IRF4905PBF
2025-10-30 15:21:06
摘要：IRF4905PBF 是一款 P沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应管），由 英飞凌（Infineon，原IR International Rectifier） 推出。该器件具备低导通电阻、高电流承载能力和优异的开关特性，专为高效电源管理和电机控制场景设计，常用于负载开关、电源反接保护和DC-DC转换等应用。
描述
IRF4905PBF 以其低导通电阻和高可靠性广受工程师青睐，尤其适合 12V/24V 电池系统、电动车控制板、UPS、汽车电子电源分配 等场景。其“PBF”后缀表示“无铅环保（Pb-Free）”版本，符合 RoHS 环保标准。
产品概述
| 产品型号 | IRF4905PBF |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 分类 | 分立半导体产品，晶体管，FET，MOSFET |
| 描述 | 通孔 P 通道 55 V 74A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB |
| 包装类型 | 管件 |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 基本产品编号 | IRF540 |
产品图片
IRF4905PBF产品图片
规格参数
| 产品状态 | 在售 |
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 55 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 74A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 20 毫欧 @ 38A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 180 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3400 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 200W（Tc） |
主要特点
P沟道增强型功率MOSFET
极低导通电阻，有效降低功耗
高电流驱动能力，适合大功率场合
开关速度快，效率高
可靠的热性能与耐压能力
典型应用
电池保护电路（反向极性保护）
DC-DC 转换器低侧或高侧开关
电机控制与功率驱动模块
负载开关与电源分配系统
汽车电子与工业电源管理
引脚图及功能
工作原理
IRF4905PBF 采用 P沟道结构，当栅极电压低于源极电压时，MOSFET 导通，使电流从源极流向漏极；当栅极电压接近或高于源极电压时，器件关断。此特性使其非常适用于高端（high-side）电源控制和反接保护电路，可在系统供电输入端实现自动断开反接电流。
替代型号
FQP27P06（Fairchild同类产品）
IRF9540N（耐压相近）
AOD4184A（性能接近，封装不同）
IPP80P03P4L-04（Infineon低压高效替代）