FS100R12KT3BOSA1 [INFINEON]

Insulated Gate Bipolar Transistor, 140A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ECONOPACK-35;


型号：	FS100R12KT3BOSA1
厂家：	Infineon
描述：	Insulated Gate Bipolar Transistor, 140A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ECONOPACK-35 局域网栅晶体管
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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FS100R12KT3

EconoPACK™3ꢀModulꢀmitꢀschnellemꢀTrench/FeldstopꢀIGBT3ꢀundꢀHighꢀEfficiencyꢀDiodeꢀ

EconoPACK™3ꢀwithꢀfastꢀtrench/fieldstopꢀIGBT3ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀHighꢀEfficiencyꢀdiodeꢀ

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Collector-emitterꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_CES

ꢀ

1200

ꢀ

Kollektor-Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent

T_C= 80°C, T_{vj max}= 150°C

T_C= 25°C, T_{vj max}= 150°C

I_{C nom}

I_C

100

140

PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom

Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

t_P= 1 ms

I_CRM

P_tot

200

480

Gesamt-Verlustleistung

Totalꢀpowerꢀdissipation

T_C= 25°C, T_{vj max}= 150

ꢀ W

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage

ꢀ

V_GES

+/-20

ꢀ

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage

I_C= 100 A, V_GE= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

1,70 2,15

1,90

V_{CE sat}

V_GEth

Q_G

Gate-Schwellenspannung

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_C= 4,00 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15 V ... +15 V

5,0

5,8

0,90

7,5

7,10

0,30

ꢀ

6,5

µC

Ω

Gateladung

Gateꢀcharge

ꢀ

InternerꢀGatewiderstand

Internalꢀgateꢀresistor

T_vj= 25°C

R_Gint

C_ies

Eingangskapazität

Inputꢀcapacitance

f = 1 MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

V_CE= 1200 V, V_GE= 0 V, T_vj= 25°C

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V, T_vj= 25°C

Rückwirkungskapazität

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

C_res

I_CES

I_GES

t_{d on}

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent

5,0 mA

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent

ꢀ

400 nA

µs

Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 100 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 3,9 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,26

0,29

ꢀ

µs

Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 100 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 3,9 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,03

0,05

µs

t_r

t_{d off}

t_f

Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 100 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 3,9 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,42

0,52

µs

Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 100 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 3,9 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,07

0,09

µs

EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 100 A, V_CE= 600 V, L_S= 70 nH

V_GE= ±15 V

R_Gon= 3,9 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

E_on

E_off

10,0

AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 100 A, V_CE= 600 V, L_S= 70 nH

V_GE= ±15 V

R_Goff= 3,9 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

ꢀ

Kurzschlußverhalten

SCꢀdata

V_GE≤ 15 V, V_CC= 900 V

V_CEmax= V_CES-L_sCE·di/dt

I_SC

ꢀ

t_P≤ 10 µs, T_vj= 125°C

400

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

ꢀ

0,26 K/W

K/W

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

0,09

_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

ꢀ

-40

ꢀ

125

°C

preparedꢀby:ꢀMM

approvedꢀby:ꢀRS

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03

revision:ꢀ2.1

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FS100R12KT3

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

Diode,ꢀWechselrichterꢀ/ꢀDiode,ꢀInverter

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

PeriodischeꢀSpitzensperrspannung

Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_RRM

I_F

I_FRM

I²t

ꢀ

1200

100

ꢀ

Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent

ꢀ

PeriodischerꢀSpitzenstrom

t_P= 1 ms

200

Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent

Grenzlastintegral

V_R= 0 V, t_P= 10 ms, T_vj= 125°C

I²tꢀ-ꢀvalue

1950

ꢀ A²s

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Durchlassspannung

Forwardꢀvoltage

I_F= 100 A, V_GE= 0 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

1,65 2,15

1,65

V_F

Rückstromspitze

Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent

I_F= 100 A, - di_F/dt = 2600 A/µs (T_vj=125°C) T_vj= 25°C

120

140

V_R= 600 V

V_GE= -15 V

T_vj= 125°C

I_RM

ꢀ

Sperrverzögerungsladung

Recoveredꢀcharge

I_F= 100 A, - di_F/dt = 2600 A/µs (T_vj=125°C) T_vj= 25°C

10,0

20,0

µC

V_R= 600 V

V_GE= -15 V

T_vj= 125°C

Q_r

AbschaltenergieꢀproꢀPuls

Reverseꢀrecoveryꢀenergy

I_F= 100 A, - di_F/dt = 2600 A/µs (T_vj=125°C) T_vj= 25°C

5,00

9,00

V_R= 600 V

V_GE= -15 V

T_vj= 125°C

E_rec

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

ꢀ

0,14

ꢀ

0,48 K/W

K/W

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

ꢀ

-40

125

°C

NTC-Widerstandꢀ/ꢀNTC-Thermistor

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Nennwiderstand

Ratedꢀresistance

T_C= 25°C

R₂₅

∆R/R

P₂₅

ꢀ

-5

ꢀ

5,00

ꢀ

kΩ

AbweichungꢀvonꢀR100

DeviationꢀofꢀR100

T_C= 100°C, R₁₀₀= 493 Ω

Verlustleistung

Powerꢀdissipation

T_C= 25°C

ꢀ

20,0 mW

B-Wert

B-value

R₂= R₂₅exp [B_25/50(1/T₂- 1/(298,15 K))]

R₂= R₂₅exp [B_25/80(1/T₂- 1/(298,15 K))]

R₂= R₂₅exp [B_25/100(1/T₂- 1/(298,15 K))]

B_25/50

B_25/80

B_25/100

ꢀ

3375

t.b.d.

ꢀ

B-Wert

B-value

ꢀ

B-Wert

B-value

ꢀ

AngabenꢀgemäßꢀgültigerꢀApplicationꢀNote.

Specificationꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀvalidꢀapplicationꢀnote.

preparedꢀby:ꢀMM

approvedꢀby:ꢀRS

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03

revision:ꢀ2.1

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FS100R12KT3

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

Modulꢀ/ꢀModule

Isolations-Prüfspannung

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min

Isolationꢀtestꢀvoltage

V_ISOL

ꢀ

2,5

ꢀ kV

MaterialꢀModulgrundplatte

Materialꢀofꢀmoduleꢀbaseplate

ꢀ

InnereꢀIsolation

Internalꢀisolation

Basisisolierungꢀ(Schutzklasseꢀ1,ꢀEN61140)

basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)

ꢀ

AI₂0₃

10,0

Kriechstrecke

Creepageꢀdistance

Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink

Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal

ꢀ

ꢀ mm

Luftstrecke

Clearance

Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink

Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal

7,5

VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung

Comperativeꢀtrackingꢀindex

ꢀ

CTI

> 225

ꢀ

min. typ. max.

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀModulꢀ/ꢀperꢀmodule

R_thCH

L_sCE

ꢀ

0,009

K/W

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀ/ꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

Modulstreuinduktivität

Strayꢀinductanceꢀmodule

ꢀ

Modulleitungswiderstand,ꢀAnschlüsseꢀ-

Chip

Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip

T_Cꢀ=ꢀ25°C,ꢀproꢀSchalterꢀ/ꢀperꢀswitch

ꢀ

R_CC'+EE'

ꢀ

1,80

mΩ

Lagertemperatur

Storageꢀtemperature

T_stg

-40

3,00

ꢀ

125 °C

6,00 Nm

Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀModulmontage

Mountingꢀtorqueꢀforꢀmodulꢀmounting

SchraubeꢀM5ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift

ScrewꢀM5ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote

Gewicht

Weight

ꢀ

300

ꢀ

preparedꢀby:ꢀMM

approvedꢀby:ꢀRS

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03

revision:ꢀ2.1

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FS100R12KT3

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

AusgangskennlinieꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_CE

)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_CE)

V_GEꢀ=ꢀ15ꢀV

T_vjꢀ=ꢀ125°C

200

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

V_GE= 19V

V_GE= 17V

V_GE= 15V

V_GE= 13V

V_GE= 11V

V_GE= 9V

180

160

140

120

100

180

160

140

120

100

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0

V_CE[V]

ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

transferꢀcharacteristicꢀꢀIGBT,Inverter(typical)

SchaltverlusteIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

E_onꢀ=ꢀfꢀ(I_C),ꢀE_offꢀ=ꢀfꢀ(I_C)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_GE

)

V_CEꢀ=ꢀ20ꢀV

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR_Gonꢀ=ꢀ3.9ꢀΩ,ꢀR_Goffꢀ=ꢀ3.9ꢀΩ,ꢀV_CEꢀ=ꢀ600ꢀV

200

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

E_on, T_vj= 125°C

E_off, T_vj= 125°C

180

160

140

120

100

100 125 150 175 200

I_C[A]

V_GE[V]

preparedꢀby:ꢀMM

approvedꢀby:ꢀRS

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03

revision:ꢀ2.1

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FS100R12KT3

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

SchaltverlusteIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

E_onꢀ=ꢀfꢀ(R_G),ꢀE_offꢀ=ꢀfꢀ(R_G)

TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,Wechselrichter

transientꢀthermalꢀimpedanceꢀꢀIGBT,Inverter

Z_thJCꢀ=ꢀfꢀ(t)

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀI_Cꢀ=ꢀ100ꢀA,ꢀV_CEꢀ=ꢀ600ꢀV

E_on, T_vj= 125°C

E_off, T_vj= 125°C

Z_thJC: IGBT

0,1

r_i[K/W]: 0,00493

0,01501 0,13088 0,10919

τ_i[s]:

0,0000119 0,002364 0,02601 0,06499

0,01

0,001

0,01

0,1

t [s]

R_G[Ω]

SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,Wechselrichter

(RBSOA)

reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀꢀIGBT,Inverterꢀ(RBSOA)

DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)

forwardꢀcharacteristicꢀofꢀꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)

I_Fꢀ=ꢀfꢀ(V_F)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_CE

)

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR_Goffꢀ=ꢀ3.9ꢀΩ,ꢀT_vjꢀ=ꢀ125°C

250

200

I_C, Modul

I_C, Chip

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

180

200

150

100

160

140

120

100

200

400

600

800

1000 1200 1400

0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4

V_CE[V]

V_F[V]

preparedꢀby:ꢀMM

approvedꢀby:ꢀRS

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03

revision:ꢀ2.1

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FS100R12KT3

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)

E_recꢀ=ꢀfꢀ(I_F)

SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)

E_recꢀ=ꢀfꢀ(R_G)

R_Gonꢀ=ꢀ3.9ꢀΩ,ꢀV_CEꢀ=ꢀ600ꢀV

I_Fꢀ=ꢀ100ꢀA,ꢀV_CEꢀ=ꢀ600ꢀV

E_rec, T_vj= 125°C

100 125 150 175 200

I_F[A]

R_G[Ω]

TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀWechselrichter

transientꢀthermalꢀimpedanceꢀꢀDiode,ꢀInverter

Z_thJCꢀ=ꢀfꢀ(t)

Z_thJC: Diode

0,1

r_i[K/W]: 0,00908

0,02726 0,24202 0,20164

0,0000119 0,002364 0,02601 0,06499

τ_i[s]:

0,01

0,001

0,01

0,1

t [s]

preparedꢀby:ꢀMM

approvedꢀby:ꢀRS

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03

revision:ꢀ2.1

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FS100R12KT3

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

Schaltplanꢀ/ꢀcircuit_diagram_headline

Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀpackageꢀoutlines

Infineon

preparedꢀby:ꢀMM

approvedꢀby:ꢀRS

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03

revision:ꢀ2.1

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FS100R12KT3

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

Nutzungsbedingungen

ꢀ

DieꢀinꢀdiesemꢀProduktdatenblattꢀenthaltenenꢀDatenꢀsindꢀausschließlichꢀfürꢀtechnischꢀgeschultesꢀFachpersonalꢀbestimmt.ꢀDieꢀBeurteilung

derꢀEignungꢀdiesesꢀProduktesꢀfürꢀIhreꢀAnwendungꢀsowieꢀdieꢀBeurteilungꢀderꢀVollständigkeitꢀderꢀbereitgestelltenꢀProduktdatenꢀfürꢀdiese

AnwendungꢀobliegtꢀIhnenꢀbzw.ꢀIhrenꢀtechnischenꢀAbteilungen.

InꢀdiesemꢀProduktdatenblattꢀwerdenꢀdiejenigenꢀMerkmaleꢀbeschrieben,ꢀfürꢀdieꢀwirꢀeineꢀliefervertraglicheꢀGewährleistungꢀübernehmen.ꢀEine

solcheꢀGewährleistungꢀrichtetꢀsichꢀausschließlichꢀnachꢀMaßgabeꢀderꢀimꢀjeweiligenꢀLiefervertragꢀenthaltenenꢀBestimmungen.ꢀGarantien

jeglicherꢀArtꢀwerdenꢀfürꢀdasꢀProduktꢀundꢀdessenꢀEigenschaftenꢀkeinesfallsꢀübernommen.ꢀDieꢀAngabenꢀinꢀdenꢀgültigenꢀAnwendungs-ꢀund

MontagehinweisenꢀdesꢀModulsꢀsindꢀzuꢀbeachten.

SolltenꢀSieꢀvonꢀunsꢀProduktinformationenꢀbenötigen,ꢀdieꢀüberꢀdenꢀInhaltꢀdiesesꢀProduktdatenblattsꢀhinausgehenꢀundꢀinsbesondereꢀeine

spezifischeꢀVerwendungꢀundꢀdenꢀEinsatzꢀdiesesꢀProduktesꢀbetreffen,ꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀmitꢀdemꢀfürꢀSieꢀzuständigenꢀVertriebsbüroꢀin

Verbindungꢀ(sieheꢀwww.infineon.com,ꢀVertrieb&Kontakt).ꢀFürꢀInteressentenꢀhaltenꢀwirꢀApplicationꢀNotesꢀbereit.

AufgrundꢀderꢀtechnischenꢀAnforderungenꢀkönnteꢀunserꢀProduktꢀgesundheitsgefährdendeꢀSubstanzenꢀenthalten.ꢀBeiꢀRückfragenꢀzuꢀdenꢀin

diesemꢀProduktꢀjeweilsꢀenthaltenenꢀSubstanzenꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀebenfallsꢀmitꢀdemꢀfürꢀSieꢀzuständigenꢀVertriebsbüroꢀinꢀVerbindung.

SolltenꢀSieꢀbeabsichtigen,ꢀdasꢀProduktꢀinꢀAnwendungenꢀderꢀLuftfahrt,ꢀinꢀgesundheits-ꢀoderꢀlebensgefährdendenꢀoderꢀlebenserhaltenden

Anwendungsbereichenꢀeinzusetzen,ꢀbittenꢀwirꢀumꢀMitteilung.ꢀWirꢀweisenꢀdaraufꢀhin,ꢀdassꢀwirꢀfürꢀdieseꢀFälle

-ꢀdieꢀgemeinsameꢀDurchführungꢀeinesꢀRisiko-ꢀundꢀQualitätsassessments;

-ꢀdenꢀAbschlussꢀvonꢀspeziellenꢀQualitätssicherungsvereinbarungen;

-ꢀdieꢀgemeinsameꢀEinführungꢀvonꢀMaßnahmenꢀzuꢀeinerꢀlaufendenꢀProduktbeobachtungꢀdringendꢀempfehlenꢀund

ꢀꢀgegebenenfallsꢀdieꢀBelieferungꢀvonꢀderꢀUmsetzungꢀsolcherꢀMaßnahmenꢀabhängigꢀmachen.

Soweitꢀerforderlich,ꢀbittenꢀwirꢀSie,ꢀentsprechendeꢀHinweiseꢀanꢀIhreꢀKundenꢀzuꢀgeben.

InhaltlicheꢀÄnderungenꢀdiesesꢀProduktdatenblattsꢀbleibenꢀvorbehalten.

Termsꢀ&ꢀConditionsꢀofꢀusage

ꢀ

Theꢀdataꢀcontainedꢀinꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀisꢀexclusivelyꢀintendedꢀforꢀtechnicallyꢀtrainedꢀstaff.ꢀYouꢀandꢀyourꢀtechnicalꢀdepartmentsꢀwill

haveꢀtoꢀevaluateꢀtheꢀsuitabilityꢀofꢀtheꢀproductꢀforꢀtheꢀintendedꢀapplicationꢀandꢀtheꢀcompletenessꢀofꢀtheꢀproductꢀdataꢀwithꢀrespectꢀtoꢀsuch

application.

Thisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀisꢀdescribingꢀtheꢀcharacteristicsꢀofꢀthisꢀproductꢀforꢀwhichꢀaꢀwarrantyꢀisꢀgranted.ꢀAnyꢀsuchꢀwarrantyꢀisꢀgranted

exclusivelyꢀpursuantꢀtheꢀtermsꢀandꢀconditionsꢀofꢀtheꢀsupplyꢀagreement.ꢀThereꢀwillꢀbeꢀnoꢀguaranteeꢀofꢀanyꢀkindꢀforꢀtheꢀproductꢀandꢀits

characteristics.ꢀTheꢀinformationꢀinꢀtheꢀvalidꢀapplication-ꢀandꢀassemblyꢀnotesꢀofꢀtheꢀmoduleꢀmustꢀbeꢀconsidered.

Shouldꢀyouꢀrequireꢀproductꢀinformationꢀinꢀexcessꢀofꢀtheꢀdataꢀgivenꢀinꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀorꢀwhichꢀconcernsꢀtheꢀspecificꢀapplicationꢀof

ourꢀproduct,ꢀpleaseꢀcontactꢀtheꢀsalesꢀoffice,ꢀwhichꢀisꢀresponsibleꢀforꢀyouꢀ(ꢀseeꢀꢀwww.infineon.comꢀ).ꢀForꢀthoseꢀthatꢀareꢀspecifically

interestedꢀweꢀmayꢀprovideꢀapplicationꢀnotes.ꢀ

Dueꢀtoꢀtechnicalꢀrequirementsꢀourꢀproductꢀmayꢀcontainꢀdangerousꢀsubstances.ꢀForꢀinformationꢀonꢀtheꢀtypesꢀinꢀquestionꢀpleaseꢀcontactꢀthe

salesꢀoffice,ꢀwhichꢀisꢀresponsibleꢀforꢀyou.

ShouldꢀyouꢀintendꢀtoꢀuseꢀtheꢀProductꢀinꢀaviationꢀapplications,ꢀinꢀhealthꢀorꢀliveꢀendangeringꢀorꢀlifeꢀsupportꢀapplications,ꢀpleaseꢀnotify.ꢀPlease

note,ꢀthatꢀforꢀanyꢀsuchꢀapplicationsꢀweꢀurgentlyꢀrecommend

-ꢀtoꢀperformꢀjointꢀRiskꢀandꢀQualityꢀAssessments;

-ꢀtheꢀconclusionꢀofꢀQualityꢀAgreements;

-ꢀtoꢀestablishꢀjointꢀmeasuresꢀofꢀanꢀongoingꢀproductꢀsurvey,ꢀandꢀthatꢀweꢀmayꢀmakeꢀdeliveryꢀdependedꢀon

ꢀꢀtheꢀrealizationꢀofꢀanyꢀsuchꢀmeasures.

Ifꢀandꢀtoꢀtheꢀextentꢀnecessary,ꢀpleaseꢀforwardꢀequivalentꢀnoticesꢀtoꢀyourꢀcustomers.

Changesꢀofꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀareꢀreserved.

preparedꢀby:ꢀMM

approvedꢀby:ꢀRS

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03

revision:ꢀ2.1

FS100R12KT3BOSA1 [INFINEON]

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