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IPB65R045C7 [INFINEON]

650V CoolMOS™ C7 Power Transistor; 650V CoolMOSâ ?? ¢ C7功率晶体管
IPB65R045C7
型号： IPB65R045C7
厂家： Infineon    Infineon
描述：

650V CoolMOS™ C7 Power Transistor
650V CoolMOSâ ?? ¢ C7功率晶体管

晶体 晶体管
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IPB65R045C7ATMA1

 Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 650V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3/2

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IPB65R050CFD7A

 D2PAK 3 引脚封装中的 50mOhm IPB65R050CFD7A 是汽车级认证 650V CoolMOS™ SJ 功率 MOSFET CFD7A 系列中的一款产品。与上一代产品相比，CoolMOS™ CFD7A 具有更高的可靠性和功率密度，同时增强了设计灵活性。

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0 INFINEON

IPB65R065C7

 英飞凌的 CoolMOS™ C7 超结 MOSFET 系列是技术的一次突破性进步，在全球范围内实现了低 RDS(on)/封装，并且得益于其低开关损耗，可在全负载范围内提高效率。

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IPB65R075CFD7A

 D2PAK 3 引脚封装中的 50mOhm IPB65R050CFD7A 是汽车级认证 650V CoolMOS™ SJ 功率 MOSFET CFD7A 系列中的一款产品。与上一代产品相比，CoolMOS™ CFD7A 具有更高的可靠性和功率密度，同时增强了设计灵活性。

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IPB65R090CFD7

 英飞凌 650V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET IPB65R090CFD7 采用 D2PAK 封装，尤为适用于诸如服务器、电信、太阳能和电动汽车充电站等工业应用中的谐振拓扑结构。相较于竞品，该产品可显著提高效率。作为 CFD2 超结 MOSFET 系列的后续产品，IPB65R090CFD7 的栅极电荷更低，关断行为得以改善，反向恢复电荷较低，从而可显著提高效率与功率密度，且击穿电压可额外提高 50V。

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IPB65R095C7

 英飞凌的 CoolMOS™ C7 超结 MOSFET 系列是技术的一次突破性进步，在全球范围内实现了低 RDS(on)/封装，并且得益于其低开关损耗，可在全负载范围内提高效率。

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IPB65R099C6ATMA1

 Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3

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IPB65R110CFD

 650V CoolMOS™ CFD2 替代产品是600V CoolMOS™ CFD7

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IPB65R110CFD7

 英飞凌 650V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET IPB65R110CFD7 采用 D2PAK 封装，尤为适用于诸如服务器、电信、太阳能和电动汽车充电站等工业应用中的谐振拓扑结构。相较于竞品，该产品可显著提高效率。作为 CFD2 超结 MOSFET 系列的后续产品，IPB65R110CFD7 的栅极电荷更低，关断行为得以改善，反向恢复电荷较低，从而可显著提高效率与功率密度，且击穿电压可额外提高 50V。

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IPB65R110CFDA

 Power Field-Effect Transistor, 31.2A I(D), 650V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3/2

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IPB65R125C7

 英飞凌的 CoolMOS™ C7 超结 MOSFET 系列是技术的一次突破性进步，在全球范围内实现了低 RDS(on)/封装，并且得益于其低开关损耗，可在全负载范围内提高效率。

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IPB65R145CFD7A

 D2PAK 3 引脚封装中的 145 mOhm IPB65R145CFD7A 是汽车级认证 650V CoolMOS™ SJ 功率 MOSFET CFD7A 系列中的一款产品。与上一代产品相比，CoolMOS™ CFD7A 具有更高的可靠性和功率密度，同时增强了设计灵活性。

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IPB65R150CFD

 650V CoolMOS™ CFD2 替代产品是600V CoolMOS™ CFD7

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IPB65R150CFDA

 650V CoolMOS™ CFDA 超结 (SJ) MOSFET 是英飞凌第二代市场领先汽车应用高压 CoolMOS™ 功率 MOSFET。650V CoolMOS™ CFDA 系列产品不仅满足汽车行业的高质量和高可靠性要求，还集成快速体二极管。

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IPB65R150CFDAATMA1

 Power Field-Effect Transistor, 22.4A I(D), 650V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3/2

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2 INFINEON

IPB65R150CFDATMA1

 Power Field-Effect Transistor, 22.4A I(D), 650V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3

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1 INFINEON

IPB65R155CFD7

 英飞凌 650V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET IPB65R155CFD7 采用 D2PAK 封装，尤为适用于诸如服务器、电信、太阳能和电动汽车充电站等工业应用中的谐振拓扑结构。相较于竞品，该产品可显著提高效率。作为 CFD2 超结 MOSFET 系列的后续产品，IPB65R155CFD7 的栅极电荷更低，关断行为得以改善，反向恢复电荷较低，从而可显著提高效率与功率密度，且击穿电压可额外提高 50V。

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IPB65R190C6

 650V CoolMOS C6 Power Transistor

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63 INFINEON

IPB65R190C6ATMA1

 Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN

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2 INFINEON

IPB65R190C7

 英飞凌的 CoolMOS™ C7 超结 MOSFET 系列是技术的一次突破性进步，在全球范围内实现了低 RDS(on)/封装，并且得益于其低开关损耗，可在全负载范围内提高效率。

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