2SK3019
2025-10-30 15:29:11
摘要：2SK3019 是一款 N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由 东芝（Toshiba） 生产。该器件专为 高速开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、马达驱动及电源负载控制 等应用设计，具有低导通电阻、快速开关速度和优异的耐压性能。
什么是2SK3019？
2SK3019 在电源管理、电机控制及工业控制系统中应用广泛。凭借其高速、低损耗特性，可显著提升电源转换效率和系统稳定性，是中功率MOSFET设计中的经典型号之一。
2SK3019产品图片
2SK3019中文参数
| 产品型号 | 2SK3019 |
| 制造商 | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. |
| 分类 | 分立半导体产品，晶体管，FET，MOSFET |
| 描述 | 表面贴装型 N 通道 30 V 100mA（Ta） 150mW（Ta） SOT-523 |
| 包装类型 | 卷带（TR），剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100mA |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 8 欧姆 @ 10mA，4V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 100µA |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 13 pF @ 5 V |
| 功率耗散（最大值） | 150mW（Ta） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-523 |
2SK3019主要特点
N沟道增强型功率MOSFET
高速开关响应，适合高频应用
低导通电阻，提升效率、降低发热
高电流承载能力与高可靠性
良好的热稳定性与耐压特性
2SK3019典型应用
开关电源（SMPS）主开关管
DC-DC 转换器与电压调节模块
电机驱动与功率控制
继电器替代与负载开关
电池管理与电源分配电路
2SK3019引脚图及功能
2SK3019工作原理
2SK3019 属于 N沟道增强型MOSFET，当栅极施加高于源极的正电压时，沟道导通，电流从漏极流向源极；当栅极电压低于阈值时，沟道关闭，从而起到电子开关的作用。凭借其低导通电阻和快速开关性能，可有效降低开关损耗并提升整体系统效率。
2SK3019用什么型号替代？
2SK3067（同系列性能提升版）
IRFZ44N（耐压电流相近）
FQP30N06L（低压高效替代型号）
STP55NF06（ST公司替代型号）