MCH5824 [SANYO]
MCH5824;
| 型号： | MCH5824 |
| 厂家： | 
SANYO SEMICON DEVICE |
| 描述： | MCH5824 晶体 晶体管 开关 光电二极管 |
| 文件： | 总5页 (文件大小：69K) |
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注文コードNo.N 8 2 0 1
M OSFET :N チャネルM OS 形シリコン電界効果トランジスタ
SBD :ショットキバリアダイオード
MCH5824
汎用スイッチングデバイス
特長
・N チャネルM OS形電界効果トランジスタ(M CH3447)とショットキバリアダイオード(SS05015)を1パッケージに
内蔵した複合タイプであり、高密度実装が可能である。
・［M OS］
・ 低オン抵抗。
・ 超高速スイッチング。
・ 4V 駆動。
・［SBD］
・ 逆回復時間が短い。
・ 低順電圧。
絶対最大定格AbsoluteM axim um Ratings/Ta=25℃
項目
[M OSFET 部]
記号
条件
定格値
unit
ドレイン・ソース電圧
ゲート・ソース電圧
ドレイン電流（DC）
ドレイン電流（パルス）
許容損失
V
V
20
V
V
DSS
GSS
±15
I
D
1.2
A
I
DP
PW ≦10µs,dutycycle≦1%
セラミック基板(900m m 2 ×0.8m m )装着時1unit
4.8
0.6
A
P
W
D
チャネル温度
Tch
150
℃
℃
保存周囲温度
Tstg
－55～＋125
[SBD 部]
繰り返しピーク逆電圧
非繰り返しピーク逆サージ電圧
平均整流電流
V
V
15
V
V
RRM
RSM
15
0.5
I
O
A
サージ順電流
I
50Hz正弦波ꢀ1サイクル
3
A
FSM
Tj
Tstg
接合部温度
－55～＋125
－55～＋125
℃
℃
保存周囲温度
単体品名表示：XA
本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途（生命維持装置、航空機のコントロールシステム等、
多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に
は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。
本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等)を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥
について、弊社は責任を負いません。
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
21805PE TS IM ◎川浦TB-00001213
No.8201-1/5
MCH5824
電気的特性ElectricalCharacteristics/Ta=25℃
定格値
typ
項目
[M OSFET 部]
記号
条件
unit
m in
m ax
ドレイン・ソース降伏電圧
ドレイン・ソースしゃ断電流
ゲート・ソースもれ電流
ゲート・ソースしゃ断電圧
順伝達アドミタンス
V
I =1m A,V =0
GS
20
V
(BR)DSS
D
I
DSS
V
=20V,V =0
GS
1
µA
DS
GS
DS
DS
I
GSS
V
V
V
=±12V,V =0
DS
±10 µA
V
(off)
=10V,I =1m A
D
1.2
2.6
V
GS
yfs
=10V,I =600m A
D
480
800
240
480
590
38
m S
R
(on)1 I =600m A,V =10V
GS
320 m Ω
DS
DS
DS
D
ドレイン・ソース間オン抵抗
R
R
(on)2 I =300m A,V =4.5V
GS
675 m Ω
D
(on)3 I =300m A,V =4V
GS
830 m Ω
D
入力容量
Ciss
Coss
Crss
V
=10V,f=1M Hz
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
DS
DS
DS
出力容量
V
V
=10V,f=1M Hz
=10V,f=1M Hz
13.5
9.2
帰還容量
ターンオン遅延時間
立ち上がり時間
ターンオフ遅延時間
下降時間
t (on)
d
指定回路において
指定回路において
指定回路において
指定回路において
5.0
t
r
16.0
9.4
t (off)
d
t
f
3.4
総ゲート電荷量
ゲート・ソース電荷量
ゲート・ドレイン電荷量
ダイオード順電圧
[SBD 部]
Qg
V
V
V
=10V,V =10V,I =1.2A
GS
2.1
DS
DS
DS
D
Qgs
Qgd
=10V,V =10V,I =1.2A
GS
0.6
D
=10V,V =10V,I =1.2A
GS
0.2
D
V
I =1.2A,V =0
S GS
0.92
1.2
V
SD
逆電圧
V
V
I =0.5m A
R
15
V
V
R
F
順電圧
I =0.5A
F
0.4
13
0.46
逆電流
I
R
V =6V
R
90 µA
端子間容量
C
V =10V,f=1M Hz
R
pF
逆回復時間
t
rr
I =I =100m A,指定回路において
F R
10
ns
外形図
電気的接続図
unit:m m
2195
5
4
0.3
0.15
1 : Gate
5
1
4
2 : Source
3 : Anode
4 : Cathode
5 : Drain
3
2
0.65
Top view
1 : Gate
1
2
3
5
1
4
2 : Source
3 : Anode
4 : Cathode
5 : Drain
2.0
(Bottom view)
2
3
(Top view)
SANYO : MCPH5
No.8201-2/5
MCH5824
スイッチングタイム測定回路図
t 指定回路図
rr
[M OSFET 部]
[SBD 部]
Duty≦10%
V
=10V
DD
V
IN
10V
0V
I
=600mA
D
V
IN
50Ω
100Ω
10Ω
R =16.7Ω
L
D
V
OUT
10µs
PW=10µs
D.C.≦1%
--5V
G
t
rr
MCH5824
P.G
50Ω
S
I
D
-- V
I
D
-- V
GS
[M OSFET部]
[M OSFET部]
DS
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
V
=10V
DS
0.2
0
0.2
0
V
=2.0V
GS
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
ドレイン・ソース電圧, V
-- V
ゲート・ソース電圧, V
R
-- V
GS
IT09118
IT09117
DS
R
(on) -- V
(on) -- Ta
[M OSFET部]
[M OSFET部]
DS
GS
DS
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
Ta=25°C
600m A
I =300m A
D
100
0
100
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
--60 --40 --20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
ゲート・ソース電圧, V
-- V
周囲温度, Ta -- °C
IT09119
IT09120
GS
No.8201-3/5
MCH5824
y
fs -- I
[M OSFET部]
I -- V
F SD
[M OSFET部]
=0
D
3
2
1.0
V
=10V
V
DS
GS
7
1.0
5
7
5
3
2
3
2
0.1
7
5
0.1
3
2
7
5
0.01
7
5
3
2
3
2
0.01
0.001
0.001
0.3
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
1.0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
0.01
0.1
ドレイン電流, I -- A
D
SW Tim e -- I
IT09121
ダイオード順電圧, V
Ciss, Coss, Crss -- V
-- V
SD
IT09122
[M OSFET部]
[M OSFET部]
D
DS
100
100
V
V
=10V
=10V
f=1M Hz
DD
GS
7
5
7
5
3
2
3
2
10
7
5
t (on)
d
10
7
5
3
2
2
3
5
7
2
3
5
7
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0.01
0.1
1.0
ドレイン電流, I -- A
D
-- Qg
ドレイン・ソース電圧, V
-- V
DS
IT09123
IT09124
V
[M OSFET部]
A S O
[M OSFET部]
GS
10
10
V
=10V
7
5
DS
I
=4.8A
＜10µs
DP
9
8
7
6
5
4
3
2
I =1.2A
D
3
2
I =1.2A
D
1.0
7
5
3
2
Operation in this
areaislim ited byR (on).
DS
0.1
7
5
3
2
Ta=25°C
1パルス
セラミック基板(900m m 2×0.8m m )装着時1unit
1
0
0.01
0.1
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
IT09125
1.0
10
総ゲート電荷量, Qg -- nC
[M OSFET部]
ドレイン・ソース電圧, V
-- V
DS
IT09128
P
-- Ta
D
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
IT09150
周囲温度, Ta -- °C
No.8201-4/5
MCH5824
I -- V
F
I -- V
R R
[SBD部]
[SBD部]
F
10000
1.0
7
5
7
3
2
5
1000
3
2
7
5
3
2
100
0.1
7
5
7
5
3
2
10
7
5
3
2
3
2
0.01
1.0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
IT06804
0
5
10
15
順電圧, V -- V
F
逆電圧, V -- V
R
IT06805
P (AV) -- I
C -- V
[SBD部]
[SBD部]
F
O
R
7
5
0.9
(1)
(2) (4) (3)
f=1M Hz
(1)方形波θ=60°
0.8 (2)方形波θ=120°
(3)方形波θ=180°
0.7
(4)正弦波θ=180°
3
2
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
方形波
θ
360°
10
正弦波
7
5
0.1
0
180°
360°
1.2
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.4
IT06806
2
3
5
7
2
3
1.0
10
平均順電流, I -- A
逆電圧, V -- V
R
IT06807
O
-- t
I
FSM
[SBD部]
3.5
電流波形ꢀ50Hz正弦波
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
I
S
20m s
t
0.5
0
7
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
0.01
0.1
1.0
時間, t -- s
ID00338
取り扱い上の注意：本製品は、M OSFETですので、帯電性の大きな環境での取り扱いはご遠慮下さい。
本書記載の製品は、定められた条件下において、記載部品単体の性能・特性・機能などを規定するものであ
り、お客様の製品（機器）での性能・特性・機能などを保証するものではありません。部品単体の評価では
予測できない症状・事態を確認するためにも、お客様の製品で必要とされる評価・試験を必ず行って下さい。
弊社は、高品質・高信頼性の製品を供給することに努めております。しかし、半導体製品はある確率で故障
が生じてしまいます。この故障が原因となり、人命にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与
えてしまう事故などを引き起こす可能性があります。機器設計時には、このような事故を起こさないような、
保護回路・誤動作防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。
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PS
No.8201-5/5
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