SPLLL15 [INFINEON]
Optoelectronic Device, PLASTIC PACKAGE-3;
| 型号： | SPLLL15 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Optoelectronic Device, PLASTIC PACKAGE-3 光电 |
| 文件： | 总6页 (文件大小：71K) |
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Hybride Impuls-Laserdiode mit integrierter Treiberstufe
Hybrid Pulse Laser Diode with Integrated Driver Stage
SPL LLxx
Vorläufige Daten / Preliminary Data
Besondere Merkmale
Features
• Kleines kostengünstiges Plastik-Gehäuse
• Integriert sind ein FET und Kondensatoren zur
Impulsansteuerung
• InAlGaAs/GaAs kompressiv verspannte
Quantenfilmstruktur (λ < 1000 nm)
• InGaAsP/InP Quantenfilmstruktur
(λ = 1550 nm)
• Low cost, small size plastic package
• Integrated FET and capacitors for pulse control
• Strained InAlGaAs/GaAs QW-structures
(λ < 1000 nm)
• InGaAsP/InP QW-structures (λ = 1550 nm)
• High power large-optical-cavity laser structure
• λ = 1550 nm lasers for a better eye safety
• High-speed operation (< 10 ns pulse width)
• Low supply voltage (< 14 V)
• Hochleistungslaser mit „Large-Optical-Cavity“
(LOC) Struktur
• λ = 1550 nm Laser für größere Augensicherheit
• Schneller Betrieb (< 10 ns Impulsbreite)
• Niedrige Versorgungsspannung (< 14 V)
Anwendungen
Applications
• Entfernungsmessung
• Sicherheit, Überwachung
• Beleuchtung, Zündung
• Test- und Messsysteme
• Range finding
• Security, surveillance
• Illumination, ignition
• Testing and measurement
Sicherheitshinweise
Safety advices
Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile Depending on the mode of operation, these
hochkonzentrierte, nicht sichtbare Infrarot- devices emit highly concentrated non visible
Strahlung, die gefährlich für das menschliche infrared light which can be hazardous to the
Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile human eye. Products which incorporate these
enthalten, müssen gemäß den Sicherheits- devices have to follow the safety precautions
richtlinien der IEC-Norm 60825-1 behandelt given in IEC 60825-1 “Safety of laser products”.
werden.
2000-01-01
1
OPTO SEMICONDUCTORS
SPL LLxx
Typ
Type
Wellenlänge1)
Wavelength
Bestellnummer
Ordering Code
SPL LL85
SPL LL90
850 nm
905 nm
1.55 µm
Q62702-P3558
on request
SPL LL15
Q62702-P3557
1)
Andere Wellenlängen im Bereich von 780 nm … 980 nm und weitere Ausgangsleistungen (vgl. SPL PL90_x) sind
auf Anfrage erhältlich.
Other wavelengths in the range of 780 nm … 980 nm and other power levels (cf. SPL PL90_x) are available on
request.
Grenzwerte (TA = 25 °C)
Maximum Ratings
Parameter
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
min.
max.
Spitzenausgangsleistung
Peak output power
850 nm Ppeak
905 nm Ppeak
1550 nm Ppeak
–
–
–
10
16
3
W
W
W
Gate-Spannung
Gate voltage
Vg
– 14
+ 14
V
Versorgungsspannung (Ladespannung) 850 nm VC
–
–
–
10
14
10
V
V
V
Supply voltage (charge voltage)
905 nm VC
1550 nm VC
Tastverhältnis
Duty cycle
–
0.1
%
d.c.
Betriebstemperatur
Operating temperature
Top
Tstg
Ts
- 40
- 40
–
+ 85
+ 100
+ 260
°C
°C
°C
Lagertemperatur
Storage temperature
Löttemperatur (tmax = 10 s)
Soldering temperature (tmax = 10 s)
2000-01-01
2
OPTO SEMICONDUCTORS
SPL LLxx
Optische Kennwerte (TA = 25 °C)
Optical Characteristics
Parameter
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
min.
typ.
max.
Zentrale Emissionswellenlänge1)
Emission wavelength1)
850 nm
905 nm
1550 nm
λ
λ
λ
830
895
1480
850
905
1550
870
915
1600
nm
nm
nm
Spektralbreite (Halbwertsbreite)1)
Spectral width (FWHM)1)
∆λ
–
4
–
nm
Anstiegs- und Abfallzeit (10% … 90%)2)
Rise and fall time (10% … 90%)2)
tr, tf
–
5
–
ns
Pulsbreite (Halbwertsbreite)2)
Pulse width (FWHM)2)
tp
–
10
50
ns
Austrittsöffnung
Aperture size
Strahldivergenz (Halbwertsbreite)1)
Beam divergence (FWHM)1)
w × h
θ|| × θ
∂λ / ∂T
Rth
–
200 × 2 –
6° × 34° –
µm2
–
Grad
deg.
Temperaturkoeffizient der Wellenlänge
Temperature coefficient of wavelength
–
0.3
160
5
–
nm/K
K/W
V
Thermischer Widerstand
Thermal resistance
–
–
Einschaltspannung
Switch on voltage
Vg on
Vg off
4.5
– 14
+ 14
1
Ausschaltspannung
Switch off voltage
0
V
1)
Betriebsbedingungen: VC = 9 V, tpls = 20 ns.
Operating conditions: VC = 9 V, tpls = 20 ns.
2)
Die Schaltspannung am Gate ist abhängig vom Strom, der die Gate-Kapazität lädt (typ. 300 pF).
Switching voltage at gate depends on current, charging the gate capacitance (typ. 300 pF).
2000-01-01
3
OPTO SEMICONDUCTORS
SPL LLxx
FET Kennwerte
FET Characteristics
Parameter
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
FET Type: Siemens BSP 318S Chip
min.
typ.
max.
Gate-Source-Spannung
Gate-source voltage
VGS
CG
–
–
± 14
V
Gate Kapazität
Gate capacitance
–
300
1.6
380
2.0
pF
V
Schwellen-Gate-Spannung
Threshold gate voltage1)
VG,th
1.2
1)
Die Schaltspannung am Gate ist abhängig vom Strom, der die Gate-Kapazität lädt (typ. 300 pF).
Switching voltage at gate depends on current, charging the gate capacitance (typ. 300 pF).
Kondensator Kennwerte
Capacitor Characteristics
Parameter
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
Capacitor Type: 0805 B37941-J473-J62
min.
typ.
max.
Kapazität
Capacitance
–
47
–
nF
%
C
Toleranz
–
–
± 5
–
Tolerance
2000-01-01
4
OPTO SEMICONDUCTORS
SPL LLxx
Optical Power
opt = f(VC), Vg = 5 V, tpulse = 20 ns,
P
Duty Cycle = 0.01%
SPL LL85
SPL LL15
OHW00917
OHW00918
14
W
5
W
P
P
opt
opt
12
10
8
4
3
2
1
6
4
2
0
0
5
6
7
8
9
10 11 12 13 14 V 16
6
7
8
9
10 11 12 13 14 V 16
VC
V
Spectrum
VC = 9 V, tpls = 20 ns
SPL LL85
OHW00919
100
%
Ιrel
80
60
40
20
0
840 842 844 846 848 850
nm 854
λ
2000-01-01
5
OPTO SEMICONDUCTORS
SPL LLxx
Maßzeichnung
Package Outlines
±0.1
±0.1
4.9
2.3
±0.075
1.4
±0.25
1.5
Laser Diode
1
2
3
Surface
not flat
0.7
0.4
VC
2
1
FET
G
D
S
Trigger
VG
C
C
Laser diode
0.6
0.4
0.6
0.4
3
GND
spacing 2.54
GWO06034
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben (10 mm = 0,39 inch / 1 inch = 25,4 mm) / Dimensions in mm, unless
otherwise specified (10 mm = 0.39 inch / 1 inch = 25.4 mm).
2000-01-01
6
OPTO SEMICONDUCTORS
相关型号：
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