IRF9540NPBF
2025-09-02 09:55:29
摘要：IRF9540NPBF 是国际整流器公司（International Rectifier，现隶属 Infineon 英飞凌）生产的一款 功率 P 沟道 MOSFET，广泛应用于电源管理、电机驱动及开关控制电路中。它具有低导通电阻、较高电流承载能力和快速开关特性，适合高效能的功率转换与控制。
描述
IRF9540NPBF 采用 P 沟道增强型 MOSFET 结构，设计用于中高电压应用。其漏极-源极电压可达 -100V，连续漏极电流可达 -19A，具有良好的热稳定性和低功耗特性。
该器件常见于 反向极性保护、电源开关、电机控制、DC/DC 转换器 等场景。
产品概述
| 产品型号 | IRF9540NPBF |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 分类 | 分立半导体产品，晶体管，FET，MOSFET |
| 描述 | 通孔 P 通道 100 V 23A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB |
| 包装类型 | 管件 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220AB |
| 基本产品编号 | IRF9540 |
产品图片
IRF9540NPBF产品图片
规格参数
| 产品状态 | 在售 |
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 23A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 117 毫欧 @ 11A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 97 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1300 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 140W（Tc） |
特点
沟道类型：P 沟道增强型 MOSFET
最大漏极-源极电压 (Vds)：-100V
最大连续漏极电流 (Id)：-19A
导通电阻 (Rds(on))：典型值约 0.117Ω（Vgs = -10V 时）
最大功耗 (Pd)：约 94W
栅极阈值电压 (Vgs(th))：-2V ~ -4V
开关速度：快速响应，适合高频应用
封装形式：TO-220AB
应用领域
电源管理与负载开关
电机驱动控制电路
DC/DC 转换器与稳压电路
电池保护电路
反接保护电路
消费电子与工业控制设备
引脚图及功能
工作原理
IRF9540NPBF 作为 P 沟道 MOSFET，当栅极电压低于源极电压时，器件导通；当栅极电压接近源极电压时，器件关断。它主要用作高边开关，能够有效隔离和控制电流通断，并具备低损耗和快速切换特性。
替代型号
IRF9540N
STP80PF55
FQP27P06
SUP75P06