AO4459
摘要：AO4459 是 Alpha & Omega Semiconductor (AOS) 生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，最大漏源电压 30V，连续漏极电流约 8A。它具有 低导通电阻、快速开关速度和良好的功率处理能力，广泛用于电源管理、负载开关和 DC-DC 转换器。
描述
AO4459 采用 SO-8 封装，专为高效率电源转换和负载开关而优化。由于其 低 Rds(on) 和 逻辑电平驱动能力，可直接由单片机或逻辑电路控制，适合便携式设备和电池供电系统。
产品概述
| 产品型号 | AO4459 |
| 制造商 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| 分类 | 分立半导体产品，晶体管，FET，MOSFET |
| 描述 | 表面贴装型 P 通道 30 V 6.5A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC |
| 包装类型 | 卷带（TR） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
产品图片
AO4459产品图片
规格参数
| 产品状态 | 在售 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.5A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 46 毫欧 @ 6.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 16 nC @ 10 V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 830 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 3.1W（Ta） |
主要特点
极低导通电阻 Rds(on)（典型值 < 20mΩ）
低栅极驱动电压，逻辑电平即可驱动
最大漏源电压 (Vds)：30V
连续漏极电流 (Id)：约 8A
低栅电荷，支持快速开关
功率效率高，适合高频 DC-DC 转换
封装形式：SO-8（SMD），便于小型化设计
典型应用
DC-DC 转换器（降压/升压电路）
笔记本电脑电源管理
电池保护电路
负载开关（开关电源输出控制）
便携式设备功率管理
同步整流器
引脚图及功能
工作原理
AO4459 属于 N 沟道增强型 MOSFET：
当栅极电压高于阈值电压（Vgs(th)）时，MOSFET 导通；
源极与漏极之间形成低阻通道，电流流通；
当栅极电压低于阈值时，MOSFET 截止，实现开关功能；
由于其低导通电阻和小栅电荷，能在高频下保持高效率。
替代型号
AO4407 / AO4409（AOS 同系列低压 MOSFET）
IRLML6344（International Rectifier，逻辑电平 MOSFET）
SI4435 / SI4410（Vishay，同类 30V MOSFET）
FDMC8030（Fairchild，低 Rds(on) MOSFET）
TPS61030 内部 MOS 管应用可对标