UCC21732QDWQ1 [TI]

适用于 IGBT/SiC FET 且具有 2 级关断功能的汽车类 5.7kVrms ±10A 单通道隔离式栅极驱动器 | DW | 16 | -40 to 125;
UCC21732QDWQ1
型号: UCC21732QDWQ1
厂家: TEXAS INSTRUMENTS    TEXAS INSTRUMENTS
描述:

适用于 IGBT/SiC FET 且具有 2 级关断功能的汽车类 5.7kVrms ±10A 单通道隔离式栅极驱动器 | DW | 16 | -40 to 125

栅极驱动 双极性晶体管 驱动器
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UCC21732-Q1  
ZHCSIZ4 OCTOBER 2018  
适用于 SiC/IGBT 且具有高级保护功能和高 CMTI UCC21732-Q1 单通  
隔离式栅极驱动器  
1 特性  
2 应用  
1
单通道 SiC/IGBT 隔离式栅极驱动器  
适用于 EV 的牵引逆变器  
符合面向汽车应用的 AEC-Q100 应用 (计划的认  
证)  
车载充电器和直流充电站  
工业电机驱动器  
高达 1700V SiC MOSFET IGBT  
33V 最大输出驱动电压 (VDD-COM)  
高峰值驱动电流和高 CMTI  
服务器、电信和工业电源  
不间断电源 (UPS)  
3 说明  
有源米勒钳位  
UCC21732-Q1 它是一款电隔离单通道栅极驱动器,设  
计用于高达 1700V SiC MOSFET IGBT,具有先  
进的保护 功能、一流的动态性能和稳健性。  
RDY 上的 UVLO(具有电源正常指示功能)  
小传播延迟和脉冲/器件间偏移  
工作温度范围为 –40°C 125°C  
安全相关认证(计划):  
输入侧通过 SiO2 电容隔离技术与输出侧相隔离,支持  
高达 1.5kVRMS 的工作电压、12.8kVPK 的浪涌抗扰  
度,隔离层寿命超过 40 年,并提供较低的器件间偏移  
和高 CMTI。  
符合 DIN V VDE V 0884-11 (VDE V 0884-  
11):2017-01 标准的 8000VPK VIOTM 2121VPK  
VIORM 增强型隔离  
符合 UL1577 标准、长达 1 分钟的 5700VRMS  
隔离  
1
本文档旨在为方便起见,提供有关 TI 产品中文版本的信息,以确认产品的概要。 有关适用的官方英文版本的最新信息,请访问 www.ti.com,其内容始终优先。 TI 不保证翻译的准确  
性和有效性。 在实际设计之前,请务必参考最新版本的英文版本。  
English Data Sheet: SLUSDJ1  
 
 
UCC21732-Q1  
ZHCSIZ4 OCTOBER 2018  
www.ti.com.cn  
目录  
5.2 接收文档更新通知 ..................................................... 3  
5.3 社区资源.................................................................... 3  
5.4 ........................................................................... 3  
5.5 静电放电警告............................................................. 3  
5.6 术语表 ....................................................................... 3  
机械、封装和可订购信息 ......................................... 3  
1
2
3
4
5
特性.......................................................................... 1  
应用.......................................................................... 1  
说明.......................................................................... 1  
修订历史记录 ........................................................... 2  
器件和文档支持........................................................ 3  
5.1 文档支持 ................................................................... 3  
6
4 修订历史记录  
注:之前版本的页码可能与当前版本有所不同。  
日期  
修订版本  
说明  
2018 10 月  
*
预告信息发布  
2
版权 © 2018, Texas Instruments Incorporated  
 
UCC21732-Q1  
www.ti.com.cn  
ZHCSIZ4 OCTOBER 2018  
5 器件和文档支持  
5.1 文档支持  
5.1.1 相关文档  
请参阅如下相关文档:  
《隔离相关术语》  
5.2 接收文档更新通知  
要接收文档更新通知,请导航至 TI.com.cn 上的器件产品文件夹。单击右上角的通知我 进行注册,即可每周接收产  
品信息更改摘要。有关更改的详细信息,请查阅已修订文档中包含的修订历史记录。  
5.3 社区资源  
下列链接提供到 TI 社区资源的连接。链接的内容由各个分销商按照原样提供。这些内容并不构成 TI 技术规范,  
并且不一定反映 TI 的观点;请参阅 TI 《使用条款》。  
TI E2E™ 在线社区 TI 的工程师对工程师 (E2E) 社区。此社区的创建目的在于促进工程师之间的协作。在  
e2e.ti.com 中,您可以咨询问题、分享知识、拓展思路并与同行工程师一道帮助解决问题。  
设计支持  
TI 参考设计支持 可帮助您快速查找有帮助的 E2E 论坛、设计支持工具以及技术支持的联系信息。  
5.4 商标  
E2E is a trademark of Texas Instruments.  
5.5 静电放电警告  
ESD 可能会损坏该集成电路。德州仪器 (TI) 建议通过适当的预防措施处理所有集成电路。如果不遵守正确的处理措施和安装程序 , 可  
能会损坏集成电路。  
ESD 的损坏小至导致微小的性能降级 , 大至整个器件故障。 精密的集成电路可能更容易受到损坏 , 这是因为非常细微的参数更改都可  
能会导致器件与其发布的规格不相符。  
5.6 术语表  
SLYZ022 TI 术语表。  
这份术语表列出并解释术语、缩写和定义。  
6 机械、封装和可订购信息  
以下页面包含机械、封装和可订购信息。这些信息是指定器件的最新可用数据。数据如有变更,恕不另行通知,且  
不会对此文档进行修订。如需获取此数据表的浏览器版本,请查阅左侧的导航栏。  
版权 © 2018, Texas Instruments Incorporated  
3
重要声明和免责声明  
TI 均以原样提供技术性及可靠性数据(包括数据表)、设计资源(包括参考设计)、应用或其他设计建议、网络工具、安全信息和其他资  
源,不保证其中不含任何瑕疵,且不做任何明示或暗示的担保,包括但不限于对适销性、适合某特定用途或不侵犯任何第三方知识产权的暗示  
担保。  
所述资源可供专业开发人员应用TI 产品进行设计使用。您将对以下行为独自承担全部责任:(1) 针对您的应用选择合适的TI 产品;(2) 设计、  
验证并测试您的应用;(3) 确保您的应用满足相应标准以及任何其他安全、安保或其他要求。所述资源如有变更,恕不另行通知。TI 对您使用  
所述资源的授权仅限于开发资源所涉及TI 产品的相关应用。除此之外不得复制或展示所述资源,也不提供其它TI或任何第三方的知识产权授权  
许可。如因使用所述资源而产生任何索赔、赔偿、成本、损失及债务等,TI对此概不负责,并且您须赔偿由此对TI 及其代表造成的损害。  
TI 所提供产品均受TI 的销售条款 (http://www.ti.com.cn/zh-cn/legal/termsofsale.html) 以及ti.com.cn上或随附TI产品提供的其他可适用条款的约  
束。TI提供所述资源并不扩展或以其他方式更改TI 针对TI 产品所发布的可适用的担保范围或担保免责声明。IMPORTANT NOTICE  
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PACKAGE OPTION ADDENDUM  
www.ti.com  
10-Dec-2020  
PACKAGING INFORMATION  
Orderable Device  
Status Package Type Package Pins Package  
Eco Plan  
Lead finish/  
Ball material  
MSL Peak Temp  
Op Temp (°C)  
Device Marking  
Samples  
Drawing  
Qty  
(1)  
(2)  
(3)  
(4/5)  
(6)  
UCC21732QDWQ1  
UCC21732QDWRQ1  
ACTIVE  
ACTIVE  
SOIC  
SOIC  
DW  
DW  
16  
16  
40  
RoHS & Green  
NIPDAU  
Level-3-260C-168 HR  
Level-3-260C-168 HR  
-40 to 125  
-40 to 125  
UCC21732Q  
UCC21732Q  
2000 RoHS & Green  
NIPDAU  
(1) The marketing status values are defined as follows:  
ACTIVE: Product device recommended for new designs.  
LIFEBUY: TI has announced that the device will be discontinued, and a lifetime-buy period is in effect.  
NRND: Not recommended for new designs. Device is in production to support existing customers, but TI does not recommend using this part in a new design.  
PREVIEW: Device has been announced but is not in production. Samples may or may not be available.  
OBSOLETE: TI has discontinued the production of the device.  
(2) RoHS: TI defines "RoHS" to mean semiconductor products that are compliant with the current EU RoHS requirements for all 10 RoHS substances, including the requirement that RoHS substance  
do not exceed 0.1% by weight in homogeneous materials. Where designed to be soldered at high temperatures, "RoHS" products are suitable for use in specified lead-free processes. TI may  
reference these types of products as "Pb-Free".  
RoHS Exempt: TI defines "RoHS Exempt" to mean products that contain lead but are compliant with EU RoHS pursuant to a specific EU RoHS exemption.  
Green: TI defines "Green" to mean the content of Chlorine (Cl) and Bromine (Br) based flame retardants meet JS709B low halogen requirements of <=1000ppm threshold. Antimony trioxide based  
flame retardants must also meet the <=1000ppm threshold requirement.  
(3) MSL, Peak Temp. - The Moisture Sensitivity Level rating according to the JEDEC industry standard classifications, and peak solder temperature.  
(4) There may be additional marking, which relates to the logo, the lot trace code information, or the environmental category on the device.  
(5) Multiple Device Markings will be inside parentheses. Only one Device Marking contained in parentheses and separated by a "~" will appear on a device. If a line is indented then it is a continuation  
of the previous line and the two combined represent the entire Device Marking for that device.  
(6)  
Lead finish/Ball material - Orderable Devices may have multiple material finish options. Finish options are separated by a vertical ruled line. Lead finish/Ball material values may wrap to two  
lines if the finish value exceeds the maximum column width.  
Important Information and Disclaimer:The information provided on this page represents TI's knowledge and belief as of the date that it is provided. TI bases its knowledge and belief on information  
provided by third parties, and makes no representation or warranty as to the accuracy of such information. Efforts are underway to better integrate information from third parties. TI has taken and  
continues to take reasonable steps to provide representative and accurate information but may not have conducted destructive testing or chemical analysis on incoming materials and chemicals.  
TI and TI suppliers consider certain information to be proprietary, and thus CAS numbers and other limited information may not be available for release.  
In no event shall TI's liability arising out of such information exceed the total purchase price of the TI part(s) at issue in this document sold by TI to Customer on an annual basis.  
Addendum-Page 1  
PACKAGE OPTION ADDENDUM  
www.ti.com  
10-Dec-2020  
Addendum-Page 2  
GENERIC PACKAGE VIEW  
DW 16  
7.5 x 10.3, 1.27 mm pitch  
SOIC - 2.65 mm max height  
SMALL OUTLINE INTEGRATED CIRCUIT  
This image is a representation of the package family, actual package may vary.  
Refer to the product data sheet for package details.  
4224780/A  
www.ti.com  
PACKAGE OUTLINE  
DW0016B  
SOIC - 2.65 mm max height  
S
C
A
L
E
1
.
5
0
0
SOIC  
C
10.63  
9.97  
SEATING PLANE  
TYP  
PIN 1 ID  
AREA  
0.1 C  
A
14X 1.27  
16  
1
2X  
10.5  
10.1  
NOTE 3  
8.89  
8
9
0.51  
0.31  
16X  
7.6  
7.4  
B
2.65 MAX  
0.25  
C A  
B
NOTE 4  
0.33  
0.10  
TYP  
SEE DETAIL A  
0.25  
GAGE PLANE  
0.3  
0.1  
0 - 8  
1.27  
0.40  
DETAIL A  
TYPICAL  
(1.4)  
4221009/B 07/2016  
NOTES:  
1. All linear dimensions are in millimeters. Dimensions in parenthesis are for reference only. Dimensioning and tolerancing  
per ASME Y14.5M.  
2. This drawing is subject to change without notice.  
3. This dimension does not include mold flash, protrusions, or gate burrs. Mold flash, protrusions, or gate burrs shall not  
exceed 0.15 mm, per side.  
4. This dimension does not include interlead flash. Interlead flash shall not exceed 0.25 mm, per side.  
5. Reference JEDEC registration MS-013.  
www.ti.com  
EXAMPLE BOARD LAYOUT  
DW0016B  
SOIC - 2.65 mm max height  
SOIC  
SYMM  
SYMM  
16X (2)  
1
16X (1.65)  
SEE  
DETAILS  
SEE  
DETAILS  
1
16  
16  
16X (0.6)  
16X (0.6)  
SYMM  
SYMM  
14X (1.27)  
14X (1.27)  
R0.05 TYP  
9
9
8
8
R0.05 TYP  
(9.75)  
(9.3)  
HV / ISOLATION OPTION  
8.1 mm CLEARANCE/CREEPAGE  
IPC-7351 NOMINAL  
7.3 mm CLEARANCE/CREEPAGE  
LAND PATTERN EXAMPLE  
SCALE:4X  
SOLDER MASK  
OPENING  
SOLDER MASK  
OPENING  
METAL  
METAL  
0.07 MAX  
ALL AROUND  
0.07 MIN  
ALL AROUND  
SOLDER MASK  
DEFINED  
NON SOLDER MASK  
DEFINED  
SOLDER MASK DETAILS  
4221009/B 07/2016  
NOTES: (continued)  
6. Publication IPC-7351 may have alternate designs.  
7. Solder mask tolerances between and around signal pads can vary based on board fabrication site.  
www.ti.com  
EXAMPLE STENCIL DESIGN  
DW0016B  
SOIC - 2.65 mm max height  
SOIC  
SYMM  
SYMM  
16X (1.65)  
16X (2)  
1
1
16  
16  
16X (0.6)  
16X (0.6)  
SYMM  
SYMM  
14X (1.27)  
14X (1.27)  
8
9
8
9
R0.05 TYP  
R0.05 TYP  
(9.75)  
(9.3)  
HV / ISOLATION OPTION  
8.1 mm CLEARANCE/CREEPAGE  
IPC-7351 NOMINAL  
7.3 mm CLEARANCE/CREEPAGE  
SOLDER PASTE EXAMPLE  
BASED ON 0.125 mm THICK STENCIL  
SCALE:4X  
4221009/B 07/2016  
NOTES: (continued)  
8. Laser cutting apertures with trapezoidal walls and rounded corners may offer better paste release. IPC-7525 may have alternate  
design recommendations.  
9. Board assembly site may have different recommendations for stencil design.  
www.ti.com  
重要声明和免责声明  
TI 均以原样提供技术性及可靠性数据(包括数据表)、设计资源(包括参考设计)、应用或其他设计建议、网络工具、安全信息和其他资  
源,不保证其中不含任何瑕疵,且不做任何明示或暗示的担保,包括但不限于对适销性、适合某特定用途或不侵犯任何第三方知识产权的暗示  
担保。  
所述资源可供专业开发人员应用TI 产品进行设计使用。您将对以下行为独自承担全部责任:(1) 针对您的应用选择合适的TI 产品;(2) 设计、  
验证并测试您的应用;(3) 确保您的应用满足相应标准以及任何其他安全、安保或其他要求。所述资源如有变更,恕不另行通知。TI 对您使用  
所述资源的授权仅限于开发资源所涉及TI 产品的相关应用。除此之外不得复制或展示所述资源,也不提供其它TI或任何第三方的知识产权授权  
许可。如因使用所述资源而产生任何索赔、赔偿、成本、损失及债务等,TI对此概不负责,并且您须赔偿由此对TI 及其代表造成的损害。  
TI 所提供产品均受TI 的销售条款 (http://www.ti.com.cn/zh-cn/legal/termsofsale.html) 以及ti.com.cn上或随附TI产品提供的其他可适用条款的约  
束。TI提供所述资源并不扩展或以其他方式更改TI 针对TI 产品所发布的可适用的担保范围或担保免责声明。IMPORTANT NOTICE  
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UCC21732QDWRQ1

适用于 IGBT/SiC FET 且具有 2 级关断功能的汽车类 5.7kVrms ±10A 单通道隔离式栅极驱动器 | DW | 16 | -40 to 125

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-
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UCC21736-Q1

适用于 IGBT/SiC MOSFET 且具有主动短路的汽车类 5.7kVrms ±10A 单通道隔离式栅极驱动器

Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
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UCC21736QDWQ1

适用于 IGBT/SiC MOSFET 且具有主动短路的汽车类 5.7kVrms ±10A 单通道隔离式栅极驱动器 | DW | 16 | -40 to 125

Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
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UCC21736QDWRQ1

适用于 IGBT/SiC MOSFET 且具有主动短路的汽车类 5.7kVrms ±10A 单通道隔离式栅极驱动器 | DW | 16 | -40 to 125

Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
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UCC21737-Q1

适用于 SiC/IGBT、具有主动短路保护功能的汽车类 10A 隔离式单通道栅极驱动器

Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
TI

UCC21737QDWRQ1

适用于 SiC/IGBT、具有主动短路保护功能的汽车类 10A 隔离式单通道栅极驱动器 | DW | 16 | -40 to 125

Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
TI

UCC21739-Q1

适用于 IGBT/SiC MOSFET 且具有隔离式模拟检测的汽车类 3kVrms ±10A 单通道隔离式栅极驱动器

Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
TI

UCC21739QDWQ1

适用于 IGBT/SiC MOSFET 且具有隔离式模拟检测的汽车类 3kVrms ±10A 单通道隔离式栅极驱动器 | DW | 16 | -40 to 125

Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
TI

UCC21739QDWRQ1

适用于 IGBT/SiC MOSFET 且具有隔离式模拟检测的汽车类 3kVrms ±10A 单通道隔离式栅极驱动器 | DW | 16 | -40 to 125

Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
TI

UCC21750

适用于 IGBT/SiC FET 且具有 DESAT 和内部米勒钳位的 5.7kVrms ±10A 单通道隔离式栅极驱动器

Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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UCC21750-Q1

适用于 IGBT/SiC MOSFET 且具有 DESAT 和内部钳位的汽车类 5.7kVrms、±10A 单通道隔离式栅极驱动器

Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
TI

UCC21750DW

适用于 IGBT/SiC FET 且具有 DESAT 和内部米勒钳位的 5.7kVrms ±10A 单通道隔离式栅极驱动器 | DW | 16 | -40 to 125

Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
TI