F4-50R06W1E3 [INFINEON]
EasyPACK module with Trench/Fieldstopp IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / NTC; EasyPACK模块海沟/ Fieldstopp IGBT3和发射极控制二极管3和压接/ NTC型号: | F4-50R06W1E3 |
厂家: | Infineon |
描述: | EasyPACK module with Trench/Fieldstopp IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / NTC |
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
F4-50R06W1E3
EasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und NTC
EasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and NTC
ϑ
V†Š» = 600V
I† ÒÓÑ = 50A / I†ç¢ = 100A
Typische Anwendungen
Typical Applications
Hilfsumrichter
Auxiliary Inverters
Inductive Heating and Welding
Servo Drives
•
•
•
•
•
•
•
•
Induktives Erwärmen und Schweißen
Servoumrichter
USV-Systeme
UPS Systems
Elektrische Eigenschaften
Electrical Features
Niederinduktives Design
Niedrige Schaltverluste
Trench IGBT 3
Low inductive design
Low Switching Losses
Trench IGBT 3
•
•
•
•
•
•
•
•
niedriges V†ŠÙÈÚ
Low V†ŠÙÈÚ
Mechanische Eigenschaften
Mechanical Features
AlèOé Substrat für kleinen thermischen
Widerstand
AlèOé Substrate for Low Thermal Resistance
•
•
Kompaktes Design
Compact Design
•
•
•
•
•
•
Lötverbindungs Technologie
Solder Contact Technology
Robuste Montage durch integrierte
Befestigungsklammern
Rugged mounting due to integrated mounting
clamps
Module Label Code
Barcode Code 128
Content of the Code
Digit
Module Serial Number
1 - 5
Module Material Number
Production Order Number
Datecode (Production Year)
Datecode (Production Week)
6 - 11
12 - 19
20 - 21
22 - 23
DMX - Code
prepared by: DK
approved by: MB
date of publication: 2010-01-06
revision: 3.0
material no: 28311
UL approved (E83335)
1
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
F4-50R06W1E3
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
TÝÎ = 25°C
V†Š»
600
V
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
T† = 80°C, TÝÎ = 175°C
T† = 25°C, TÝÎ = 175°C
I† ÒÓÑ
I†
50
75
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
t« = 1 ms
I†ç¢
PÚÓÚ
100
225
A
W
V
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
T† = 25°C, TÝÎ = 175°C
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
V•Š»
+/-20
Charakteristische Werte / characteristic values
min. typ. max.
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
I† = 50 A, V•Š = 15 V
I† = 50 A, V•Š = 15 V
I† = 50 A, V•Š = 15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C V†Š ÙÈÚ
TÝÎ = 150°C
1,45 1,90
1,60
1,70
V
V
V
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
I† = 0,80 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C
V•Š = -15 V ... +15 V
V•ŠÚÌ
Q•
4,9
5,8
0,50
0,0
6,5
V
µC
Â
Gateladung
gate charge
Interner Gatewiderstand
internal gate resistor
TÝÎ = 25°C
R•ÍÒÚ
CÍþÙ
CØþÙ
I†Š»
I•Š»
Eingangskapazität
input capacitance
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V
V†Š = 600 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C
3,10
0,095
nF
nF
mA
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
1,0
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
400 nA
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn-on delay time (inductive load)
I† = 50 A, V†Š = 300 V
V•Š = ±15 V
R•ÓÒ = 8,2 Â
TÝÎ = 25°C
tÁ ÓÒ
0,023
0,023
0,023
µs
µs
µs
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
I† = 50 A, V†Š = 300 V
V•Š = ±15 V
R•ÓÒ = 8,2 Â
TÝÎ = 25°C
tØ
0,015
0,018
0,02
µs
µs
µs
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn-off delay time (inductive load)
I† = 50 A, V†Š = 300 V
V•Š = ±15 V
R•ÓËË = 8,2 Â
TÝÎ = 25°C
tÁ ÓËË
0,20
0,22
0,23
µs
µs
µs
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
I† = 50 A, V†Š = 300 V
V•Š = ±15 V
R•ÓËË = 8,2 Â
TÝÎ = 25°C
tË
0,10
0,13
0,14
µs
µs
µs
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
I† = 50 A, V†Š = 300 V, L» = 45 nH TÝÎ = 25°C
V•Š = ±15 V, di/dt = 2600 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C
0,46
0,56
0,65
mJ
mJ
mJ
EÓÒ
R•ÓÒ = 8,2 Â
TÝÎ = 150°C
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse
I† = 50 A, V†Š = 300 V, L» = 45 nH TÝÎ = 25°C
V•Š = ±15 V, du/dt = 4200 V/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C
1,20
1,50
1,60
mJ
mJ
mJ
EÓËË
R•ÓËË = 8,2 Â
TÝÎ = 150°C
Kurzschlussverhalten
SC data
V•Š ù 15 V, V†† = 360 V
V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt
t« ù 8 µs, TÝÎ = 25°C
t« ù 6 µs, TÝÎ = 150°C
350
250
A
A
IȠ
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro IGBT / per IGBT
pro IGBT / per IGBT
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)
RÚÌœ†
RÚ̆™
0,60 0,66 K/W
0,70 K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
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revision: 3.0
2
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
F4-50R06W1E3
Diode-Wechselrichter / diode-inverter
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
TÝÎ = 25°C
Vçç¢
IŒ
600
50
V
A
A
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
t« = 1 ms
IŒç¢
I²t
100
repetitive peak forward current
Grenzlastintegral
I²t - value
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 150°C
370
330
A²s
A²s
Charakteristische Werte / characteristic values
min. typ. max.
Durchlassspannung
forward voltage
IŒ = 50 A, V•Š = 0 V
IŒ = 50 A, V•Š = 0 V
IŒ = 50 A, V•Š = 0 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
1,55 1,95
1,50
1,45
V
V
V
VŒ
Iç¢
QØ
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
IŒ = 50 A, - diŒ/dt = 2600 A/µs (TÝÎ=150°C)
Vç = 300 V
V•Š = -15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
60,0
68,0
72,0
A
A
A
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
IŒ = 50 A, - diŒ/dt = 2600 A/µs (TÝÎ=150°C)
Vç = 300 V
V•Š = -15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
2,10
3,40
3,95
µC
µC
µC
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
IŒ = 50 A, - diŒ/dt = 2600 A/µs (TÝÎ=150°C)
Vç = 300 V
V•Š = -15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
0,42
0,71
0,83
mJ
mJ
mJ
EØþÊ
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Diode / per diode
pro Diode / per diode
RÚÌœ†
RÚ̆™
0,80 0,90 K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
0,70
K/W
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
NTC-Widerstand / NTC-thermistor
Charakteristische Werte / characteristic values
Nennwiderstand
rated resistance
min. typ. max.
5,00
T† = 25°C
Rèë
ÆR/R
Pèë
kÂ
%
Abweichung von Ræåå
deviation of Ræåå
T† = 100°C, Ræåå = 493 Â
-5
5
Verlustleistung
power dissipation
T† = 25°C
20,0 mW
B-Wert
B-value
Rè = Rèë exp [Bèëõëå(1/Tè - 1/(298,15 K))]
Rè = Rèë exp [Bèëõîå(1/Tè - 1/(298,15 K))]
Rè = Rèë exp [Bèëõæåå(1/Tè - 1/(298,15 K))]
Bèëõëå
Bèëõîå
Bèëõæåå
3375
3411
3433
K
K
K
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
Angaben gemäß gültiger Application Note.
Specification according to the valid application note.
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revision: 3.0
3
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
F4-50R06W1E3
Modul / module
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
insulation test voltage
Vš»¥¡
2,5
kV
Material für innere Isolation
material for internal insulation
AlèOé
Kriechstrecke
creepage distance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
11,5
6,3
mm
mm
Luftstrecke
clearance distance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
10,0
5,0
Vergleichszahl der Kriechwegbildung
comparative tracking index
CTI
LÙ†Š
> 200
min. typ. max.
20
Modulinduktivität
stray inductance module
nH
Modulleitungswiderstand,
Anschlüsse - Chip
module lead resistance,
terminals - chip
T† = 25°C, pro Schalter / per switch
R††óôŠŠó
8,00
mÂ
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper
TÝÎ ÑÈà
TÝÎ ÓÔ
TÙÚÃ
F
175
°C
°C
°C
N
Temperatur im Schaltbetrieb
temperature under switching conditions
-40
-40
20
150
125
50
Lagertemperatur
storage temperature
Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder
mountig force per clamp
-
Gewicht
weight
G
24
g
Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 30 A effektiv pro Anschlusspin begrenzt.
The current under continuous operation is limited to 30 A rms per connector pin.
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4
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
F4-50R06W1E3
Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch)
output characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V†Š)
Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch)
output characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V†Š)
TÝÎ = 150°C
V•Š = 15 V
100
100
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
V•Š = 19 V
V•Š = 17 V
V•Š = 15 V
V•Š = 13 V
V•Š = 11 V
V•Š = 9 V
90
90
80
80
70
60
50
40
30
20
10
0
70
60
50
40
30
20
10
0
0,0
0,5
1,0
1,5
V†Š [V]
2,0
2,5
3,0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0
V†Š [V]
Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch)
transfer characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V•Š)
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-inverter (typical)
EÓÒ = f (I†), EÓËË = f (I†)
V†Š = 20 V
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 8.2 Â, R•ÓËË = 8.2 Â, V†Š = 300 V
100
3,0
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
EÓÒ, TÝÎ = 125°C
EÓËË, TÝÎ = 125°C
EÓÒ, TÝÎ = 150°C
90
2,5
2,0
1,5
1,0
0,5
0,0
EÓËË, TÝÎ = 150°C
80
70
60
50
40
30
20
10
0
5
6
7
8 9
V•Š [V]
10
11
12
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
I† [A]
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5
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
F4-50R06W1E3
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-Inverter (typical)
EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)
Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.
transient thermal impedance IGBT-inverter
ZÚÌœ™ = f (t)
V•Š = ±15 V, I† = 50 A, V†Š = 300 V
6,0
10
EÓÒ, TÝÎ = 125°C
ZÚÌœ™ : IGBT
5,5
5,0
4,5
4,0
3,5
3,0
2,5
2,0
1,5
1,0
0,5
0,0
EÓËË, TÝÎ = 125°C
EÓÒ, TÝÎ = 150°C
EÓËË, TÝÎ = 150°C
1
0,1
i:
1
2
3
rÍ[K/W]: 0,074 0,173 0,526 0,527
4
τÍ[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
0,01
0,0001
0
10
20
30
40 50
R• [Â]
60
70
80
90
0,001
0,01
0,1
1
10
t [s]
Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)
reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)
I† = f (V†Š)
Durchlasskennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)
forward characteristic of diode-inverter (typical)
IŒ = f (VŒ)
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 8.2 Â, TÝÎ = 150°C
110
100
I†, Modul
I†, Chip
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
200
400
V†Š [V]
600
800
0,0
0,4
0,8
1,2
1,6
2,0
VŒ [V]
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6
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
F4-50R06W1E3
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (IŒ)
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (R•)
IŒ = 50 A, V†Š = 300 V
R•ÓÒ = 8.2 Â, V†Š = 300 V
1,4
1,2
EØþÊ, TÝÎ = 125°C
1,3
EØþÊ, TÝÎ = 125°C
EØþÊ, TÝÎ = 150°C
1,1
1,0
0,9
0,8
0,7
0,6
0,5
0,4
0,3
0,2
0,1
0,0
EØþÊ, TÝÎ = 150°C
1,2
1,1
1,0
0,9
0,8
0,7
0,6
0,5
0,4
0,3
0,2
0,1
0,0
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
IŒ [A]
0
10
20
30
40
50
R• [Â]
60
70
80
90
Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.
transient thermal impedance diode-inverter
ZÚÌœ™ = f (t)
NTC-Temperaturkennlinie (typisch)
NTC-temperature characteristic (typical)
R = f (T)
10
100000
ZÚÌœ™ : Diode
RÚáÔ
1
10000
1000
100
0,1
i:
1
2
3
rÍ[K/W]: 0,123 0,264 0,594 0,468
4
τÍ[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
0,01
0,0001
0,001
0,01
0,1
1
10
0
20
40
60
80
T† [°C]
100 120 140 160
t [s]
prepared by: DK
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date of publication: 2010-01-06
revision: 3.0
7
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
F4-50R06W1E3
Schaltplan / circuit diagram
ϑ
Gehäuseabmessungen / package outlines
Infineon
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date of publication: 2010-01-06
revision: 3.0
8
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
F4-50R06W1E3
Nutzungsbedingungen
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- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;
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date of publication: 2010-01-06
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