IPW65R099C6 [ISC]
N-Channel MOSFET Transistor;
| 型号： | IPW65R099C6 |
| 厂家： | 
INCHANGE SEMICONDUCTOR COMPANY LIMITED |
| 描述： | N-Channel MOSFET Transistor |
| 文件： | 总2页 (文件大小：335K) |
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IPW65R099CFD7A
TO-247 引脚封装中的 99mOhm IPW65R099CFD7A是汽车级认证 650V CoolMOS™ SJ 功率 MOSFET CFD7A 系列中的一款产品。与上一代产品相比，CoolMOS™ CFD7A 具有更高的可靠性和功率密度，同时增强了设计灵活性。Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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IPW65R110CFD
Metal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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IPW65R110CFDA
650V CoolMOS™ CFDA 超结 (SJ) MOSFET 是英飞凌第二代市场领先汽车应用高压 CoolMOS™ 功率 MOSFET。650V CoolMOS™ CFDA 系列产品不仅满足汽车行业的高质量和高可靠性要求，还集成快速体二极管。Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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IPW65R110CFDAFKSA1
Power Field-Effect Transistor, 31.2A I(D), 650V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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IPW65R110CFDFKSA1
Power Field-Effect Transistor, 31.2A I(D), 650V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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IPW65R110CFDFKSA2
暂无描述Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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IPW65R115CFD7A
TO-247 引脚封装中的 115mOhm IPW65R115CFD7A是汽车级认证 650V CoolMOS™ SJ 功率 MOSFET CFD7A 系列中的一款产品。与上一代产品相比，CoolMOS™ CFD7A 具有更高的可靠性和功率密度，同时增强了设计灵活性。Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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IPW65R125C7
英飞凌的 CoolMOS™ C7 超结 MOSFET 系列是技术的一次突破性进步，在全球范围内实现了低 RDS(on)/封装，并且得益于其低开关损耗，可在全负载范围内提高效率。Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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IPW65R125CFD7
英飞凌 650V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET IPW65R125CFD7 采用 TO-247 封装，尤为适用于诸如服务器、电信、太阳能和电动汽车充电站等工业应用中的谐振拓扑结构。相较于竞品，该产品可显著提高效率。作为 CFD2 超结 MOSFET 系列的后续产品，IPW65R029CFD7 的栅极电荷更低，关断行为得以改善，反向恢复电荷较低，从而可显著提高效率与功率密度，且击穿电压可额外提高 50V。Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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IPW65R150CFD
650V CoolMOS™ CFD2 替代产品是600V CoolMOS™ CFD7Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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IPW65R150CFDA
650V CoolMOS™ CFDA 超结 (SJ) MOSFET 是英飞凌第二代市场领先汽车应用高压 CoolMOS™ 功率 MOSFET。650V CoolMOS™ CFDA 系列产品不仅满足汽车行业的高质量和高可靠性要求，还集成快速体二极管。Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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IPW65R155CFD7
英飞凌 650V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET IPW65R155CFD7 采用 TO-247 封装，尤为适用于诸如服务器、电信、太阳能和电动汽车充电站等工业应用中的谐振拓扑结构。相较于竞品，该产品可显著提高效率。作为 CFD2 超结 MOSFET 系列的后续产品，IPW65R155CFD7 的栅极电荷更低，关断行为得以改善，反向恢复电荷较低，从而可显著提高效率与功率密度，且击穿电压可额外提高 50V。Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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IPW65R190C6
650V CoolMOS C6 Power TransistorWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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IPW65R190C6FKSA1
Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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IPW65R190C7
英飞凌的 CoolMOS™ C7 超结 MOSFET 系列是技术的一次突破性进步，在全球范围内实现了低 RDS(on)/封装，并且得益于其低开关损耗，可在全负载范围内提高效率。Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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IPW65R190CFD
650V CoolMOS™ CFD2 替代产品是600V CoolMOS™ CFD7Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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IPW65R190E6
650V CoolMOS⢠E6 Power TransistorWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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IPW65R280C6
650V CoolMOS C6 Power TransistorWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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IPW65R280C6FKSA1
Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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IPW65R280E6
650V CoolMOS E6 Power TransistorWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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