FS50R12W2T4_技术文档

Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-modules

FS50R12W2T4

EasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und NTC

EasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC

VorläufigeꢀDatenꢀ/ꢀpreliminaryꢀdata

V†Š»ꢀ=ꢀ1200V

I†ꢀÒÓÑꢀ=ꢀ50Aꢀ/ꢀI†ç¢ꢀ=ꢀ100A

TypischeꢀAnwendungen

Klimaanlagen

TypicalꢀApplications

Airconditions

• •

Motorantriebe

• •

MotorꢀDrives

Servoumrichter

ServoꢀDrives

• •

USVꢁSysteme

UPSꢀSystems

• •

ElektrischeꢀEigenschaften

ElectricalꢀFeatures

NiedrigeꢀSchaltverluste

LowꢀSwitchingꢀLosses

TrenchꢀIGBTꢀ4

• •

TrenchꢀIGBTꢀ4

• •

V†ŠÙÈÚꢀꢀmitꢀpositivemꢀTemperaturkoeffizienten

V†ŠÙÈÚꢀꢀwithꢀpositiveꢀTemperatureꢀCoefficient

LowꢀV†ŠÙÈÚ

• •

niedrigesꢀV†ŠÙÈÚ

• •

MechanischeꢀEigenschaften

MechanicalꢀFeatures

AlèOéꢀSubstratꢀfürꢀkleinenꢀthermischen

AlèOéꢀSubstrateꢀforꢀLowꢀThermalꢀResistance

• •

Widerstand

KompaktesꢀDesign

CompactꢀDesign

• •

LötverbindungsꢀTechnologie

• •

SolderꢀContactꢀTechnology

RobusteꢀMontageꢀdurchꢀintegrierte

Befestigungsklammern

Ruggedꢀmountingꢀdueꢀtoꢀintegratedꢀmounting

clamps

• •

ModuleꢀLabelꢀCode

BarcodeꢀCodeꢀ128

ContentꢀofꢀtheꢀCode

ꢀDigit

ModuleꢀSerialꢀNumber

ꢀꢀ1ꢀꢁꢀꢀꢀ5

ꢀꢀ6ꢀꢁꢀ11

12ꢀꢁꢀ19

20ꢀꢁꢀ21

22ꢀꢁꢀ23

ModuleꢀMaterialꢀNumber

ProductionꢀOrderꢀNumber

Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)

Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)

DMXꢀꢁꢀCode

preparedꢀby:ꢀDK

approvedꢀby:ꢀMB

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2009ꢁ10ꢁ30

revision:ꢀ2.4

materialꢀno:ꢀ30419

1

Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-modules

FS50R12W2T4

Vorläufige Daten

preliminary data

IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

KollektorꢁEmitterꢁSperrspannung

collectorꢁemitterꢀvoltage

TÝÎꢀ=ꢀ25°C

V†Š»

ꢀ

1200

ꢀ

V

KollektorꢁDauergleichstrom

DCꢁcollectorꢀcurrent

T†ꢀ=ꢀ100°C,ꢀTÝÎꢀ=ꢀ175°C

T†ꢀ=ꢀ25°C,ꢀTÝÎꢀ=ꢀ175°C

I†ꢀÒÓÑ

I†

50

83

A

PeriodischerꢀKollektorꢀSpitzenstrom

repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

t«ꢀ=ꢀ1ꢀms

I†ç¢

PÚÓÚ

100

335

A

W

V

GesamtꢁVerlustleistung

totalꢀpowerꢀdissipation

T†ꢀ=ꢀ25°C,ꢀTÝÎꢀ=ꢀ175°C

ꢀ

GateꢁEmitterꢁSpitzenspannung

gateꢁemitterꢀpeakꢀvoltage

V•Š»

+/ꢁ20

Charakteristische Werte / characteristic values

min. typ. max.

KollektorꢁEmitterꢀSättigungsspannung

collectorꢁemitterꢀsaturationꢀvoltage

I†ꢀ=ꢀ50ꢀA,ꢀV•Šꢀ=ꢀ15ꢀV

TÝÎꢀ=ꢀ25°C

TÝÎꢀ=ꢀ125°C V†ŠꢀÙÈÚ

TÝÎꢀ=ꢀ150°C

ꢀ

1,85 2,15

ꢀ

V

2,15

2,25

GateꢁSchwellenspannung

gateꢀthresholdꢀvoltage

I†ꢀ=ꢀ1,60ꢀmA,ꢀV†Šꢀ=ꢀV•Š,ꢀTÝÎꢀ=ꢀ25°C

V•Šꢀ=ꢀꢁ15ꢀVꢀ...ꢀ+15ꢀV

V•ŠÚÌ

Q•

5,2

5,8

0,38

4,0

2,80

0,10

ꢀ

6,4

V

ꢂC

Â

Gateladung

gateꢀcharge

ꢀ

InternerꢀGatewiderstand

internalꢀgateꢀresistor

TÝÎꢀ=ꢀ25°C

R•ÍÒÚ

CÍþÙ

CØþÙ

I†Š»

I•Š»

Eingangskapazität

inputꢀcapacitance

fꢀ=ꢀ1ꢀMHz,ꢀTÝÎꢀ=ꢀ25°C,ꢀV†Šꢀ=ꢀ25ꢀV,ꢀV•Šꢀ=ꢀ0ꢀV

V†Šꢀ=ꢀ1200ꢀV,ꢀV•Šꢀ=ꢀ0ꢀV,ꢀTÝÎꢀ=ꢀ25°C

V†Šꢀ=ꢀ0ꢀV,ꢀV•Šꢀ=ꢀ20ꢀV,ꢀTÝÎꢀ=ꢀ25°C

nF

Rückwirkungskapazität

reverseꢀtransferꢀcapacitance

KollektorꢁEmitterꢀReststrom

collectorꢁemitterꢀcutꢁoffꢀcurrent

1,0 mA

GateꢁEmitterꢀReststrom

gateꢁemitterꢀleakageꢀcurrent

ꢀ

100 nA

ꢂs

Einschaltverzögerungszeitꢀ(ind.ꢀLast)

turnꢁonꢀdelayꢀtimeꢀ(inductiveꢀload)

I†ꢀ=ꢀ50ꢀA,ꢀV†Šꢀ=ꢀ600ꢀV

V•Šꢀ=ꢀ±15ꢀV

R•ÓÒꢀ=ꢀ15ꢀÂ

TÝÎꢀ=ꢀ25°C

tÁꢀÓÒ

0,13

0,15

TÝÎꢀ=ꢀ125°C

ꢀ

ꢂs

TÝÎꢀ=ꢀ150°C

Anstiegszeitꢀ(induktiveꢀLast)

riseꢀtimeꢀ(inductiveꢀload)

I†ꢀ=ꢀ50ꢀA,ꢀV†Šꢀ=ꢀ600ꢀV

V•Šꢀ=ꢀ±15ꢀV

R•ÓÒꢀ=ꢀ15ꢀÂ

TÝÎꢀ=ꢀ25°C

0,02

0,03

0,035

ꢂs

tØ

TÝÎꢀ=ꢀ125°C

ꢀ

TÝÎꢀ=ꢀ150°C

Abschaltverzögerungszeitꢀ(ind.ꢀLast)

turnꢁoffꢀdelayꢀtimeꢀ(inductiveꢀload)

I†ꢀ=ꢀ50ꢀA,ꢀV†Šꢀ=ꢀ600ꢀV

V•Šꢀ=ꢀ±15ꢀV

R•ÓËËꢀ=ꢀ15ꢀÂ

TÝÎꢀ=ꢀ25°C

tÁꢀÓËË

0,30

0,38

0,40

ꢂs

TÝÎꢀ=ꢀ125°C

ꢀ

TÝÎꢀ=ꢀ150°C

Fallzeitꢀ(induktiveꢀLast)

fallꢀtimeꢀ(inductiveꢀload)

I†ꢀ=ꢀ50ꢀA,ꢀV†Šꢀ=ꢀ600ꢀV

V•Šꢀ=ꢀ±15ꢀV

R•ÓËËꢀ=ꢀ15ꢀÂ

TÝÎꢀ=ꢀ25°C

0,045

0,08

0,09

ꢂs

tË

TÝÎꢀ=ꢀ125°C

ꢀ

TÝÎꢀ=ꢀ150°C

EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

turnꢁonꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I†ꢀ=ꢀ50ꢀA,ꢀV†Šꢀ=ꢀ600ꢀV,ꢀL»ꢀ=ꢀ25ꢀnH TÝÎꢀ=ꢀ25°C

V•Šꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀdi/dtꢀ=ꢀ2000ꢀA/ꢂsꢀ(TÝÎ=150°C) TÝÎꢀ=ꢀ125°C

R•ÓÒꢀ=ꢀ15ꢀÂ

3,60

5,10

5,80

mJ

EÓÒ

EÓËË

TÝÎꢀ=ꢀ150°C

AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

turnꢁoffꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I†ꢀ=ꢀ50ꢀA,ꢀV†Šꢀ=ꢀ600ꢀV,ꢀL»ꢀ=ꢀ25ꢀnH TÝÎꢀ=ꢀ25°C

V•Šꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀdu/dtꢀ=ꢀ3800ꢀV/ꢂsꢀ(TÝÎ=150°C) TÝÎꢀ=ꢀ125°C

R•ÓËËꢀ=ꢀ15ꢀÂ

2,50

4,10

4,50

mJ

ꢀ

TÝÎꢀ=ꢀ150°C

Kurzschlussverhalten

SCꢀdata

V•Šꢀùꢀ15ꢀV,ꢀV††ꢀ=ꢀ800ꢀVꢀ

V†ŠÑÈàꢀ=ꢀV†Š»ꢀꢁLÙ†Šꢀꢃdi/dt

ꢀ ꢀ

t«ꢀùꢀ10ꢀꢂs,ꢀTÝÎꢀ=ꢀ150°C

ꢀ

180

ꢀ

A

I»†

ꢀ

InnererꢀWärmewiderstand

thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

ð«ÈÙÚþꢀ=ꢀ1ꢀW/(mꢃK)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀðÃØþÈÙþꢀ=ꢀ1ꢀW/(mꢃK)

RÚÌœ†

RÚÌ†™

0,40 0,45 K/W

0,65 K/W

ÜbergangsꢁWärmewiderstand

thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

preparedꢀby:ꢀDK

approvedꢀby:ꢀMB

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2009ꢁ10ꢁ30

revision:ꢀ2.4

2

Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-modules

FS50R12W2T4

Vorläufige Daten

preliminary data

Diode-Wechselrichter / diode-inverter

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

PeriodischeꢀSpitzensperrspannung

repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage

TÝÎꢀ=ꢀ25°C

Vçç¢

IŒ

ꢀ

1200

50

ꢀ

V

A

Dauergleichstrom

DCꢀforwardꢀcurrent

ꢀ

PeriodischerꢀSpitzenstrom

t«ꢀ=ꢀ1ꢀms

IŒç¢

I²t

100

repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent

Grenzlastintegral

I²tꢀꢁꢀvalue

Vçꢀ=ꢀ0ꢀV,ꢀt«ꢀ=ꢀ10ꢀms,ꢀTÝÎꢀ=ꢀ125°C

Vçꢀ=ꢀ0ꢀV,ꢀt«ꢀ=ꢀ10ꢀms,ꢀTÝÎꢀ=ꢀ150°C

385

355

A²s

Charakteristische Werte / characteristic values

min. typ. max.

Durchlassspannung

forwardꢀvoltage

IŒꢀ=ꢀ50ꢀA,ꢀV•Šꢀ=ꢀ0ꢀV

TÝÎꢀ=ꢀ25°C

TÝÎꢀ=ꢀ125°C

TÝÎꢀ=ꢀ150°C

ꢀ

1,70 2,15

V

VŒ

Iç¢

QØ

1,65

ꢀ

Rückstromspitze

peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent

IŒꢀ=ꢀ50ꢀA,ꢀꢁꢀdiŒ/dtꢀ=ꢀ2000ꢀA/ꢂsꢀ(TÝÎ=150°C)

Vçꢀ=ꢀ600ꢀV

V•Šꢀ=ꢀꢁ15ꢀV

TÝÎꢀ=ꢀ25°C

TÝÎꢀ=ꢀ125°C

TÝÎꢀ=ꢀ150°C

70,0

75,0

77,0

A

ꢀ

Sperrverzögerungsladung

recoveredꢀcharge

IŒꢀ=ꢀ50ꢀA,ꢀꢁꢀdiŒ/dtꢀ=ꢀ2000ꢀA/ꢂsꢀ(TÝÎ=150°C)

Vçꢀ=ꢀ600ꢀV

V•Šꢀ=ꢀꢁ15ꢀV

TÝÎꢀ=ꢀ25°C

TÝÎꢀ=ꢀ125°C

TÝÎꢀ=ꢀ150°C

5,50

8,80

10,0

ꢂC

AbschaltenergieꢀproꢀPuls

reverseꢀrecoveryꢀenergy

IŒꢀ=ꢀ50ꢀA,ꢀꢁꢀdiŒ/dtꢀ=ꢀ2000ꢀA/ꢂsꢀ(TÝÎ=150°C)

Vçꢀ=ꢀ600ꢀV

V•Šꢀ=ꢀꢁ15ꢀV

TÝÎꢀ=ꢀ25°C

TÝÎꢀ=ꢀ125°C

TÝÎꢀ=ꢀ150°C

1,70

3,20

3,60

mJ

EØþÊ

InnererꢀWärmewiderstand

thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode

RÚÌœ†

RÚÌ†™

ꢀ

0,65 0,75 K/W

ÜbergangsꢁWärmewiderstand

thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode

ð«ÈÙÚþꢀ=ꢀ1ꢀW/(mꢃK)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀðÃØþÈÙþꢀ=ꢀ1ꢀW/(mꢃK)

0,85

K/W

NTC-Widerstand / NTC-thermistor

Charakteristische Werte / characteristic values

Nennwiderstand

ratedꢀresistance

min. typ. max.

T†ꢀ=ꢀ25°C

Rèë

ÆR/R

Pèë

ꢀ

ꢁ5

ꢀ

5,00

ꢀ

kÂ

%

AbweichungꢀvonꢀRæåå

deviationꢀofꢀRæåå

T†ꢀ=ꢀ100°C,ꢀRæååꢀ=ꢀ493ꢀÂ

5

Verlustleistung

powerꢀdissipation

T†ꢀ=ꢀ25°C

ꢀ

20,0 mW

BꢁWert

Bꢁvalue

Rèꢀ=ꢀRèëꢀexpꢀ[Bèëõëå(1/Tèꢀꢁꢀ1/(298,15ꢀK))]

Rèꢀ=ꢀRèëꢀexpꢀ[Bèëõîå(1/Tèꢀꢁꢀ1/(298,15ꢀK))]

Rèꢀ=ꢀRèëꢀexpꢀ[Bèëõæåå(1/Tèꢀꢁꢀ1/(298,15ꢀK))]

Bèëõëå

Bèëõîå

Bèëõæåå

ꢀ

3375

3411

3433

ꢀ

K

BꢁWert

Bꢁvalue

ꢀ

BꢁWert

Bꢁvalue

ꢀ

Angaben gemäß gültiger Application Note.

Specification according to the valid application note.

preparedꢀby:ꢀDK

approvedꢀby:ꢀMB

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2009ꢁ10ꢁ30

revision:ꢀ2.4

3

Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-modules

FS50R12W2T4

Vorläufige Daten

preliminary data

Modul / module

IsolationsꢁPrüfspannung

RMS,ꢀfꢀ=ꢀ50ꢀHz,ꢀtꢀ=ꢀ1ꢀmin.

insulationꢀtestꢀvoltage

Vš»¥¡

ꢀ

2,5

ꢀ kV

MaterialꢀfürꢀinnereꢀIsolation

materialꢀforꢀinternalꢀinsulation

ꢀ

AlèOé

ꢀ

Kriechstrecke

creepageꢀdistance

KontaktꢀꢁꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsinkꢀ

KontaktꢀꢁꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal

11,5

6,3

ꢀ

ꢀ mm

Luftstrecke

clearanceꢀdistance

KontaktꢀꢁꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsinkꢀ

KontaktꢀꢁꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal

10,0

5,0

VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung

comparativeꢀtrackingꢀindex

ꢀ

CTI

>ꢀ200

ꢀ

min. typ. max.

Modulinduktivität

strayꢀinductanceꢀmodule

ꢀ

LÙ†Š

ꢀ

40

ꢀ

nH

mÂ

Modulleitungswiderstand,

AnschlüsseꢀꢁꢀChip

moduleꢀleadꢀresistance,

terminalsꢀꢁꢀchip

T†ꢀ=ꢀ25°C,ꢀproꢀSchalterꢀ/ꢀperꢀswitch

R††óôŠŠó

ꢀ

4,00

ꢀ

HöchstzulässigeꢀSperrschichttemperatur

maximumꢀjunctionꢀtemperature

Wechselrichter,ꢀBremsꢁChopperꢀ/ꢀInverter,ꢀBrakeꢁChopper TÝÎꢀÑÈà

Wechselrichter,ꢀBremsꢁChopperꢀ/ꢀInverter,ꢀBrakeꢁChopper TÝÎꢀÓÔ

ꢀ

175

150

125

80

°C

N

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

ꢁ40

40

ꢀ

Lagertemperatur

storageꢀtemperature

ꢀ

TÙÚÃ

F

ꢀ

Anpresskraftꢀfürꢀmech.ꢀBef.ꢀproꢀFeder

mountigꢀforceꢀperꢀclamp

ꢁ

Gewicht

weight

G

39

ꢀ

g

Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 30 A effektiv pro Anschlusspin begrenzt.

The current under continuous operation is limited to 30 A rms per connector pin.

preparedꢀby:ꢀDK

approvedꢀby:ꢀMB

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2009ꢁ10ꢁ30

revision:ꢀ2.4

4

Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-modules

FS50R12W2T4

Vorläufige Daten

preliminary data

AusgangskennlinieꢀIGBTꢁWechselr.ꢀ(typisch)

outputꢀcharacteristicꢀIGBTꢁinverterꢀ(typical)

I†ꢀ=ꢀfꢀ(V†Š)

AusgangskennlinienfeldꢀIGBTꢁWechselr.ꢀ(typisch)

outputꢀcharacteristicꢀIGBTꢁinverterꢀ(typical)

I†ꢀ=ꢀfꢀ(V†Š)

TÝÎꢀ=ꢀ150°C

V•Šꢀ=ꢀ15ꢀV

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

TÝÎꢀ=ꢀ25°C

TÝÎꢀ=ꢀ125°C

TÝÎꢀ=ꢀ150°C

V•Šꢀ=ꢀ19V

V•Šꢀ=ꢀ17V

V•Šꢀ=ꢀ15V

V•Šꢀ=ꢀ13V

V•Šꢀ=ꢀ11V

V•Šꢀ=ꢀꢀꢀ9V

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0

V†Šꢀ[V]

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0

V†Šꢀ[V]

ÜbertragungscharakteristikꢀIGBTꢁWechselr.ꢀ(typisch)

transferꢀcharacteristicꢀIGBTꢁinverterꢀ(typical)

I†ꢀ=ꢀfꢀ(V•Š)

SchaltverlusteꢀIGBTꢁWechselr.ꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀIGBTꢁinverterꢀ(typical)

EÓÒꢀ=ꢀfꢀ(I†),ꢀEÓËËꢀ=ꢀfꢀ(I†)

V†Šꢀ=ꢀ20ꢀV

V•Šꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR•ÓÒꢀ=ꢀ15ꢀÂ,ꢀR•ÓËËꢀ=ꢀ15ꢀÂ,ꢀV†Šꢀ=ꢀ600ꢀV

100

16

TÝÎꢀ=ꢀ25°C

TÝÎꢀ=ꢀ125°C

TÝÎꢀ=ꢀ150°C

EÓÒ,ꢀTÝÎꢀ=ꢀ125°C

EÓËË,ꢀTÝÎꢀ=ꢀ125°C

EÓÒ,ꢀTÝÎꢀ=ꢀ150°C

EÓËË,ꢀTÝÎꢀ=ꢀ150°C

90

14

12

10

8

80

70

60

50

40

30

20

10

0

6

4

2

0

5

6

7

8

9

V•Šꢀ[V]

10

11

12

13

0

10 20 30 40 50 60 70 80 90 100

I†ꢀ[A]

preparedꢀby:ꢀDK

approvedꢀby:ꢀMB

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2009ꢁ10ꢁ30

revision:ꢀ2.4

5

Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-modules

FS50R12W2T4

Vorläufige Daten

preliminary data

SchaltverlusteꢀIGBTꢁWechselr.ꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀIGBTꢁInverterꢀ(typical)

EÓÒꢀ=ꢀfꢀ(R•),ꢀEÓËËꢀ=ꢀfꢀ(R•)

TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBTꢁWechselr.

transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBTꢁinverter

ZÚÌœ™ꢀ=ꢀfꢀ(t)

V•Šꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀI†ꢀ=ꢀ50ꢀA,ꢀV†Šꢀ=ꢀ600ꢀV

14

10

EÓÒ,ꢀTÝÎꢀ=ꢀ125°C

EÓËË,ꢀTÝÎꢀ=ꢀ125°C

EÓÒ,ꢀTÝÎꢀ=ꢀ150°C

ZÚÌœ™ꢀ:ꢀIGBT

12

EÓËË,ꢀTÝÎꢀ=ꢀ150°C

10

1

8

6

4

2

0

0,1

i:ꢀꢀꢀ

1ꢀꢀꢀ

2ꢀꢀꢀ

3ꢀꢀꢀ

rÍ[K/W]:ꢀꢀꢀ0,042ꢀꢀꢀ 0,093ꢀꢀꢀ0,387ꢀꢀꢀ0,528ꢀꢀꢀ

4ꢀꢀꢀ

ꢀ

τ

ꢀꢀÍ[s]:ꢀꢀꢀ 0,0005ꢀꢀꢀ0,005ꢀꢀꢀ0,05ꢀꢀꢀ 0,2ꢀꢀꢀ

0,01

0

20

40

60

80

R•ꢀ[Â]

100

120

140

0,001

0,01

0,1

tꢀ[s]

1

10

SichererꢀRückwärtsꢁArbeitsbereichꢀIGBTꢁWr.ꢀ(RBSOA)

reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBTꢁinv.ꢀ(RBSOA)

I†ꢀ=ꢀfꢀ(V†Š)

DurchlasskennlinieꢀderꢀDiodeꢁWechselr.ꢀ(typisch)

forwardꢀcharacteristicꢀofꢀdiodeꢁinverterꢀ(typical)

IŒꢀ=ꢀfꢀ(VŒ)

V•Šꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR•ÓËËꢀ=ꢀ15ꢀÂ,ꢀTÝÎꢀ=ꢀ150°C

110

100

I†,ꢀModul

I†,ꢀChip

TÝÎꢀ=ꢀ25°C

TÝÎꢀ=ꢀ125°C

TÝÎꢀ=ꢀ150°C

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

200

400

600 800

V†Šꢀꢀ[V]

1000 1200 1400

0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4

VŒꢀ[V]

preparedꢀby:ꢀDK

approvedꢀby:ꢀMB

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2009ꢁ10ꢁ30

revision:ꢀ2.4

6

Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-modules

FS50R12W2T4

Vorläufige Daten

preliminary data

SchaltverlusteꢀDiodeꢁWechselr.ꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀdiodeꢁinverterꢀ(typical)

EØþÊꢀ=ꢀfꢀ(IŒ)

SchaltverlusteꢀDiodeꢁWechselr.ꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀdiodeꢁinverterꢀ(typical)

EØþÊꢀ=ꢀfꢀ(R•)

R•ÓÒꢀ=ꢀ15ꢀÂ,ꢀV†Šꢀ=ꢀ600ꢀV

IŒꢀ=ꢀ50ꢀA,ꢀV†Šꢀ=ꢀ600ꢀV

5,0

4,5

EØþÊ,ꢀTÝÎꢀ=ꢀ125°C

EØþÊ,ꢀTÝÎꢀ=ꢀ150°C

EØþÊ,ꢀTÝÎꢀ=ꢀ125°C

EØþÊ,ꢀTÝÎꢀ=ꢀ150°C

4,5

4,0

3,5

3,0

2,5

2,0

1,5

1,0

0,5

0,0

4,0

3,5

3,0

2,5

2,0

1,5

1,0

0,5

0,0

0

10 20 30 40 50 60 70 80 90 100

IŒꢀ[A]

0

20

40

60

80

R•ꢀ[Â]

100

120

140

TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiodeꢁWechselr.

transientꢀthermalꢀimpedanceꢀdiodeꢁinverter

ZÚÌœ™ꢀ=ꢀfꢀ(t)

NTCꢁTemperaturkennlinieꢀ(typisch)

NTCꢁtemperatureꢀcharacteristicꢀ(typical)

Rꢀ=ꢀfꢀ(T)

10

100000

ZÚÌœ™ꢀ:ꢀDiode

RÚáÔ

1

10000

1000

100

0,1

i:ꢀꢀꢀ

1ꢀꢀꢀ

2ꢀꢀꢀ

3ꢀꢀꢀ

rÍ[K/W]:ꢀꢀꢀ0,085ꢀꢀꢀ 0,197ꢀꢀꢀ0,605ꢀꢀꢀ0,614ꢀꢀꢀ

4ꢀꢀꢀ

ꢀ

τ

ꢀꢀÍ[s]:ꢀꢀꢀ 0,0005ꢀꢀꢀ0,005ꢀꢀꢀ0,05ꢀꢀꢀ 0,2ꢀꢀꢀ

0,01

0,001

0,01

0,1

tꢀ[s]

1

10

0

10 20 30 40 50 60 70 80 90 100110120130140

T†ꢀ[°C]

preparedꢀby:ꢀDK

approvedꢀby:ꢀMB

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2009ꢁ10ꢁ30

revision:ꢀ2.4

7

Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-modules

FS50R12W2T4

Vorläufige Daten

preliminary data

Schaltplan / circuit diagram

ϑ

Gehäuseabmessungen / package outlines

Infineon

preparedꢀby:ꢀDK

approvedꢀby:ꢀMB

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2009ꢁ10ꢁ30

revision:ꢀ2.4

8

Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-modules

FS50R12W2T4

Vorläufige Daten

preliminary data

Nutzungsbedingungen

Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die

Beurteilung der Eignung dieses Produktes für Ihre Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten

Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen.

In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung

übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen

Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen.

Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und

insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie

zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.infineon.com, Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application

Notes bereit.

Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen

zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro

in Verbindung.

Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder

lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle

- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;

- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;

- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und

gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen.

Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.

Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.

Terms & Conditions of usage

The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical

departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product

data with respect to such application.

This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is

granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the

product and its characteristics.

Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific

application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.infineon.com, sales&contact).

For those that are specifically interested we may provide application notes.

Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please

contact the sales office, which is responsible for you.

Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please

notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend

- to perform joint Risk and Quality Assessments;

- the conclusion of Quality Agreements;

- to establish joint measures of an ongoing product survey,

and that we may make delivery depended on the realization

of any such measures.

If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.

Changes of this product data sheet are reserved.

preparedꢀby:ꢀDK

approvedꢀby:ꢀMB

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2009ꢁ10ꢁ30

revision:ꢀ2.4

9


型号：	FS50R12W2T4
厂家：	Infineon
描述：	EasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC EasyPACK模块海沟/场终止IGBT 4和发射极控制二极管4和NTC 晶体二极管晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
文件：	总9页 (文件大小：495K)
中文：	中文翻译
下载：	下载PDF数据表文档文件

FS50R12W2T4 [INFINEON]

相关型号：

FS50R12W2T4B11BOMA1

FS50R12W2T4BOMA1

FS50R12W2T4_B11

FS50R17KE3_B17

FS50R17KE3_B17

FS50SM-06

FS50SM-06

FS50SM-06

FS50SM-2

FS50SM-2

FS50SM-2

FS50SM-3