F4-50R07W1H3_B11A [INFINEON]
PressFIT;
| 型号： | F4-50R07W1H3_B11A |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | PressFIT |
| 文件： | 总10页 (文件大小：826K) |
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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F4-50R07W1H3_B11A
EasyPACKꢀModulꢀmitꢀschnellemꢀTrench/FeldstoppꢀIGBT3ꢀundꢀRapidꢀ1ꢀDiodeꢀundꢀPressFITꢀ/ꢀNTC
EasyPACKꢀmoduleꢀwithꢀfastꢀTrench/FieldstopꢀIGBT3ꢀandꢀRapidꢀ1ꢀdiodeꢀandꢀPressFITꢀ/ꢀNTC
J
VCES = 650V
IC nom = 25A / ICRM = 50A
TypischeꢀAnwendungen
TypicalꢀApplications
• AnwendungenꢀimꢀAutomobil
• AnwendungenꢀmitꢀhohenꢀSchaltfrequenzen
• DC/DCꢀWandler
• AutomotiveꢀApplications
• HighꢀFrequencyꢀSwitchingꢀApplication
• DC/DCꢀconverter
• Hilfsumrichter
• AuxiliaryꢀInverters
• Hybrid-Elektrofahrzeugeꢀ(H)EV
• InduktivesꢀErwärmenꢀundꢀSchweißen
• HybridꢀElectricalꢀVehiclesꢀ(H)EV
• InductiveꢀHeatingꢀandꢀWelding
ElektrischeꢀEigenschaften
• ErhöhteꢀSperrspannungsfestigkeitꢀaufꢀ650V
• HighꢀSpeedꢀIGBTꢀH3
ElectricalꢀFeatures
• Increasedꢀblockingꢀvoltageꢀcapabilityꢀtoꢀ650V
• HighꢀSpeedꢀIGBTꢀH3
• Lowꢀinductiveꢀdesign
• LowꢀSwitchingꢀLosses
• LowꢀVCEsat
• NiederinduktivesꢀDesign
• NiedrigeꢀSchaltverluste
• NiedrigesꢀVCEsat
MechanischeꢀEigenschaften
• 2,5ꢀkVꢀACꢀ1minꢀIsolationsfestigkeit
• GroßeꢀLuft-ꢀundꢀKriechstrecken
• PressFITꢀVerbindungstechnik
• RoHSꢀkonform
MechanicalꢀFeatures
• 2.5ꢀkVꢀACꢀ1minꢀInsulation
• HighꢀCreepageꢀandꢀClearanceꢀDistances
• PressFITꢀContactꢀTechnology
• RoHSꢀcompliant
• Robuste Montage durch integrierte
• Rugged mounting due to integrated mounting
Befestigungsklammern
clamps
ModuleꢀLabelꢀCode
BarcodeꢀCodeꢀ128
ContentꢀofꢀtheꢀCode
ModuleꢀSerialꢀNumber
Digit
1ꢀ-ꢀꢀꢀ5
ModuleꢀMaterialꢀNumber
ProductionꢀOrderꢀNumber
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)
6ꢀ-ꢀ11
12ꢀ-ꢀ19
20ꢀ-ꢀ21
22ꢀ-ꢀ23
DMXꢀ-ꢀCode
preparedꢀby:ꢀAS
approvedꢀby:ꢀTR
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2014-03-05
revision:ꢀ3.0
ULꢀapprovedꢀ(E83335)
1
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F4-50R07W1H3_B11A
IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emitterꢀvoltage
Tvj = 25°C
VCES
ICN
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
650
50
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
ImplementierterꢀKollektor-Strom
Implementedꢀcollectorꢀcurrent
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent
TC = 130°C, Tvj max = 175°C
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
IC nom
IC
25
55
A
A
PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom
Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent
tP = 1 ms
ICRM
Ptot
100
200
A
Gesamt-Verlustleistung
Totalꢀpowerꢀdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
ꢀ W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage
VGES
+/-20
ꢀ
V
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage
IC = 25 A, VGE = 15 V
IC = 25 A, VGE = 15 V
IC = 25 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1,50 1,85
1,55
1,60
V
V
V
VCE sat
Gate-Schwellenspannung
Gateꢀthresholdꢀvoltage
IC = 0,80 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
VGE = -15 V ... +15 V
VGEth
QG
4,9
5,8
0,50
0,0
6,5
V
µC
Ω
Gateladung
Gateꢀcharge
InternerꢀGatewiderstand
Internalꢀgateꢀresistor
Tvj = 25°C
RGint
Cies
Cres
ICES
IGES
td on
Eingangskapazität
Inputꢀcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
3,25
0,09
nF
nF
Rückwirkungskapazität
Reverseꢀtransferꢀcapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent
0,05 mA
400 nA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent
Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 25 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGon = 6,8 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,02
0,02
0,02
µs
µs
µs
Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 25 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGon = 6,8 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,01
0,011
0,012
µs
µs
µs
tr
td off
tf
Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 25 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGoff = 6,8 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,15
0,18
0,19
µs
µs
µs
Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast
Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 25 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGoff = 6,8 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,007
0,011
0,013
µs
µs
µs
EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
IC = 25 A, VCE = 300 V, LS = 25 nH
VGE = ±15 V, di/dt = 2300 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 6,8 Ω
Tvj = 25°C
0,21
0,32
0,35
mJ
mJ
mJ
Eon
Eoff
Tvj = 150°C
AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
IC = 25 A, VCE = 300 V, LS = 25 nH
VGE = ±15 V, du/dt = 4800 V/µs (Tvj = 150°C)Tvj = 125°C
RGoff = 6,8 Ω
Tvj = 25°C
0,22
0,35
0,38
mJ
mJ
mJ
Tvj = 150°C
Kurzschlußverhalten
SCꢀdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
tP ≤ 4 µs, Tvj = 150°C
280
A
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase
proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
RthJC
0,60 0,75 K/W
preparedꢀby:ꢀAS
approvedꢀby:ꢀTR
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2014-03-05
revision:ꢀ3.0
2
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F4-50R07W1H3_B11A
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
RthCH
Tvj op
0,75
K/W
°C
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
λPasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
150
Diode,ꢀWechselrichterꢀ/ꢀDiode,ꢀInverter
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
PeriodischeꢀSpitzensperrspannung
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
Tvj = 25°C
VRRM
IF
IFRM
I²t
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
650
25
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent
PeriodischerꢀSpitzenstrom
tP = 1 ms
50
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent
Grenzlastintegral
I²tꢀ-ꢀvalue
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
50,0
ꢀ A²s
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Durchlassspannung
Forwardꢀvoltage
IF = 25 A, VGE = 0 V
IF = 25 A, VGE = 0 V
IF = 25 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1,65 2,15
1,60
1,55
V
V
V
VF
IRM
Qr
Rückstromspitze
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent
IF = 25 A, - diF/dt = 2300 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 300 V
VGE = -15 V
35,0
40,0
41,0
A
A
A
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Sperrverzögerungsladung
Recoveredꢀcharge
IF = 25 A, - diF/dt = 2300 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 300 V
VGE = -15 V
0,96
1,60
1,75
µC
µC
µC
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
AbschaltenergieꢀproꢀPuls
Reverseꢀrecoveryꢀenergy
IF = 25 A, - diF/dt = 2300 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
0,21
0,35
0,39
mJ
mJ
mJ
VR = 300 V
VGE = -15 V
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
RthJC
RthCH
Tvj op
1,25 1,45 K/W
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
0,95
K/W
°C
λPasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
150
NTC-Widerstandꢀ/ꢀNTC-Thermistor
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
5,00
Nennwiderstand
Ratedꢀresistance
TC = 25°C
R25
∆R/R
P25
kΩ
AbweichungꢀvonꢀR100
DeviationꢀofꢀR100
TC = 100°C, R100 = 493 Ω
-5
5
%
Verlustleistung
Powerꢀdissipation
TC = 25°C
20,0 mW
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
B25/80
B25/100
3375
3411
3433
K
K
K
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
AngabenꢀgemäßꢀgültigerꢀApplicationꢀNote.
Specificationꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀvalidꢀapplicationꢀnote.
preparedꢀby:ꢀAS
approvedꢀby:ꢀTR
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2014-03-05
revision:ꢀ3.0
3
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F4-50R07W1H3_B11A
Modulꢀ/ꢀModule
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
Isolationꢀtestꢀvoltage
VISOL
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
2,5
ꢀ kV
InnereꢀIsolation
Internalꢀisolation
Basisisolierungꢀ(Schutzklasseꢀ1,ꢀEN61140)
basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)
impr.Al2O3
ꢀ
Kriechstrecke
Creepageꢀdistance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
11,5
6,3
ꢀ mm
ꢀ mm
ꢀ
Luftstrecke
Clearance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
10,0
5,0
VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung
Comperativeꢀtrackingꢀindex
CTI
> 200
min. typ. max.
Modulstreuinduktivität
Strayꢀinductanceꢀmodule
LsCE
15
nH
Modulleitungswiderstand,ꢀAnschlüsseꢀ-
Chip
TCꢀ=ꢀ25°C,ꢀproꢀSchalterꢀ/ꢀperꢀswitch
RCC'+EE'
5,50
mΩ
Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip
Lagertemperatur
Storageꢀtemperature
Tstg
F
-40
20
125
50
°C
N
Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder
mountig force per clamp
-
Gewicht
Weight
G
24
g
Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25 A effektiv pro Anschlusspin begrenzt.
The current under continuous operation is limited to 25 A rms per connector pin.
VGE muss im Kurzschluss auf 15V begrenzt werden (z.B. Klemmschaltung).
VGE has to be limited to 15V during shortcircuit (e.g. clamping).
preparedꢀby:ꢀAS
approvedꢀby:ꢀTR
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2014-03-05
revision:ꢀ3.0
4
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F4-50R07W1H3_B11A
AusgangskennlinieꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE
)
)
VGEꢀ=ꢀ15ꢀV
Tvjꢀ=ꢀ150°C
50
100
Tvj = -40°C
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VGE = 9V
VGE = 11V
VGE = 13V
VGE = 15V
VGE = 17V
45
40
35
30
25
20
15
10
5
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
VCE [V]
VCE [V]
ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
transferꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
Eonꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(IC)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VGE
)
VCEꢀ=ꢀ20ꢀV
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGonꢀ=ꢀ6.8ꢀΩ,ꢀRGoffꢀ=ꢀ6.8ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ300ꢀV
100
0,8
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Eon, Tvj = 25°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 25°C
Eoff, Tvj = 150°C
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0,7
0,6
0,5
0,4
0,3
0,2
0,1
0,0
0
5
6
7
8
9
10
11
12
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
VGE [V]
IC [A]
preparedꢀby:ꢀAS
approvedꢀby:ꢀTR
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2014-03-05
revision:ꢀ3.0
5
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F4-50R07W1H3_B11A
SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
Eonꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(RG)
TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,Wechselrichterꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,Inverterꢀ
ZthJHꢀ=ꢀfꢀ(t)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀICꢀ=ꢀ25ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ300ꢀV
0,8
10
Eon, Tvj = 25°C
Eon, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 25°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 150°C
ZthJH : IGBT
0,7
0,6
0,5
0,4
0,3
0,2
0,1
0,0
1
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,05
0,15 0,35 0,8
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
0,1
0,001
0
2
4
6
8
10
12
14
0,01
0,1
t [s]
1
10
RG [Ω]
SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
KapazitätsꢀCharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
capacityꢀcharcteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,Inverterꢀ(RBSOA)
Cꢀ=ꢀf(VCE)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGoffꢀ=ꢀ6.8ꢀΩ,ꢀTvjꢀ=ꢀ150°C
)
VGEꢀ=ꢀ0ꢀV,ꢀTvjꢀ=ꢀ25°C,ꢀfꢀ=ꢀ1MHz
10000
110
IC, Modul
IC, Chip
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1000
100
10
Cies
Coes
Cres
0
100
200
300
400
500
600
700
0
50 100 150 200 250 300 350 400 450 500
VCE [V]
VCE [V]
preparedꢀby:ꢀAS
approvedꢀby:ꢀTR
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2014-03-05
revision:ꢀ3.0
6
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F4-50R07W1H3_B11A
GateladungsꢀCharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
gateꢀchargeꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
VGEꢀ=ꢀf(QG)
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)
IFꢀ=ꢀfꢀ(VF)
ICꢀ=ꢀ25ꢀA,ꢀTvjꢀ=ꢀ25°C
15
50
VCC = 120V
VCC = 480V
Tvj = -40°C
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
13
45
11
9
7
40
35
30
25
20
15
10
5
5
3
1
-1
-3
-5
-7
-9
-11
-13
-15
0
0,0
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
QG [µC]
VF [V]
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)
Erecꢀ=ꢀfꢀ(IF)
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)
Erecꢀ=ꢀfꢀ(RG)
RGonꢀ=ꢀ6.8ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ300ꢀV
IFꢀ=ꢀ25ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ300ꢀV
0,6
0,6
Erec, Tvj = 25°C
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
0,5
Erec, Tvj = 25°C
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
0,5
0,4
0,3
0,2
0,1
0,0
0,4
0,3
0,2
0,1
0,0
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
0
2
4
6
8
10
12
14
IF [A]
RG [Ω]
preparedꢀby:ꢀAS
approvedꢀby:ꢀTR
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2014-03-05
revision:ꢀ3.0
7
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F4-50R07W1H3_B11A
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀInverterꢀ
ZthJHꢀ=ꢀfꢀ(t)
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinieꢀ(typisch)
NTC-Thermistor-temperatureꢀcharacteristicꢀ(typical)
Rꢀ=ꢀfꢀ(T)
10
100000
ZthJH : Diode
Rtyp
10000
1000
100
1
i:
1
2
0,6
3
4
ri[K/W]: 0,2
τi[s]:
0,9 0,5
0,0005 0,005 0,05 0,2
0,1
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
0
20
40
60
80
TC [°C]
100 120 140 160
preparedꢀby:ꢀAS
approvedꢀby:ꢀTR
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2014-03-05
revision:ꢀ3.0
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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F4-50R07W1H3_B11A
Schaltplanꢀ/ꢀcircuit_diagram_headline
J
Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀpackageꢀoutlines
GYYWW
Infineon
FxxxRxxW1xx
TM
EasyPIM
´
´
´
´
preparedꢀby:ꢀAS
approvedꢀby:ꢀTR
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2014-03-05
revision:ꢀ3.0
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IGBT-Module
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Nutzungsbedingungen
ꢀ
DieꢀinꢀdiesemꢀProduktdatenblattꢀenthaltenenꢀDatenꢀsindꢀausschließlichꢀfürꢀtechnischꢀgeschultesꢀFachpersonalꢀbestimmt.ꢀDieꢀBeurteilung
derꢀEignungꢀdiesesꢀProduktesꢀfürꢀIhreꢀAnwendungꢀsowieꢀdieꢀBeurteilungꢀderꢀVollständigkeitꢀderꢀbereitgestelltenꢀProduktdatenꢀfürꢀdiese
AnwendungꢀobliegtꢀIhnenꢀbzw.ꢀIhrenꢀtechnischenꢀAbteilungen.
InꢀdiesemꢀProduktdatenblattꢀwerdenꢀdiejenigenꢀMerkmaleꢀbeschrieben,ꢀfürꢀdieꢀwirꢀeineꢀliefervertraglicheꢀGewährleistungꢀübernehmen.ꢀEine
solcheꢀGewährleistungꢀrichtetꢀsichꢀausschließlichꢀnachꢀMaßgabeꢀderꢀimꢀjeweiligenꢀLiefervertragꢀenthaltenenꢀBestimmungen.ꢀGarantien
jeglicherꢀArtꢀwerdenꢀfürꢀdasꢀProduktꢀundꢀdessenꢀEigenschaftenꢀkeinesfallsꢀübernommen.ꢀDieꢀAngabenꢀinꢀdenꢀgültigenꢀAnwendungs-ꢀund
MontagehinweisenꢀdesꢀModulsꢀsindꢀzuꢀbeachten.
SolltenꢀSieꢀvonꢀunsꢀProduktinformationenꢀbenötigen,ꢀdieꢀüberꢀdenꢀInhaltꢀdiesesꢀProduktdatenblattsꢀhinausgehenꢀundꢀinsbesondereꢀeine
spezifischeꢀVerwendungꢀundꢀdenꢀEinsatzꢀdiesesꢀProduktesꢀbetreffen,ꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀmitꢀdemꢀfürꢀSieꢀzuständigenꢀVertriebsbüroꢀin
Verbindungꢀ(sieheꢀwww.infineon.com,ꢀVertrieb&Kontakt).ꢀFürꢀInteressentenꢀhaltenꢀwirꢀApplicationꢀNotesꢀbereit.
AufgrundꢀderꢀtechnischenꢀAnforderungenꢀkönnteꢀunserꢀProduktꢀgesundheitsgefährdendeꢀSubstanzenꢀenthalten.ꢀBeiꢀRückfragenꢀzuꢀdenꢀin
diesemꢀProduktꢀjeweilsꢀenthaltenenꢀSubstanzenꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀebenfallsꢀmitꢀdemꢀfürꢀSieꢀzuständigenꢀVertriebsbüroꢀinꢀVerbindung.
SolltenꢀSieꢀbeabsichtigen,ꢀdasꢀProduktꢀinꢀAnwendungenꢀderꢀLuftfahrt,ꢀinꢀgesundheits-ꢀoderꢀlebensgefährdendenꢀoderꢀlebenserhaltenden
Anwendungsbereichenꢀeinzusetzen,ꢀbittenꢀwirꢀumꢀMitteilung.ꢀWirꢀweisenꢀdaraufꢀhin,ꢀdassꢀwirꢀfürꢀdieseꢀFälle
-ꢀdieꢀgemeinsameꢀDurchführungꢀeinesꢀRisiko-ꢀundꢀQualitätsassessments;
-ꢀdenꢀAbschlussꢀvonꢀspeziellenꢀQualitätssicherungsvereinbarungen;
-ꢀdieꢀgemeinsameꢀEinführungꢀvonꢀMaßnahmenꢀzuꢀeinerꢀlaufendenꢀProduktbeobachtungꢀdringendꢀempfehlenꢀund
gegebenenfallsꢀdieꢀBelieferungꢀvonꢀderꢀUmsetzungꢀsolcherꢀMaßnahmenꢀabhängigꢀmachen.
Soweitꢀerforderlich,ꢀbittenꢀwirꢀSie,ꢀentsprechendeꢀHinweiseꢀanꢀIhreꢀKundenꢀzuꢀgeben.
InhaltlicheꢀÄnderungenꢀdiesesꢀProduktdatenblattsꢀbleibenꢀvorbehalten.
Termsꢀ&ꢀConditionsꢀofꢀusage
ꢀ
Theꢀdataꢀcontainedꢀinꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀisꢀexclusivelyꢀintendedꢀforꢀtechnicallyꢀtrainedꢀstaff.ꢀYouꢀandꢀyourꢀtechnicalꢀdepartmentsꢀwill
haveꢀtoꢀevaluateꢀtheꢀsuitabilityꢀofꢀtheꢀproductꢀforꢀtheꢀintendedꢀapplicationꢀandꢀtheꢀcompletenessꢀofꢀtheꢀproductꢀdataꢀwithꢀrespectꢀtoꢀsuch
application.
Thisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀisꢀdescribingꢀtheꢀcharacteristicsꢀofꢀthisꢀproductꢀforꢀwhichꢀaꢀwarrantyꢀisꢀgranted.ꢀAnyꢀsuchꢀwarrantyꢀisꢀgranted
exclusivelyꢀpursuantꢀtheꢀtermsꢀandꢀconditionsꢀofꢀtheꢀsupplyꢀagreement.ꢀThereꢀwillꢀbeꢀnoꢀguaranteeꢀofꢀanyꢀkindꢀforꢀtheꢀproductꢀandꢀits
characteristics.ꢀTheꢀinformationꢀinꢀtheꢀvalidꢀapplication-ꢀandꢀassemblyꢀnotesꢀofꢀtheꢀmoduleꢀmustꢀbeꢀconsidered.
Shouldꢀyouꢀrequireꢀproductꢀinformationꢀinꢀexcessꢀofꢀtheꢀdataꢀgivenꢀinꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀorꢀwhichꢀconcernsꢀtheꢀspecificꢀapplicationꢀof
ourꢀproduct,ꢀpleaseꢀcontactꢀtheꢀsalesꢀoffice,ꢀwhichꢀisꢀresponsibleꢀforꢀyouꢀ(ꢀseeꢀꢀwww.infineon.comꢀ).ꢀForꢀthoseꢀthatꢀareꢀspecifically
interestedꢀweꢀmayꢀprovideꢀapplicationꢀnotes.
Dueꢀtoꢀtechnicalꢀrequirementsꢀourꢀproductꢀmayꢀcontainꢀdangerousꢀsubstances.ꢀForꢀinformationꢀonꢀtheꢀtypesꢀinꢀquestionꢀpleaseꢀcontactꢀthe
salesꢀoffice,ꢀwhichꢀisꢀresponsibleꢀforꢀyou.
ShouldꢀyouꢀintendꢀtoꢀuseꢀtheꢀProductꢀinꢀaviationꢀapplications,ꢀinꢀhealthꢀorꢀliveꢀendangeringꢀorꢀlifeꢀsupportꢀapplications,ꢀpleaseꢀnotify.ꢀPlease
note,ꢀthatꢀforꢀanyꢀsuchꢀapplicationsꢀweꢀurgentlyꢀrecommend
-ꢀtoꢀperformꢀjointꢀRiskꢀandꢀQualityꢀAssessments;
-ꢀtheꢀconclusionꢀofꢀQualityꢀAgreements;
-ꢀtoꢀestablishꢀjointꢀmeasuresꢀofꢀanꢀongoingꢀproductꢀsurvey,ꢀandꢀthatꢀweꢀmayꢀmakeꢀdeliveryꢀdependedꢀon
theꢀrealizationꢀofꢀanyꢀsuchꢀmeasures.
Ifꢀandꢀtoꢀtheꢀextentꢀnecessary,ꢀpleaseꢀforwardꢀequivalentꢀnoticesꢀtoꢀyourꢀcustomers.
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