2N7002DW
2025-11-07 15:06:10
摘要：2N7002DW 是一款 双 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），在一个小型封装中集成了两只独立的 2N7002 晶体管。它以 低导通电阻、快速开关速度 和 低功耗 著称，广泛应用于逻辑电平转换、电源管理、小信号开关、负载驱动及嵌入式系统接口等领域。
什么是2N7002DW？
2N7002DW 具有优异的开关特性和高可靠性，能够在有限空间内实现双路独立控制，特别适用于便携式设备、通信模块及嵌入式系统中对信号与电源进行高效切换的场合。
2N7002DW产品图片
2N7002DW中文参数
| 产品型号 | 2N7002DW |
| 制造商 | onsemi |
| 分类 | 分立半导体产品，晶体管，FET，MOSFET |
| 描述 | MOSFET - 阵列 60V 115mA 200mW 表面贴装型 SC-88（SC-70-6） |
| 包装类型 | 卷带（TR），剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | 2 N-通道（双） |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 115mA |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7.5 欧姆 @ 50mA，5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 50pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 200mW |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
2N7002DW主要特点
双 N 沟道结构，电路设计更紧凑
高输入阻抗、低驱动功率
低导通电阻、低损耗
高速开关响应，适合 PWM 或逻辑电路
封装小巧，适用于高密度表面贴装
2N7002DW典型应用
电平转换器（3.3V ↔ 5V）
低功耗信号开关
微控制器 I/O 扩展与驱动
小负载控制（如 LED、传感器、继电器）
电源控制与数字接口电路
2N7002DW引脚图及功能
2N7002DW用什么型号替代？
2N7002DW,115：原厂版本
2N7002DWTT1G：工业级封装
DMMT7002DW：功能兼容替代
SI2302DS ：单管替代型号
2N7002DW：商业级版本