首页 |元器件品牌

IMZ88G-AG6-R [UTC]

GENERAL PURPOSE DUAL TRANSISTOR); 通用双晶体管）
IMZ88G-AG6-R
型号： IMZ88G-AG6-R
厂家： Unisonic Technologies    Unisonic Technologies
描述：

GENERAL PURPOSE DUAL TRANSISTOR)
通用双晶体管）

晶体 小信号双极晶体管 光电二极管
文件： 总3页 (文件大小：131K)
中文：  中文翻译
下载：  下载PDF数据表文档文件
 查看货源
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD  
IMZ88  
DUAL TRANSISTOR  
GENERAL PURPOSE  
(DUAL TRANSISTOR)  
„
FEATURES  
*Both a 8550S chip and 8050S chip in a SMT package  
„
EQUIVALENT CIRCUITS  
(6)  
(4)  
(5)  
TR2  
TR1  
(1)  
(2)  
(3)  
„
ORDERING INFORMATION  
Ordering Number  
Pin Assignment  
Package  
SOT-26  
Packing  
Lead Free  
Halogen Free  
1
2
3
4
5
6
IMZ88L-AG6 -R  
IMZ88G-AG6-R  
C2 E2 C1 E1 B1 B2 Tape Reel  
IMZ88L-AG6-R  
(1) R: Tape Reel  
(1)Packing Type  
(2)Package Type  
(3)Lead Free  
(2) AG6: SOT-26  
(3) G: Halogen Free, L: Lead Free  
„
MARKING  
www.unisonic.com.tw  
Copyright © 2011 Unisonic Technologies Co., Ltd  
1 of 3  
QW-R215-005.Ca  
IMZ88  
DUAL TRANSISTOR  
„
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25°C)  
RATING  
PARAMETER  
SYMBOL  
UNIT  
TR2  
TR1  
-30  
-20  
-5  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
30  
20  
5
V
V
V
-700  
700  
mA  
mW  
°C  
°C  
Power Dissipation (Note 1)  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
PD  
300  
150  
TJ  
TSTG  
-65~+150  
Note: 1. 200mW per element must not be exceeded.  
2. Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.  
Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.  
„
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25°C)  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX UNIT  
TR1  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-Off Current  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
ICBO  
IC=-100μA,IE=0  
-30  
-20  
-5  
V
V
V
IC= -1mA, IB=0  
IE=-100μA,IC=0  
VCB=-30V,IE=0  
VEB= -5V, IC=0  
-1  
µA  
µA  
V
Emitter Cut-Off Current  
IEBO  
-100  
-0.5  
-1.2  
-1.0  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
VCE(SAT) IC=-500mA, IB=-50mA  
VBE(SAT)  
VBE  
IC= 500mA, IB=-50mA  
VCE=-1V, IC=-10mA  
VCE= -1V, IC = -1mA  
VCE=-1V, IC=-150mA  
VCE=-1V, IC=-500mA  
VCE=-10V,IC=-50mA  
VCB=10V,IE=0, f=1MHz  
V
V
hFE1  
hFE2  
hFE3  
fT  
100  
120  
40  
DC Current Transfer Ratio  
110  
9.0  
400  
Transition Frequency  
100  
MHz  
pF  
Output Capacitance  
COB  
TR2  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-Off Current  
Emitter Cut-Off Current  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
ICBO  
IC=100μA,IE=0  
IC=1mA,IB=0  
IE=100μA,IC=0  
VCB=30V  
30  
20  
5
V
V
V
1
µA  
µA  
V
IEBO  
VEB=5V  
100  
0.5  
1.2  
1.0  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
VCE(SAT) IC=500mA, IB=50mA  
VBE(SAT)  
VBE  
IC=500mA, IB=50mA  
VCE=1V, IC=10mA  
VCE=1V, IC = 1mA  
VCE=1V, IC=150mA  
VCE=1V, IC=500mA  
VCE=10V, IC=50mA  
VCB=10V, IE=0, f=1MHz  
V
V
hFE1  
hFE2  
hFE3  
fT  
100  
120  
40  
DC Current Transfer Ratio  
110  
9.0  
400  
Transition Frequency  
Output Capacitance  
100  
MHz  
pF  
COB  
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD  
2 of 3  
QW-R215-005.Ca  
www.unisonic.com.tw  
IMZ88  
DUAL TRANSISTOR  
UTC assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that  
exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or  
other parameters) listed in products specifications of any and all UTC products described or contained  
herein. UTC products are not designed for use in life support appliances, devices or systems where  
malfunction of these products can be reasonably expected to result in personal injury. Reproduction in  
whole or in part is prohibited without the prior written consent of the copyright owner. The information  
presented in this document does not form part of any quotation or contract, is believed to be accurate  
and reliable and may be changed without notice.  
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD  
3 of 3  
QW-R215-005.Ca  
www.unisonic.com.tw  

相关型号：

IMZ88L-AG6-R

 GENERAL PURPOSE DUAL TRANSISTOR)
UTC

IMZ88_11

 GENERAL PURPOSE DUAL TRANSISTOR)
UTC

IMZ88_15

 GENERAL PURPOSE
UTC

IMZA120R020M1H

 采用TO247-4封装的1200V 20mΩ  CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、体二极管没有反向恢复损耗、关断损耗受温度影响小以及没有拐点电压的导通特性。因此，CoolSiC™碳化硅 MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构，如功率因素校正（PFC）电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。
INFINEON

IMZA65R027M1H

 CoolSiC™ MOSFET 技术通过最大限度地发挥碳化硅强大的物理特性，从而增强了设备性能、稳健性和易用性等独特优势。IMZA65R107M1H 650V CoolSiC™ MOSFET 基于先进的沟槽半导体技术，并经过优化，在毫不折衷的情况下，在应用中实现最低损耗，并在运行中实现最佳可靠性。
INFINEON

IMZA65R030M1H

 CoolSiC™ MOSFET 技术通过最大限度地发挥碳化硅强大的物理特性，从而增强了设备性能、稳健性和易用性等独特优势。IMZA65R030M1H 650V CoolSiC™ MOSFET 基于先进的沟槽半导体技术，并经过优化，在毫不折衷的情况下，在应用中实现最低损耗，并在运行中实现最佳可靠性。
INFINEON

IMZA65R039M1H

 CoolSiC™ MOSFET 技术通过最大限度地发挥碳化硅强大的物理特性，从而增强了设备性能、稳健性和易用性等独特优势。IMZA65R039M1H 650V CoolSiC™ MOSFET 基于先进的沟槽半导体技术，并经过优化，在毫不折衷的情况下，在应用中实现最低损耗，并在运行中实现最佳可靠性。
INFINEON

IMZA65R048M1H

 CoolSiC™ MOSFET 技术通过最大限度地发挥碳化硅强大的物理特性，从而增强了设备性能、稳健性和易用性等独特优势。IMZA65R048M1H 650V CoolSiC™ MOSFET 基于先进的沟槽半导体技术，并经过优化，在毫不折衷的情况下，在应用中实现最低损耗，并在运行中实现最佳可靠性。
INFINEON

IMZA65R057M1H

 CoolSiC™ MOSFET 技术通过最大限度地发挥碳化硅强大的物理特性，从而增强了设备性能、稳健性和易用性等独特优势。IMZA65R107M1H 650V CoolSiC™ MOSFET 基于先进的沟槽半导体技术，并经过优化，在毫不折衷的情况下，在应用中实现最低损耗，并在运行中实现最佳可靠性。
INFINEON

IMZA65R072M1H

 CoolSiC™ MOSFET 技术通过最大限度地发挥碳化硅强大的物理特性，从而增强了设备性能、稳健性和易用性等独特优势。 IMZA65R107M1H 650V CoolSiC™ MOSFET 基于先进的沟槽半导体技术，并经过优化，在毫不折衷的情况下，在应用中实现最低损耗，并在运行中实现最佳可靠性。
INFINEON

IMZA65R107M1H

 CoolSiC™ MOSFET 技术通过最大限度地发挥碳化硅强大的物理特性，从而增强了设备性能、稳健性和易用性等独特优势。 IMZA65R107M1H 650V CoolSiC™ MOSFET 基于先进的沟槽半导体技术，并经过优化，在毫不折衷的情况下，在应用中实现最低损耗，并在运行中实现最佳可靠性。
INFINEON

IN-505FCHWV

 TOP VIEW / 5050 / 5.0X5.4X1.2
ETC
©2020 ICPDF网 联系我们和版权申明