AO4435
2025-09-15 10:35:58
摘要：AO4435 是由UMW推出的一款 P沟道增强型功率 MOSFET，具有 低导通电阻（Rds(on)）、快速开关速度 和 高电流承载能力，广泛应用于电源管理、负载开关、DC-DC 转换器和电池保护电路。
描述
AO4435 采用 SO-8 表面贴装封装，适合高密度电路板设计。作为 P 沟道 MOSFET，它在低压应用中非常适合做高端开关（high-side switch），能够直接用逻辑电平控制，简化电路设计。
产品概述
| 产品型号 | AO4435 |
| 制造商 | UMW |
| 分类 | 分立半导体产品，晶体管，FET，MOSFET |
| 描述 | 表面贴装型 P 通道 30 V 12A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOP |
| 包装类型 | 卷带（TR） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-SOP |
产品图片
AO4435产品图片
规格参数
| 产品状态 | 在售 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 20 毫欧 @ 7A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 29 nC @ 4.5 V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1690 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta） |
主要特点
P 沟道增强型 MOSFET
低导通电阻（降低功耗、减少发热）
逻辑电平驱动，便于单片机/低压控制电路驱动
高电流承载能力，适合负载开关
快速开关速度，适合高频应用
SO-8 封装，体积小、散热性能较好
典型应用
DC-DC 转换器（高端开关管）
电池管理系统（BMS）
电源负载开关
便携式电子产品电源控制
电机驱动与保护电路
LED 驱动电源
引脚图及功能
工作原理
栅极电压 < 源极电压（负电压时），MOSFET 打开，电流从源极流向漏极；
栅极电压 ≈ 源极电压时，MOSFET 关断；
因为是 P 沟道，适用于高端开关（位于电源正极侧），在电池供电设备和电源管理系统中常见。
替代型号
AO4407（同系列 P 沟道 MOSFET，电流能力更强）
IRF7314（双路 MOSFET，可替代部分应用）
SI4435（Vishay 出品，封装及参数相近）
FDS4435（Fairchild 出品，性能接近）
AO4409 / AO4427（AOS 同系列产品，适用于类似场景）