PRHMB200A6A_1 [NIEC]
200A 600V; 200A 600V
| 型号： | PRHMB200A6A_1 |
| 厂家： | 
NIHON INTER ELECTRONICS CORPORATION |
| 描述： | 200A 600V |
| 文件： | 总3页 (文件大小：126K) |
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ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－
２００ Ａ，６００Ｖ
ＰＲＨＭＢ２００Ａ６Ａ
Ｃｈｏｐｐｅｒ
□ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ
□ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ
Dimension:［mm］
□ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （ＴＣ＝２５℃）
重量：320ｇ
Ｉｔｅｍ
コレクタ・エミッタ間電圧
Ｓｙｍｂｏｌ
ＶCES
Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ
Ｕｎｉｔ
Ｖ
６００
Collector-Emitter Voltage
ゲート・エミッタ間電圧
Gate-Emitter Voltage
ＶGES
±２０
２００
４００
Ｖ
Ａ
ＩC
ＤＣ
コ レ ク タ 電 流
Collector Current
ＩCP
１ｍｓ
コ レ ク タ 損 失
Collector Power Dissipation
ＰC
Ｔj
７８０
Ｗ
接
合
温
度
－４０～＋１５０
－４０～＋１２５
２,５００
℃
Junction Temperature Range
保
存
温
度
Ｔstg
Ｖiso
Ｆtor
℃
Storage Temperature Range
絶
縁
耐
圧(Terminal to Base AC,1minute)
Ｖ(RMS)
Isolation Voltage
Module Base to Heatsink
Busbar to Main Terminal
３（３０.６）
２（２０.４）
締 め 付 け ト ル ク
Mounting Torque
Ｎ・ｍ
(kgf･cm)
□ 電 気 的 特 性 ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃）
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ
コ レ ク タ 遮 断 電 流
Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ
ＩCES
ＶCE = 600V, ＶGE = 0V
ＶGE = ±20V, ＶCE = 0V
ＩC = 200A, ＶGE = 15V
ＶCE = 5V, ＩC = 200mA
ＶCES = 10V, ＶGE = 0V,ｆ= 1MHz
－
－
－
－
２.０
１.０
２.６
８.０
－
ｍＡ
µＡ
Ｖ
Collector-Emitter Cut-Off Current
ゲ ー ト 漏 れ 電 流
Gate-Emitter Leakage Current
ＩGES
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-Emitter Saturation Voltage
ＶCE(sat)
ＶGE(th)
Ｃies
－
２.１
－
ゲ ー ト し き い 値 電 圧
Gate-Emitter Threshold Voltage
４.０
－
Ｖ
入
力
容
量
20,000
ｐＦ
Input Capacitance
上 昇 時 間 Rise
Time
ｔr
ｔon
ｔf
－
－
－
－
０.１５ ０.３０
０.２５ ０.４０
０.２０ ０.３５
０.４５ ０.７０
ＶCC = 300V
ＲL = 3Ω
ス イ ッ チ ン グ 時 間 ターンオン時間 Turn-on Time
Switching Time
µｓ
ＲG = 3.6Ω
ＶGE = ±15V
下 降 時 間 Fall
Time
ターンオフ時間 Turn-off Time
ｔoff
□フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃）
Ｉｔｅｍ
流
Ｓｙｍｂｏｌ
Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ
２００
Ｕｎｉｔ
Ａ
ＤＣ
ＩF
順
電
Forward Current
１ｍｓ
ＩFM
４００
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ
Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ
順
電
圧
ＶF
ＩF = 200A, ＶGE = 0V
－
－
１.９
２.４
Ｖ
Peak Forward Voltage
逆
回
復
時
間
ＩF = 200A, ＶGE = -10V
ｄi/ｄt = 200A/µs
ｔrr
０.１５ ０.２５
µｓ
Reverse Recovery Time
□ 熱 的 特 性 ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ
Ｒth(j-c) Junction to Case
Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ
℃／Ｗ
熱
抵
抗
ＩＧＢＴ
－
－
０.１６
Thermal Impedance
Ｄｉｏｄｅ
－
－
０.３８
ＰＲＨＭＢ２００Ａ６Ａ
Fig.2- Collector to Emitter On Voltage
vs. Gate to Emitter Voltage (Typical)
Fig.1- Output Characteristics (Typical)
TC=25℃
TC=25℃
16
14
12
10
8
400
300
200
100
0
VGE=20V
12V
15V
400A
IC=80A
200A
10V
EC
eV
C
I
g
a
t
l
o
V
r
ent
r
r
u
e
t
9V
C
r
t
i
o
m
6
E
o
ect
l
l
t
r
Co
o
4
cet
l
l
8V
7V
2
oC
0
0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
20
Gate to Emitter Voltage VGE (V)
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
Fig.3- Collector to Emitter On Voltage
vs. Gate to Emitter Voltage (Typical)
Fig.4- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical)
TC=125℃
16
14
12
10
8
400
16
RL=1.5Ω
TC=25℃
IC=80A
200A
400A
14
12
10
8
350
300
250
200
150
100
50
G
a
t
e
CE
to
E
V
V
e
g
a
e
g
a
E
m
t
l
i
t
t
o
te
o
r
V
rV
V
r
e
t
o
te
i
l
t
t
VCE=300V
a
g
m
m
6
6
e
V
E
E
o
t
o
t
200V
100V
GE
r
r
to
o
t
4
4
c
c
e
l
o
e
l
l
o
C
2
2
C
0
0
0
0
4
8
12
16
20
0
150
300
450
600
750
900
Gate to Emitter Voltage VGE (V)
Total Gate Charge Qg (nC)
Fig.5- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical)
Fig.6- Collector Current vs. Switching Time (Typical)
100000
50000
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
VGE=0V
f=1MHZ
TC=25℃
VCC=300V
RG=3.6Ω
VGE=±15V
TC=25℃
Cies
Coes
Cres
20000
10000
5000
t
e
m
i
e
toff
T
a
t
2000
1000
500
gn
ci
hci
pa
t
i
a
C
ton
wS
tf
200
100
tr
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
0
50
100
150
200
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
Collector Current IC (A)
ＰＲＨＭＢ２００Ａ６Ａ
Fig.8- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode
(Typical)
Fig.7- Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical)
5
400
350
300
250
200
150
100
50
VCC=300V
IC=200A
VG=±15V
TC=25℃
TC=25℃
TC=125℃
toff
ton
2
1
tr
F
I
t
e
net
m
i
r
r
0.5
u
tf
T
g
C
n
d
r
a
chi
t
i
w
r
0.2
0.1
w
S
o
F
0.05
0
1
10
100
0
1
2
3
4
Forward Voltage VF (V)
Series Gate Impedance RG (Ω)
Fig.10- Reverse Bias Safe Operating Area (Typical)
Fig.9- Reverse Recovery Characteristics (Typical)
1000
500
500
RG=3.6Ω
VGE=±15V
TC≦125℃
IF=200A
TC=25℃
200
100
50
M
200
100
50
Rr
trr
I
r
r
ent
t
e
r
r
C
I
u
C
m
i
20
10
5
y
r
ent
T
r
e
v
ry
e
v
uCr
o
c
r
o
eco
e
R
c
2
1
R
e
s
r
20
10
5
e
v
e
rs
IRrM
e
v
e
R
0.5
R
k
a
e
0.2
0.1
P
0
200
400
600
800
0
200
400
600
800
1000
1200
Collector to Emitter Voltage V CE (V)
-di/dt (A/μs)
Fig.11- Transient Thermal Impedance
5x10 -1
FRD
2x10 -1
1x10 -1
5x10 -2
IGBT
h
t
R
e
c
n
2x10 -2
1x10 -2
5x10 -3
epda
m
I
l
a
m
ehr
T
TC=25℃
2x10 -3
1x10 -3
net
i
s
n
1 Shot Pulse
a
r
T
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1
101
Time t (s)
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