IPN10EL-S_15 [INFINEON]
Material Content Data Sheet;型号: | IPN10EL-S_15 |
厂家: | Infineon |
描述: | Material Content Data Sheet |
文件: | 总1页 (文件大小:32K) |
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Material Content Data Sheet
Sales Product Name IPN10EL-S
Issued
7. October 2015
82.70 mg
MA#
MA001055724
PG-SSOP-14-5
Package
Weight*
Average
Mass
[%]
Average
CAS#
Weight
[mg]
Sum
Mass
[%]
Sum
Construction Element
Material Group
Substances
[ppm]
if applicable
[ppm]
chip
inorganic material
inorganic material
non noble metal
non noble metal
non noble metal
non noble metal
organic material
plastics
silicon
7440-21-3
7723-14-0
7440-66-6
7439-89-6
7440-50-8
7440-50-8
1333-86-4
-
1.056
0.009
0.034
0.689
27.978
0.079
0.101
4.664
45.931
0.988
0.768
0.101
0.304
1.28
0.01
0.04
0.83
33.83
0.10
0.12
5.64
55.53
1.20
0.93
0.12
0.37
1.28
12770
104
12770
leadframe
phosphorus
zinc
417
iron
8332
338295
958
copper
34.71
0.10
347148
958
wire
copper
encapsulation
carbon black
epoxy resin
silicondioxide
tin
1226
56396
555373
11950
9282
1224
3673
inorganic material
non noble metal
noble metal
60676-86-0
7440-31-5
7440-22-4
-
61.29
1.20
0.93
612995
11950
9282
leadfinish
plating
glue
silver
plastics
epoxy resin
silver
noble metal
7440-22-4
0.49
4897
*deviation
< 10%
Sum in total: 100.00
1000000
Important Remarks:
1.
2.
3.
Infineon Technologies AG provides full material declaration based on information provided by third parties and
has taken and continues to take reasonable steps to provide representative and accurate information.
Infineon Technologies AG and Infineon Technologies AG suppliers consider certain information to be
proprietary, and thus CAS numbers and other limited information may not be available for release.
All statements are based on our present knowledge, are provided 'as is' and may be subject to change at any
time due to technical requirements and development without notification.
This product is in compliance with EU Directive 2011/65/EU (RoHS) and does not use any exemption.
Company
Address
Internet
Infineon Technologies AG
81726 München
www.infineon.com
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英飞凌正在拓展采用 SOT-223 封装的CoolMOS™ CE 产品组合,作为 DPAK 的一种高性价比替代产品,在某些设计中还可以减少占据的空间。此封装可以放置在典型的 DPAK 空间,且在热行为上的影响极小。英飞凌的 SOT-223 面向 LED 照明和移动充电器应用。
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CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 专为解决低功率 SMPS 市场典型挑战而设计,具有优异性能和易用性,改进外形规格,提高价格竞争力。SOT-223 封装是高成本效益的一对一插入式 DPAK 替代产品,还能够减少部分设计的空间占用。该产品可在典型 DPAK 所占用空间中安放,具有与之相当的热性能。这一组合使采用SOT-223 封装的CoolMOS™ P7 完美适用于目标应用。
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600V CoolMOS™ PFD7 超结 MOSFET (IPN60R360PFD7S) 补充了CoolMOS™ 7,可用于消费类应用。采用 SOT-223 封装的 IPN60R360PFD7S,其 RDS(on) 为 360mOhm,降低了开关损耗。600V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFET 配置了快速体二极管,可确保器件坚固耐用,进而为客户减少物料清单(BOM)。英飞凌先进的 SMD 封装进一步减少了 PCB 空间,可促进生产。
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CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 专为解决低功率 SMPS 市场典型挑战而设计,具有优异性能和易用性,改进外形规格,提高价格竞争力。SOT-223 封装是高成本效益的一对一插入式 DPAK 替代产品,还能够减少部分设计的空间占用。该产品可在典型 DPAK 所占用空间中安放,具有与之相当的热性能。这一组合使采用SOT-223 封装的CoolMOS™ P7 完美适用于目标应用。
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600V CoolMOS™ PFD7 超结 MOSFET (IPN60R600PFD7S) 补充了CoolMOS™ 7,可用于消费类应用。采用 SOT-223 封装的 IPN60R600PFD7S,其 RDS(on) 为 600mOhm,降低了开关损耗。600V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFET 配置了快速体二极管,可确保器件坚固耐用,进而为客户减少物料清单(BOM)。英飞凌先进的 SMD 封装进一步减少了 PCB 空间,可促进生产。
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CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 专为解决低功率 SMPS 市场典型挑战而设计,具有优异性能和易用性,改进外形规格,提高价格竞争力。SOT-223 封装是高成本效益的一对一插入式 DPAK 替代产品,还能够减少部分设计的空间占用。该产品可在典型 DPAK 所占用空间中安放,具有与之相当的热性能。这一组合使采用SOT-223 封装的CoolMOS™ P7 完美适用于目标应用。
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CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 专为解决低功率 SMPS 市场典型挑战而设计,具有优异性能和易用性,改进外形规格,提高价格竞争力。SOT-223 封装是高成本效益的一对一插入式 DPAK 替代产品,还能够减少部分设计的空间占用。该产品可在典型 DPAK 所占用空间中安放,具有与之相当的热性能。这一组合使采用SOT-223 封装的CoolMOS™ P7 完美适用于目标应用。
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800V CoolMOS™ P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用,可完全满足性能,易用性和性价比等市场需求。它主要侧重于反激式应用,包括适配器和充电器,LED驱动器,音频SMPS,辅助和工业电源。
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