IRF540NPBF
2025-10-22 10:22:41
摘要：IRF540NPBF 是英飞凌（Infineon，原国际整流器公司 International Rectifier）推出的一款 N 沟道功率 MOSFET（N-Channel Power MOSFET），以其低导通电阻、高电流承载能力和快速开关特性而著称。该器件广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC 转换器以及功率放大电路中。
描述
IRF540NPBF 属于 IRF540 系列的环保无铅版本（Pb-Free），采用先进的 MOSFET 工艺技术，具有低开关损耗和高效率特点。它能够在较高电压和电流条件下稳定工作，并具备优异的热性能和可靠性，适用于各种高频、高功率应用场合。
产品概述
| 产品型号 | IRF540NPBF |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 分类 | 分立半导体产品，晶体管，FET，MOSFET |
| 描述 | 通孔 N 通道 100 V 33A（Tc） 130W（Tc） TO-220AB |
| 包装类型 | 管件 |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 基本产品编号 | IRF540 |
产品图片
IRF540NPBF产品图片
规格参数
| 产品状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 33A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 44 毫欧 @ 16A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 71 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1960 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 130W（Tc） |
主要特点
N 沟道增强型功率 MOSFET
导通电阻低，开关速度快
支持高电流、高功率负载
优良的热稳定性与可靠性
具备无铅环保封装（Pb-Free）
典型应用
开关电源（SMPS）与 DC-DC 转换器
电机驱动与伺服控制
音频功率放大器
不间断电源（UPS）
工业与汽车电子系统
引脚图及功能
工作原理
IRF540NPBF 通过栅极电压控制源极与漏极之间的导通状态。当栅极施加正电压时，形成导电沟道，电流从漏极流向源极，实现导通；当栅极电压为低电平时，沟道关闭，电流被切断。其高速开关性能使其在功率变换与调速控制等场合表现出高效率和低能耗特性。
替代型号
IRFZ44N、IRL540N、STP55NF06、FQP30N06L、IRFZ34N