NUP2105LT1G
2025-10-23 15:02:05
摘要：NUP2105LT1G 是安森美半导体（onsemi）推出的一款双向瞬态电压抑制二极管（TVS Diode）阵列器件，主要用于静电放电（ESD）保护和瞬态电压抑制。该器件能够为高速信号线提供低电容、快速响应的保护方案，广泛应用于通信接口、消费电子和汽车电子中。
描述
NUP2105LT1G 集成两个低电容 TVS 二极管，可在信号线受到静电放电或电压突波时快速钳位电压，保护后级电路不被损坏。该器件采用 SOT-23 封装，体积小巧、安装方便，适合高密度 PCB 设计。其优化的结结构在提供优异 ESD 抗扰性能的同时，保持了对高速信号完整性的支持。
产品概述
| 产品型号 | NUP2105LT1G |
| 制造商 | onsemi |
| 分类 | 电路保护，瞬态电压抑制器（TVS） |
| 描述 | 44V 夹子 8A（8/20µs） Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 SOT-23-3（TO-236） |
| 包装类型 | 卷带（TR） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-23-3（TO-236） |
| 基本产品编号 | NUP2105 |
产品图片
规格参数
| 产品状态 | 在售 |
| 类型 | 齐纳 |
| 双向通道 | 2 |
| 电压 - 反向断态（典型值） | 24V（最小） |
| 电压 - 击穿（最小值） | 26.2V |
| 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值） | 44V |
| 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 8A（8/20µs） |
| 功率 - 峰值脉冲 | 350W |
| 应用 | 通用 |
| 不同频率时电容 | 30pF @ 1MHz |
主要特点
双向 ESD 保护二极管阵列
快速响应时间，有效吸收瞬态电压冲击
低结电容设计，适用于高速信号接口
高可靠性与稳定性，适应严苛环境
小型 SOT-23 封装，便于表面贴装
典型应用
USB、HDMI、RS-232 等数据通信接口保护
移动设备与便携式电子产品
工业控制系统信号线保护
汽车电子与传感器接口防护
网络设备与嵌入式控制板
引脚图及功能
工作原理
NUP2105LT1G 内部包含两个对称配置的 TVS 二极管，当外部信号线路正常工作时，二极管处于高阻状态，对信号传输几乎无影响。当检测到高于阈值的瞬态电压（如 ESD 冲击）时，二极管会迅速导通，将过电压能量引向地端，从而钳位信号线电压，防止芯片输入端口或其他精密元件被击穿损坏。
替代型号
ESD9M5V、SMF05C、PESD5V、TPD2E001、CM1213A