IMZ3AT109 [ROHM]
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon;型号: | IMZ3AT109 |
厂家: | ROHM |
描述: | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon |
文件: | 总2页 (文件大小:73K) |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 20V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, SOT-26, 6 PIN
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IMZA120R020M1H
采用TO247-4封装的1200V 20mΩ CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺,该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅(Si)基器件相比,SiC MOSFET具有诸多优势,例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、体二极管没有反向恢复损耗、关断损耗受温度影响小以及没有拐点电压的导通特性。因此,CoolSiC™碳化硅 MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构,如功率因素校正(PFC)电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。
INFINEON
IMZA65R027M1H
CoolSiC™ MOSFET 技术通过最大限度地发挥碳化硅强大的物理特性,从而增强了设备性能、稳健性和易用性等独特优势。IMZA65R107M1H 650V CoolSiC™ MOSFET 基于先进的沟槽半导体技术,并经过优化,在毫不折衷的情况下,在应用中实现最低损耗,并在运行中实现最佳可靠性。
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