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SMZ100B

更新时间：2025-03-21 10:56:50
品牌：DIOTEC
描述：Zener Diodes

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免费 PCB/SMT

SMZ100B 概述

Zener Diodes

SMZ100B 数据手册

通过下载SMZ100B数据手册来全面了解它。这个PDF文档包含了所有必要的细节，如产品概述、功能特性、引脚定义、引脚排列图等信息。

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SMZ1 ... SMZ200 (2 W)  
SMZ1 ... SMZ200 (2 W)  
Surface Mount Silicon-Zener Diodes (non-planar technology)  
Flächendiffundierte Si-Zener-Dioden für die Oberflächenmontage  
Version 2011-10-17  
Maximum power dissipation  
Maximale Verlustleistung  
2 W  
1...200 V  
DO-213AB  
0.12 g  
Nominal Z-voltage  
Nominale Z-Spannung  
Plastic case MELF  
Kunststoffgehäuse MELF  
Weight approx. – Gewicht ca.  
Plastic material has UL classification 94V-0  
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert  
Standard packaging taped and reeled  
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle  
Dimensions - Maße [mm]  
Standard Zener voltage tolerance is graded to the international E 24 (~ ±5%) standard.  
Other voltage tolerances and higher Zener voltages on request.  
Die Toleranz der Zener-Spannung ist in der Standard-Ausführung gestuft nach der internationalen  
Reihe E 24 (~ ±5%). Andere Toleranzen oder höhere Arbeitsspannungen auf Anfrage.  
Maximum ratings and Characteristics  
Grenz- und Kennwerte  
SMZ-series  
Power dissipation  
Verlustleistung  
TA = 50°C  
TA = 25°C  
Ptot  
2 W 1)  
Non repetitive peak power dissipation, t < 10 ms  
Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 10 ms  
PZSM  
60 W  
Max. operating junction temperature – Max. Sperrschichttemperatur  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
Tj  
TS  
+150°C  
-50...+175°C  
Thermal resistance junction to ambient air  
RthA  
<45 K/W 1)  
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft  
Thermal resistance junction to terminal  
RthT  
<15 K/W  
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss  
Zener voltages see table on next page – Zener-Spannungen siehe Tabelle auf der nächsten Seite  
23  
1
Mounted on P.C. board with 50 mm2 copper pads at each terminal  
Montage auf Leiterplatte mit 50 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss  
Tested with pulses – Gemessen mit Impulsen  
2
3
The SMZ1 is a diode operated in forward mode. Hence, the index of all parameters should be “F” instead of “Z”.  
The cathode, indicated by a white band, has to be connected to the negative pole.  
Die SMZ1 ist eine in Durchlass betriebene Si-Diode. Daher ist bei allen Kenn- und Grenzwerten der Index  
"F” anstatt “Z” zu setzten. Die mit weißem Balken gekennzeichnete Kathode ist mit dem Minuspol zu verbinden.  
© Diotec Semiconductor AG  
http://www.diotec.com/  
1
 
 
 
SMZ1 ... SMZ200 (2 W)  
Maximum ratings  
Grenzwerte  
Type  
Typ  
Zener voltage 2)  
Test current  
Meßstrom  
Dynamic resistance  
Diff. Widerstand  
IZtest / f = 1 kHz  
Temp. Coeffiz.  
of Z-voltage  
…der Z-Spannung  
Reverse volt.  
Sperrspanng.  
IR = 1 μA  
Z-current 1)  
Z-Strom 1)  
TA = 50°C  
Zener-Spannung 2)  
IZ = IZtest  
Vzmin [V]  
0.71  
5.2  
Vzmax [V]  
0.82  
6.0  
IZtest [mA]  
100  
100  
100  
100  
100  
100  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
25  
25  
25  
25  
25  
25  
25  
25  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
5
rzj [Ω]  
0.5 (<1)  
1 (<3)  
αVZ [10-4 /°C]  
–26…–16  
–3…+5  
VR [V]  
–
IZmax [mA]  
1200  
333  
303  
278  
253  
230  
208  
189  
172  
157  
142  
128  
117  
105  
94  
SMZ13)  
SMZ5.6  
SMZ6.2  
SMZ6.8  
SMZ7.5  
SMZ8.2  
SMZ9.1  
SMZ10  
SMZ11  
SMZ12  
SMZ13  
SMZ15  
SMZ16  
SMZ18  
SMZ20  
SMZ22  
SMZ24  
SMZ27  
SMZ30  
SMZ33  
SMZ36  
SMZ39  
SMZ43  
SMZ47  
SMZ51  
SMZ56  
SMZ62  
SMZ68  
SMZ75  
SMZ82  
SMZ91  
SMZ100  
SMZ110  
SMZ120  
SMZ130  
SMZ150  
SMZ160  
SMZ180  
SMZ200  
> 0.5 / 3 µA  
> 1.5  
> 2  
5.8  
6.6  
1 (<2)  
–1…+6  
6.4  
7.2  
1 (<2)  
0…+7  
7.0  
7.9  
1 (<2)  
0…+7  
> 2  
7.7  
8.7  
1 (<2)  
+3…+8  
> 3.5  
> 3.5  
> 5  
8.5  
9.6  
2 (<4)  
+3…+8  
9.4  
10.6  
11.6  
12.7  
14.1  
15.6  
17.1  
19.1  
21.2  
23.3  
25.6  
28.9  
32  
2 (<4)  
+5…+9  
10.4  
11.4  
12.4  
13.8  
15.3  
16.8  
18.8  
20.8  
22.8  
25.1  
28  
4 (<7)  
+5…+10  
+5…+10  
+5…+10  
+5…+10  
+6…+11  
+6…+11  
+6…+11  
+6…+11  
+6…+11  
+6…+11  
+6…+11  
+6…+11  
+6…+11  
+6…+11  
+7…+12  
+7…+12  
+7…+12  
+7…+12  
+8…+13  
+8…+13  
+8…+13  
+8…+13  
+9…+13  
+9…+13  
+9…+13  
+9…+13  
+9…+13  
+9…+13  
+9…+13  
+9…+13  
+9…+13  
> 5  
4 (<7)  
> 7  
5 (<10)  
> 7  
5 (<10)  
> 10  
> 10  
> 10  
> 10  
> 12  
> 12  
> 14  
> 14  
> 17  
> 17  
> 20  
> 20  
> 24  
> 24  
> 28  
> 28  
> 34  
> 34  
> 41  
> 41  
> 50  
> 50  
> 60  
> 60  
> 75  
> 75  
> 90  
> 90  
6 (<15)  
6 (<15)  
6 (<15)  
6 (<15)  
86  
7 (<15)  
78  
7 (<15)  
69  
8 (<15)  
63  
31  
35  
8 (<15)  
57  
34  
38  
16 (<40)  
20 (<40)  
24 (<45)  
24 (<45)  
25 (<60)  
25 (<60)  
25 (<80)  
25 (<80)  
30 (<100)  
30 (<100)  
40 (<200)  
60 (<200)  
80 (<250)  
80 (<250)  
90 (<300)  
100 (<300)  
110 (<350)  
120 (<350)  
150 (<350)  
53  
37  
41  
49  
40  
46  
43  
44  
50  
40  
48  
54  
37  
52  
60  
33  
58  
66  
30  
64  
72  
28  
70  
79  
25  
77  
88  
23  
85  
96  
21  
94  
106  
116  
127  
141  
156  
171  
191  
212  
5
19  
104  
114  
124  
138  
153  
168  
188  
5
17  
5
16  
5
14  
5
13  
5
12  
5
10  
5
9
1
Notes see previous page – Fußnoten siehe vorhergehende Seite  
2
http://www.diotec.com/  
© Diotec Semiconductor AG  
 
SMZ1 ... SMZ200 (2 W)  
150  
120  
[%]  
Tj = 25°C  
1
IZmax  
5,6  
8,2  
6,8  
[mA]  
9,1  
6,2  
7,5  
100  
IZT  
100  
80  
50  
IZ  
60  
40  
IZ = 5 mA  
0
0
VZ  
2
3
4
5
6
7
8
10  
[V]  
20  
Ptot  
0
Typical breakdown characteristic – tested with pulses  
Typische Abbruchspannung – gemessen mit Impulsen  
0
TA  
100  
150  
50  
[°C]  
Power dissipation versus ambient temperature 1)  
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1)  
102  
[A]  
10  
Tj = 125°C  
10  
18  
24  
30  
36  
43  
51 56  
68  
75  
91  
100  
62  
82  
Tj = 25°C  
IZmax  
1
IZT  
Tj = 25°C  
10-1  
IF  
Typical breakdown characteristic – tested with pulses  
Typische Abbruchspannung – gemessen mit Impulsen  
30a-(1a-1.1v)  
10-2  
0.4  
1.0  
1.4  
VF 0.8  
1.2  
[V] 1.8  
Forward characteristics (typical values)  
Durchlasskennlinien (typische Werte)  
Tj = 25°C  
f = 1.0 MHz  
[pF]  
VR = 0V  
VR = 4V  
VR = 20V  
VR = 40V  
Cj  
[V]  
VZ  
Junction capacitance vs. zener voltage (typical)  
Sperrschichtkapazität in Abh. v.d. Zenerspg. (typ.)  
© Diotec Semiconductor AG  
http://www.diotec.com/  
3

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型号 制造商 描述 价格 文档
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