltage

max.

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

T_vj= T_{vj max}, v_D= 12 V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

20 mA

10 mA

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

0,4 V

350 mA

3 A

Haltestrom

holding current

T_vj= 25°C, v_D= 12 V

Einraststrom

latching current

T_vj= 25°C, v_D= 12 V, R_GK≥ 10 Ω

i_GM= 3 A, di_G/dt = 6 A/µs, t_g= 20 µs

I_L

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

T_vj= T_{vj max}

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

i_D, i_R

400 mA

2 µs

Zündverzug

DIN IEC 60747-6

t_gd

gate controlled delay time

T_vj= 25 °C,i_GM= 3 A, di_G/dt = 6 A/µs

C. Schneider

date of publication: 2006-05-05

revision:

prepared by:

approved by: J. Przybilla

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Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T 1551N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Charakteristische Werte / Characteristic values

typ.

450 µs

15 mAs

Freiwerdezeit

circuit commutated turn-off time

T_vj= T_{vj max}, i_TM= I_TAVM

t_q

v_RM= 100 V, v_DM= 0,67 V_DRM

Thermische Eigenschaften

dv_D/dt = 20 V/µs, -di_T/dt = 10 A/µs

4.Kennbuchstabe / 4^thletter O

Mechanische Eigenschaften

max.

Sperrverzögerungsladung

recovered charge

T_vj= T_{vj max}

Q_r

i_TM= I_TAVM, -di_T/dt = 10 A/µs

V_R= 0,5V_RRM, V_RM= 0,8V_RRM

320

Rückstromspitze

T_vj= T_{vj max}

I_RM

peak reverse recovery current

i_TM= I_TAVM, -di_T/dt = 10 A/µs

V_R= 0,5V_RRM, V_RM= 0,8V_RRM

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junction to case

Kühlfläche / cooling surface

beidseitig / two-sided, θ = 180°sin

beidseitig / two-sided, DC

Anode / anode, DC

R_thJC

max. 0,0086 °C/W

max. 0,008

max. 0,015

max. 0,017

°C/W

Kathode / cathode, DC

Kühlfläche / cooling surface

beidseitig / two-sided

einseitig / single-sided

Übergangs-Wärmewiderstand

thermal resistance, case to heatsink

R_thCH

0,0025

0,005

max.

°C/W

125 °C

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

maximum junction temperature

T_{vj max}

T_{c op}

T_stg

Betriebstemperatur

operating temperature

-40...+125 °C

-40...+150 °C

Lagertemperatur

storage temperature

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage

case, see annex

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Si-Element mit Druckkontakt

Si-pellet with pressure contact

Anpresskraft

36...52 kN

clamping force

Steueranschlüsse

control terminals

DIN 46244

Gate

Kathode /Cathode

A 4,8x0,8

A 6,3x0,8

Gewicht

weight

typ.

1500 g

Kriechstrecke

creepage distance

33 mm

50 m/s²

Schwingfestigkeit

f = 50 Hz

vibration resistance

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Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

T 1551N

Phase Control Thyristor

Maßbild

1: Anode/Anode

2: Kathode/Cathode

4: Gate

4 5

5: Hilfskathode/

Cathode (control terminal)

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Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T 1551N

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z _thJC

Analytical elements of transient thermal impedance Z _thJC

R,t – Werte

Pos. n

0,0016

1,72

R,T-Werte

0,0022

0,39

0,0008

0,16

0,0028

0,12

0,0006

0,005

0,0006

0,005

0,0006

0,005

R_thn[°C/W]

beidseitig

two-sided

τ_n[s]

0,008

8,5

0,0028

0,5

0,0008

0,16

0,0028

0,12

R_thn[°C/W]

anodenseitig

anode-sided

τ_n[s]

0,01000

0,0028

0,5

0,0008

0,16

0,0028

0,12

R_thn[°C/W]

kathodenseitig

cathode-sided

τ_n[s]

n_max

-t

τ_n

Analytische Funktion / Analytical function:

−

Z_thJC

R_thn1 e

n=1

0,02

0,016

0,012

0,008

0,004

0,001

0,01

0,1

100

t [s]

Transienter innerer Wärmewiderstand für DC/ Transient thermal impedance Z _thJC= f(t) for DC

a : Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling

b : Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling

c : Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling

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Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

T 1551N

Phase Control Thyristor

3000

Diagramme

Durchlasskennlinie

2500

2000

1500

1000

500

max.

typ.

0,5

1,5

v_T[V]

Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic i_T= f(v_T)

T_vj= T_{vj max}

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Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

T 1551N

Phase Control Thyristor

Durchlassverluste

-40°C

+25°C

v_G[V]

+125°C

0,5

0,2

100

200

500

1000

2000

5000 10000

i_G[mA]

Steuercharakteristik v_G= f (i_G) mit Zündbereichen für V_D= 12 V

Gate characteristic v_G= f (i_G) with triggering area for V_D= 12 V

Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation P_GM= f (t_g) :

a - 20 W/10ms b - 40 W/1ms c - 60 W/0,5ms

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Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

T 1551N

Phase Control Thyristor

Tc beidseitig

-di/dt [A/µs]

Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Q_r= f(-di/dt)

T_vj=T_vjmax, v_R=0,5 V_RRM, V_RM=0,8 V_RRM

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Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

T 1551N

Phase Control Thyristor

800

Ta bei Sinus

700

600

500

400

300

200

100

-di/dt [A/µs]

Rückstromspitze / Peak reverse recovery current I_RM= f(-di/dt)

T_vj=T_vjmax, v_R=0,5 V_RRM, V_RM=0,8 V_RRM

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Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

T 1551N

Phase Control Thyristor

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