Q62702-P885 [INFINEON]
Silicon Photodiode for the visible spectral range; 硅光电二极管的可见光谱范围
| 型号： | Q62702-P885 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Silicon Photodiode for the visible spectral range |
| 文件： | 总4页 (文件大小：141K) |
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BPW 21
Silizium-Fotodiode für den sichtbaren Spektralbereich
Silicon Photodiode for the visible spectral range
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
Features
● Speziell geeignet für Anwendungen im
● Especially suitable for applications from
Bereich von 350 nm bis 820 nm
350 nm to 820 nm
● Angepaßt an die Augenempfindlichkeit (V )
● Adapted to human eye sensitivity (V )
λ
λ
● Hermetisch dichte Metallbauform (ähnlich
● Hermetically sealed metal package (similar
TO-5)
to TO-5)
Anwendungen
Applications
● Belichtungsmesser für Tageslicht
● Für Kunstlicht mit hoher Farbtemperatur in
der Fotografie und Farbanalyse
● Exposure meter for daylight
● For artificial light of high color temperature in
photographic fields and color analysis
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
BPW 21
Q62702-P885
Semiconductor Group
1
1998-11-13
BPW 21
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Top; Tstg
– 40 ... + 80
235
°C
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom
Gehäuse entfernt bei Lötzeit t ≤ 3 s)
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (t ≤ 3 s)
TS
°C
Sperrspannung
Reverse voltage
VR
10
V
Verlustleistung, TA = 25 °C
Ptot
250
mW
Total power dissipation
Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K)
Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Fotoempfindlichkeit, VR = 5 V
10 (≥ 5.5)
nA/lx
S
Spectral sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
λS max
λ
550
nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von Smax
350 ... 820
nm
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of Smax
2
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
A
7.34
mm
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
L × B
2.73 × 2.73
mm × mm
Dimensions of radiant sensitive area
L × W
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-
fläche
1.9 ... 2.3
mm
H
Distance chip front to case surface
Halbwinkel
Half angle
ϕ
± 55
Grad
deg.
Semiconductor Group
2
1998-11-13
BPW 21
Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K)
Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K) (cont’d)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Dunkelstrom
Dark current
VR = 5 V
IR
IR
2 (≤ 30)
8 (≤ 200)
nA
pA
VR = 10 mV
Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 550 nm
Sλ
0.34
A/W
Spectral sensitivity
Quantenausbeute, λ = 550 nm
Quantum yield
η
0.80
Electrons
Photon
Leerlaufspannung, Ev = 1000 Ix
Open-circuit voltage
VO
ISC
tr, tf
400 (≥ 320)
10
mV
µA
µs
Kurzschlußstrom, Ev = 1000 Ix
Short-circuit current
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
RL = 1 kΩ; VR = 5 V; λ = 550 nm; Ip = 10 µA
1.5
Durchlaßspannung, IF = 100 mA, E = 0
VF
1.2
V
Forward voltage
Kapazität, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
C0
580
pF
Capacitance
Temperaturkoeffizient von VO
Temperature coefficient of VO
TCV
TCI
NEP
– 2.6
– 0.05
mV/K
%/K
Temperaturkoeffizient von ISC
Temperature coefficient of ISC
– 14
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
7.2 × 10
W
√Hz
VR = 5 V, λ = 550 nm
12
Nachweisgrenze, VR = 5 V, λ = 550 nm
D*
1 × 10
cm · √Hz
Detection limit
W
Semiconductor Group
3
1998-11-13
BPW 21
Relative spectral sensitivity
= f (λ)
Photocurrent I = f (E ), V = 5 V
Total power dissipation
= f (T
P
v
R
S
Open-circuit voltage V = f (E )
P
)
A
rel
O
v
tot
Dark current
= f (V )
Capacitance
Dark current
I = f (T ), V = 5 V
R
I
C = f (V ), f = 1 MHz, E = 0
R
R
R
A
R
Directional characteristics S = f (ϕ)
rel
Semiconductor Group
4
1998-11-13
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