1N5802USE3

更新时间:2024-11-30 19:16:05
品牌:MICROSEMI
描述:Rectifier Diode, Avalanche, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS, A, MELF-2

1N5802USE3 概述

Rectifier Diode, Avalanche, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS, A, MELF-2 整流二极管

1N5802USE3 规格参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS, A, MELF-2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.2
其他特性:HIGH RELIABILITY外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.875 V
JESD-30 代码:O-LELF-R2JESD-609代码:e3
最大非重复峰值正向电流:35 A元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:1 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):260
最大重复峰值反向电压:50 V最大反向恢复时间:0.025 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:YES
技术:AVALANCHE端子面层:MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
处于峰值回流温度下的最长时间:30Base Number Matches:1

1N5802USE3 数据手册

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