| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 最大直流栅极触发电流： | 0.05 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 0.8 V | 最大维持电流： | 3 mA |
| 最大漏电流： | 0.1 mA | 通态非重复峰值电流： | 10 A |
| 最大通态电流： | 500 A | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 断态重复峰值电压： | 200 V |
| 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装： | YES |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 | 文档 |
| CR05AS4C | MITSUBISHI | Silicon Controlled Rectifier, 500mA I(T), 200V V(DRM) | 获取价格 |
|
| CR05AS8B | MITSUBISHI | Silicon Controlled Rectifier, 500mA I(T), 400V V(DRM) | 获取价格 |
|
| CR05BM-12A | RENESAS | 600V - 0.5A - Thyristor Low Power Use | 获取价格 |
|
| CR05BM-12A#B00 | RENESAS | 元器件封装:TO-92; | 获取价格 |
|
| CR05BM-12A#BD0 | RENESAS | 600V - 0.5A - Thyristor Low Power Use | 获取价格 |
|
| CR05BM-12A-A6#BD0 | RENESAS | 600V - 0.5A - Thyristor Low Power Use | 获取价格 |
|
| CR05BM-12A-A6B00 | RENESAS | 600V - 0.5A - Thyristor Low Power Use | 获取价格 |
|
| CR05BM-12A-DA6B00 | RENESAS | 600V - 0.5A - Thyristor Low Power Use | 获取价格 |
|
| CR05BM-12A-DB00 | RENESAS | 600V - 0.5A - Thyristor Low Power Use | 获取价格 |
|
| CR05BM-12A-DTBB00 | RENESAS | 600V - 0.5A - Thyristor Low Power Use | 获取价格 |
|
中国颠覆性晶体管技术登场，挑战传统半导体格局
详细解读：纳微电机驱动专用 GaNSense 氮化镓功率芯片的安全高效之道
苹果 3 年推 7 款新品，2027 年 AI 眼镜或成消费电子新宠
南芯科技全新方案助力，充电宝市场发展再添动力
概述
规格参数
数据手册
