NTE5597 [NTE]
Silicon Controlled Rectifier (SCR) 470 Amp; 可控硅整流器（ SCR） 470安培
| 型号： | NTE5597 |
| 厂家： | 
NTE ELECTRONICS |
| 描述： | Silicon Controlled Rectifier (SCR) 470 Amp |
| 文件： | 总2页 (文件大小：25K) |
| 中文： | 中文翻译 | 下载： | 下载PDF数据表文档文件 |
NTE5590, NTE5591, NTE5592, NTE5597
Silicon Controlled Rectifier (SCR)
470 Amp
Absolute Maximum Ratings: (TJ = +125°C unless otherwise specified)
Repetitive Peak Voltages, VRRM, VDRM, VDSM
NTE5590 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V
NTE5591 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V
NTE5592 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1200V
NTE5597 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1600V
Non–Repetitive Peak Reverse Blocking Voltage, VRSM
NTE5590 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V
NTE5591 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 700V
NTE5592 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1300V
NTE5597 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1700V
Average On–State Current (Half Sine Wave), IT(AV)
Ths = +55°C (Double Side Cooled) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 470A
Ths = +85°C (Single Side Cooled) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 160A
RMS On–State Current (Ths = +25°C, Double Side Cooled), IT(RMS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 780A
Continuous On–State Current (Ths = +25°C, Double Side Cooled), IT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 668A
Peak One–Cycle Surge (10ms duration, 60% VRRM re–applied), ITSM (1) . . . . . . . . . . . . . . . . . 4650A
Non–Repetitive On–State Current (10ms duration, VR ≤ 10V), ITSM (2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5120A
Maximum Permissible Surge Energy (VR ≤ 10V), I2t
10ms duration . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 131000A2s
3ms duration . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 97350A2s
Peak Forward Gate Current (Anode positive with respect to cathode), IFGM . . . . . . . . . . . . . . . . 19A
Peak Forward Gate Voltage (Anode positive with respect to cathode), VFGM . . . . . . . . . . . . . . . 18V
Peak Reverse Gate Voltage, VRGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
Average Gate Power, PG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2W
Peak Gate Power (100µs pulse width), PGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100W
Rate of Rise of Off–State Voltage (To 80% VDRM gate open–circuit), dv/dt . . . . . . . . . . . . . 200V/µs
Rate of Rise of On–State Current, di/dt
(Gate drive 20V, 20Ω with tr ≤ 1µs, anode voltage ≤ 80% VDRM
)
Repetitive . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500A/µs
Non–Repetitive . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1000A/µs
Operating Temperature Range, Ths . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +125°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +150°C
Thermal Resistance, Junction–to–Heatsink, Rth(j–hs)
(For a device with a maximum forward voltage drop characteristic)
Double Side Cooled . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.095°C/W
Single Side Cooled . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.190°C/W
Absolute Maximum Ratings (Cont’d): (TJ = +125°C unless otherwise specified)
Peak On–State Voltage (ITM = 840A), VTM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.75V
Forward Conduction Threshold Voltage, VO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.92V
Forward Conduction Slope Resistance, r . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.99mΩ
Repetitive Peak Off–State Current (At VDRM), IDRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20mA
Repetitive Peak Reverse Current (At VRRM), IRRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20mA
Maximum Gate Current (VA = 6V, IA = 1A, TJ = +25°C), IGT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150mA
Maximum Gate Voltage (VA = 6V, IA = 1A, TJ = +25°C), VGT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3V
Maximum Holding Current (VA = 6V, IA = 1A, TJ = +25°C), IH . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600mA
Maximum Gate Voltage Which Will Not Trigger Any Device, VGD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.25V
.145 (3.7) Dia Max
8.500 (21.59)
Max
2.290
(58.16)
Max
For No. 6 Screws
1.343
.040 (1.01) Min
Cathode
(34.13)
Max
Cathode Potential (Red)
Gate (White)
1.060
(26.92)
Max
Marking
Anode
2.090
(53.08)
Max
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