2SK3018
2025-09-12 10:04:10
摘要：2SK3018 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应管），主要用于小信号开关和驱动电路。它具有 低导通电阻、快速开关速度、低栅极电压驱动 等特性，适合高频、小电流应用，广泛用于便携式电子设备、通信电路和电源管理。
什么是2SK3018？
2SK3018 采用 SOT-23 或 SOT-416 小型封装，属于低功耗、小体积器件。其逻辑电平驱动特性使其能直接与单片机、逻辑 IC 接口配合使用。器件性能稳定、可靠性高，常用于消费电子与工业电子产品。
2SK3018产品图片
2SK3018中文参数
| 产品型号 | 2SK3018 |
| 制造商 | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. |
| 分类 | 分立半导体产品，晶体管，FET，MOSFET |
| 描述 | 表面贴装型 N 通道 30 V 100mA 200mW SOT-23 |
| 包装类型 | 卷带（TR），剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100mA |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7.5 欧姆 @ 400mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 100µA |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 50 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 200mW |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-23 |
2SK3018主要特点
N 沟道增强型 MOSFET
小型封装（SOT 系列），适合高密度 PCB
低导通电阻，减少功耗
开关速度快，适合高频电路
逻辑电平驱动，可直接由 MCU 或逻辑电路控制
可靠性高，适用于长期工作环境
2SK3018典型应用
单片机 I/O 口驱动电路
小功率开关电源
电平转换电路
电池供电设备
便携式电子产品
高频信号开关与放大
2SK3018引脚图及功能
2SK3018工作原理
当栅极电压低于阈值时，MOSFET 处于关断状态，漏源之间无电流流动；
当栅极电压高于阈值时，器件导通，电流由漏极流向源极；
通过控制栅极电压即可实现电路的开关或信号调制。
2SK3018用什么型号替代？
2N7002（常见小信号 N 沟道 MOSFET）
BSS123（逻辑电平 MOSFET，广泛替代型号）
AO3400（性能更优，导通电阻更低）
Si2302（SOT-23 小封装 MOSFET，常见可替代型号）