F4-15MR12W2M1_B76 [INFINEON]
PressFIT;
| 型号： | F4-15MR12W2M1_B76 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | PressFIT |
| 文件： | 总9页 (文件大小：637K) |
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F4-15MR12W2M1_B76
EasyPACK™ꢀModulꢀmitꢀCoolSiC™ꢀTrenchꢀMOSFETꢀundꢀPressFITꢀ/ꢀNTC
EasyPACK™ꢀmoduleꢀwithꢀCoolSiC™ꢀTrenchꢀMOSFETꢀandꢀPressFITꢀ/ꢀNTC
VorläufigeꢀDatenꢀ/ꢀPreliminaryꢀData
VDSS = 1200V
ID nom = 75A / IDRM = 150A
PotentielleꢀAnwendungen
• AnwendungenꢀmitꢀhohenꢀSchaltfrequenzen
• DC/DCꢀWandler
PotentialꢀApplications
• HighꢀFrequencyꢀSwitchingꢀapplication
• DC/DCꢀconverter
• Schnellladesäulen
• DCꢀchargerꢀforꢀEV
• Schweißen
• Welding
ElektrischeꢀEigenschaften
• HoheꢀStromdichte
ElectricalꢀFeatures
• Highꢀcurrentꢀdensity
• Lowꢀinductiveꢀdesign
• Lowꢀswitchingꢀlosses
• NiederinduktivesꢀDesign
• NiedrigeꢀSchaltverluste
MechanischeꢀEigenschaften
• IntegrierterꢀNTCꢀTemperaturꢀSensor
• PressFITꢀVerbindungstechnik
MechanicalꢀFeatures
• IntegratedꢀNTCꢀtemperatureꢀsensor
• PressFITꢀcontactꢀtechnology
• Robuste Montage durch integrierte
• Rugged mounting due to integrated mounting
Befestigungsklammern
clamps
ProduktꢀVerifizierung
ProductꢀValidation
• Qualifiziert für Industrieanwendungen
entsprechend den relevanten Tests der IEC
60747,ꢀ60749ꢀandꢀ60068
• Qualified for industrial applications according to
the relevant tests of IEC 60747, 60749 and
60068
ModuleꢀLabelꢀCode
BarcodeꢀCodeꢀ128
ContentꢀofꢀtheꢀCode
ModuleꢀSerialꢀNumber
Digit
1ꢀ-ꢀꢀꢀ5
ModuleꢀMaterialꢀNumber
ProductionꢀOrderꢀNumber
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)
6ꢀ-ꢀ11
12ꢀ-ꢀ19
20ꢀ-ꢀ21
22ꢀ-ꢀ23
DMXꢀ-ꢀCode
Datasheet
PleaseꢀreadꢀtheꢀImportantꢀNoticeꢀandꢀWarningsꢀatꢀtheꢀendꢀofꢀthisꢀdocument
Vꢀ2.0
www.infineon.com
2020-08-18
F4-15MR12W2M1_B76
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
MOSFETꢀ/ꢀMOSFET
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
Drain-Source-Spannung
Drain-source voltage
Tvj = 25°C
VDSS
1200
75
V
A
A
V
Drain-Gleichstrom
DC drain current
Tvj = 175°C
VGS = 15 V
ID nom
ID pulse
VGSS
Gepulster Drainstrom
Pulsed drain current
verifiziert durch Design, tp limitiert durch Tvjmax
verified by design, tp limited by Tvjmax
150
Gate-Source Spannung
Gate-source voltage
-10 / 20
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Einschaltwiderstand
Drain-source on resistance
ID nom = 75 A
VGS = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
15,0
19,7
22,0
RDS on
mΩ
Gate-Schwellenspannung
Gate threshold voltage
ID = 30,0 mA, VDS = VGS
(tested after 1ms pulse at VGS = +20 V)
Tvj = 25°C
VGS(th) 3,45 4,50 5,55
V
Gesamt Gateladung
Total gate charge
VGS = -5 V / 15 V
VDS = 800 V
QG
RGint
Ciss
0,186
1,3
µC
Ω
Interner Gatewiderstand
Internal gate resistor
Tvj = 25°C
Tvj = 25°C
Tvj = 25°C
Tvj = 25°C
Tvj = 25°C
Tvj = 25°C
VGS = 20 V
Eingangskapazität
Input capacitance
f = 1 MHz, VGS = 0 V
VDS = 800 V
5,52
0,33
0,042
132
nF
nF
nF
µJ
Ausgangskapazität
Output capacitance
f = 1 MHz, VGS = 0 V
VDS = 800 V
Coss
Crss
EOSS
IDSX
IGSS
Rückwirkungskapazität
Reverse transfer capacitance
f = 1 MHz, VGS = 0 V
VDS = 800 V
COSS Speicherenergie
COSS stored energy
VDS = 800 V
VGS = -5 V / 15 V
Drain-Source-Reststrom
Drain-source leakage current
VDSS = 1200 V
VGS = -5 V
0,30 300 µA
Gate-Source-Reststrom
Gate-source leakage current
VDS = 0 V
Tvj = 25°C
400 nA
20,0
19,0
19,0
Einschaltverzögerungszeit, induktive Last
Turn on delay time, inductive load
ID nom = 75 A, RGon = 5,60 Ω
VDS = 600 V
VGS = -5 V / 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
td on
ns
ns
ns
ns
Anstiegszeit, induktive Last
Rise time, inductive load
ID nom = 75 A, RGon = 5,60 Ω
VDS = 600 V
VGS = -5 V / 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
16,0
15,0
15,0
tr
Abschaltverzögerungszeit, induktive Last
Turn off delay time, inductive load
ID nom = 75 A, RGoff = 3,90 Ω
VDS = 600 V
VGS = -5 V / 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
55,0
59,0
59,0
td off
Fallzeit, induktive Last
Fall time, inductive load
ID nom = 75 A, RGoff = 3,90 Ω
VDS = 600 V
VGS = -5 V / 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
23,0
24,0
24,0
tf
Einschaltverlustenergie pro Puls
Turn-on energy loss per pulse
ID nom = 75 A, VGS = -5 V / 15 V
VDS = 600 V, RGon = 5,60 Ω
LS = 35 nH
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1,25
1,44
1,51
Eon
mJ
mJ
di/dt = 3,91 kA/µs (Tvj op = 150°C)
Abschaltverlustenergie pro Puls
Turn-off energy loss per pulse
ID nom = 75 A, VGS = -5 V / 15 V
VDS = 600 V, RGoff = 3,90 Ω
LS = 35 nH
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,36
0,363
0,363
Eoff
du/dt = 28,9 kV/µs (Tvj op = 150°C)
Datasheet
2
Vꢀ2.0
2020-08-18
F4-15MR12W2M1_B76
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
min. typ. max.
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
Wärmewiderstand, Chip bis Kühlkörper
Thermal resistance, junction to heatsink
pro MOSFET / per MOSFET
RthJH
0,824
K/W
°C
Temperatur im Schaltbetrieb
Temperature under switching conditions
Tvj op
-40
150
BodyꢀDiodeꢀ/ꢀBodyꢀdiode
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
Body Diode-Gleichstrom
DC body diode forward current
Tvj = 175°C
VGS = -5 V
TH = 20°C
ISD
24
A
V
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
Durchlassspannung
Forward voltage
min. typ. max.
ISD = 75 A
VGS = -5 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
4,60 5,65
4,35
4,30
VDSR
NTC-Widerstandꢀ/ꢀNTC-Thermistor
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
5,00
Nennwiderstand
Ratedꢀresistance
TNTC = 25°C
R25
∆R/R
P25
kΩ
AbweichungꢀvonꢀR100
DeviationꢀofꢀR100
TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω
-5
5
%
Verlustleistung
Powerꢀdissipation
TNTC = 25°C
20,0 mW
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
B25/80
B25/100
3375
3411
3433
K
K
K
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
AngabenꢀgemäßꢀgültigerꢀApplicationꢀNote.
Specificationꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀvalidꢀapplicationꢀnote.
Datasheet
3
Vꢀ2.0
2020-08-18
F4-15MR12W2M1_B76
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Modulꢀ/ꢀModule
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
Isolationꢀtestꢀvoltage
VISOL
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
3,0
ꢀ kV
ꢀ
InnereꢀIsolation
Internalꢀisolation
Basisisolierungꢀ(Schutzklasseꢀ1,ꢀEN61140)
basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)
Al2O3
Kriechstrecke
Creepageꢀdistance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
11,5
6,3
ꢀ mm
ꢀ mm
ꢀ
Luftstrecke
Clearance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
10,0
5,0
VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung
Comperativeꢀtrackingꢀindex
CTI
RTI
> 200
RelativerꢀTemperaturindexꢀ(elektr.)
RTIꢀElec.
Gehäuse
housing
140
ꢀ °C
min. typ. max.
Modulstreuinduktivität
Strayꢀinductanceꢀmodule
LsCE
Tstg
F
9,0
nH
°C
N
Lagertemperatur
Storageꢀtemperature
-40
40
125
80
Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder
mountig force per clamp
-
Gewicht
Weight
G
39
g
The current under continuous operation is limited to 25 A rms per connector pin.
Important note: The selection of positive and negative gate-source voltages impacts the long-term behavior of the device. The design
guidelines described in Application Note AN 2018-09 must be considered to ensure sound operation of the device over the planned lifetime.
Datasheet
4
Vꢀ2.0
2020-08-18
F4-15MR12W2M1_B76
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
AusgangskennlinieꢀMOSFETꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀMOSFETꢀ(typical)
AusgangskennlinieꢀMOSFETꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀMOSFETꢀ(typical)
IDꢀ=ꢀfꢀ(VDS
IDꢀ=ꢀfꢀ(VDS
)
)
VGSꢀ=ꢀ15ꢀV
Tvjꢀ=ꢀ150°C
150
150
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VGS = 19 V
VGS = 17 V
VGS = 15 V
VGS = 13 V
VGS = 11 V
VGS = 9 V
VGS = 7 V
125
100
75
125
100
75
50
25
0
50
25
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
VDS [V]
2,5
3,0
3,5
4,0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
VDS [V]
ÜbertragungscharakteristikꢀMOSFETꢀ(typisch)
transferꢀcharacteristicꢀMOSFETꢀ(typical)
KapazitätsꢀCharakteristikꢀMOSFETꢀ(typisch)
capacityꢀcharacteristicꢀMOSFETꢀ(typical)
IDꢀ=ꢀfꢀ(VGS
)
Cꢀ=ꢀfꢀ(VDS)
VDSꢀ=ꢀ20ꢀV
VGSꢀ=ꢀ0ꢀV,ꢀTvjꢀ=ꢀ25°C,ꢀfꢀ=ꢀ1ꢀMHz
150
100
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Ciss
Coss
Crss
125
100
75
10
1
50
0,1
25
0
4
0,01
5
6
7
8
9
10
11
12
0,1
1
10
VDS [V]
100
1000
VGS [V]
Datasheet
5
Vꢀ2.0
2020-08-18
F4-15MR12W2M1_B76
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
SchaltverlusteꢀMOSFETꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀMOSFETꢀ(typical)
Eonꢀ=ꢀfꢀ(ID),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(ID)
SchaltverlusteꢀMOSFETꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀMOSFETꢀ(typical)
Eonꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(RG)
VGSꢀ=ꢀ-5ꢀVꢀ/ꢀ15ꢀV,ꢀRGonꢀ=ꢀ5,6ꢀΩ,ꢀRGoffꢀ=ꢀ3,9ꢀΩ,ꢀVDSꢀ=ꢀ600ꢀV
VGSꢀ=ꢀ-5ꢀVꢀ/ꢀ15ꢀV,ꢀIDꢀ=ꢀꢀ75ꢀA,ꢀVDSꢀ=ꢀ600ꢀV
2,8
10
Eon, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 125°C; Eoff, Tvj = 150°C
Eon, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 125°C; Eoff, Tvj = 150°C
2,6
2,4
2,2
2,0
1,8
1,6
1,4
1,2
1,0
0,8
0,6
0,4
0,2
0,0
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
25
50
75
ID [A]
100
125
150
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60
RG [Ω]
SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀMOSFETꢀ(RBSOA)
reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀMOSFETꢀ(RBSOA)
TransienterꢀWärmewiderstandꢀMOSFETꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀMOSFETꢀ
ZthJHꢀ=ꢀfꢀ(t)
IDꢀ=ꢀfꢀ(VDS
)
VGSꢀ=ꢀ-5ꢀVꢀ/ꢀ15ꢀV,ꢀRGꢀ=ꢀ3,9ꢀΩ,Tvjꢀ=ꢀ150°C
175
1
ID, Modul
ID, Chip
ZthJH: MOSFET
150
125
100
75
0,1
50
25
i:
ri[K/W]: 0,029
τi[s]: 0,00075 0,0104 0,0622 0,275
1
2
3
4
0,105 0,212 0,478
0
0,01
0,001
0
200
400
600
800
1000 1200 1400
0,01
0,1
t [s]
1
10
VDS [V]
Datasheet
6
Vꢀ2.0
2020-08-18
F4-15MR12W2M1_B76
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinieꢀ(typisch)
NTC-Thermistor-temperatureꢀcharacteristicꢀ(typical)
Rꢀ=ꢀfꢀ(TNTC
)
100000
Rtyp
10000
1000
100
0
25
50
75
TNTC [°C]
100
125
150
Datasheet
7
Vꢀ2.0
2020-08-18
F4-15MR12W2M1_B76
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Schaltplanꢀ/ꢀCircuitꢀdiagram
J
Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀPackageꢀoutlines
Infineon
Datasheet
8
Vꢀ2.0
2020-08-18
Trademarks
Allꢀreferencedꢀproductꢀorꢀserviceꢀnamesꢀandꢀtrademarksꢀareꢀtheꢀpropertyꢀofꢀtheirꢀrespectiveꢀowners.
ꢀ
ꢀ
ꢀ
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ꢀ
ꢀ
WICHTIGERꢀHINWEIS
DieꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀAngabenꢀstellenꢀkeinesfallsꢀGarantienꢀfürꢀdieꢀBeschaffenheitꢀoderꢀEigenschaftenꢀdesꢀProduktes
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einschließlich,ꢀohneꢀhieraufꢀbeschränktꢀzuꢀsein,ꢀdieꢀGewährꢀdafür,ꢀdassꢀkeinꢀgeistigesꢀEigentumꢀDritterꢀverletztꢀist.
DesꢀWeiterenꢀstehenꢀsämtliche,ꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀInformationen,ꢀunterꢀdemꢀVorbehaltꢀderꢀEinhaltungꢀderꢀinꢀdiesem
DokumentꢀfestgelegtenꢀVerpflichtungenꢀdesꢀKundenꢀsowieꢀallerꢀimꢀHinblickꢀaufꢀdasꢀProduktꢀdesꢀKundenꢀsowieꢀdieꢀNutzungꢀdesꢀInfineon
ProduktesꢀinꢀdenꢀAnwendungenꢀdesꢀKundenꢀanwendbarenꢀgesetzlichenꢀAnforderungen,ꢀNormenꢀundꢀStandardsꢀdurchꢀdenꢀKunden.
DieꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀDatenꢀsindꢀausschließlichꢀfürꢀtechnischꢀgeschultesꢀFachpersonalꢀbestimmt.ꢀDieꢀBeurteilungꢀder
EignungꢀdiesesꢀProduktesꢀfürꢀdieꢀbeabsichtigteꢀAnwendungꢀsowieꢀdieꢀBeurteilungꢀderꢀVollständigkeitꢀderꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenen
ProduktdatenꢀfürꢀdieseꢀAnwendungꢀobliegtꢀdenꢀtechnischenꢀFachabteilungenꢀdesꢀKunden.
SolltenꢀSieꢀvonꢀunsꢀweitereꢀInformationenꢀimꢀZusammenhangꢀmitꢀdemꢀProdukt,ꢀderꢀTechnologie,ꢀLieferbedingungenꢀbzw.ꢀPreisen
benötigen,ꢀwendenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀanꢀdasꢀnächsteꢀVertriebsbüroꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀ(www.infineon.com).
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ProduktꢀenthaltenenꢀSubstanzen,ꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀmitꢀdemꢀnächstenꢀVertriebsbüroꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀinꢀVerbindung.
SofernꢀInfineonꢀTechnologiesꢀnichtꢀausdrücklichꢀinꢀeinemꢀschriftlichen,ꢀvonꢀvertretungsberechtigtenꢀInfineonꢀMitarbeiternꢀunterzeichneten
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vernünftigerweiseꢀerwartetꢀwerdenꢀkann,ꢀdassꢀeinꢀFehlerꢀdesꢀProduktesꢀoderꢀdieꢀFolgenꢀderꢀNutzungꢀdesꢀProduktesꢀzu
Personenverletzungenꢀführen.
ꢀ
ꢀ
ꢀ
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(“Beschaffenheitsgarantie”).ꢀWithꢀrespectꢀtoꢀanyꢀexamples,ꢀhintsꢀorꢀanyꢀtypicalꢀvaluesꢀstatedꢀhereinꢀand/orꢀanyꢀinformationꢀregardingꢀthe
applicationꢀofꢀtheꢀproduct,ꢀInfineonꢀTechnologiesꢀherebyꢀdisclaimsꢀanyꢀandꢀallꢀwarrantiesꢀandꢀliabilitiesꢀofꢀanyꢀkind,ꢀincludingꢀwithout
limitationꢀwarrantiesꢀofꢀnon-infringementꢀofꢀintellectualꢀpropertyꢀrightsꢀofꢀanyꢀthirdꢀparty.
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applicableꢀlegalꢀrequirements,ꢀnormsꢀandꢀstandardsꢀconcerningꢀcustomer’sꢀproductsꢀandꢀanyꢀuseꢀofꢀtheꢀproductꢀofꢀInfineonꢀTechnologies
inꢀcustomer’sꢀapplications.
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departmentsꢀtoꢀevaluateꢀtheꢀsuitabilityꢀofꢀtheꢀproductꢀforꢀtheꢀintendedꢀapplicationꢀandꢀtheꢀcompletenessꢀofꢀtheꢀproductꢀinformationꢀgivenꢀin
thisꢀdocumentꢀwithꢀrespectꢀtoꢀsuchꢀapplication.
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Technologies,ꢀInfineonꢀTechnologies’ꢀproductsꢀmayꢀnotꢀbeꢀusedꢀinꢀanyꢀapplicationsꢀwhereꢀaꢀfailureꢀofꢀtheꢀproductꢀorꢀanyꢀconsequencesꢀof
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