AO4409
2025-10-15 15:10:33
摘要：AO4409 是一款由 Alpha & Omega Semiconductor（AOS） 生产的 P 沟道增强型 MOSFET，专为电源管理和负载切换应用设计。它以低导通电阻、高电流能力和快速开关性能著称，广泛应用于笔记本电脑、电池保护电路、DC-DC 转换器和功率控制模块中。
描述
AO4409 采用 SO-8 封装，结构紧凑、导热性能优良。器件在低栅极驱动电压下即可实现高效率开关控制，非常适合低压电源管理系统。其内部集成的 P 沟道结构可实现高端（高侧）开关功能，简化外围驱动电路设计。凭借高可靠性与环保特性，该器件是现代便携设备和电源控制电路中的常用功率 MOSFET。
产品概述
| 产品型号 | AO4409 |
| 制造商 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| 分类 | 分立半导体产品，晶体管，FET，MOSFET |
| 描述 | 表面贴装型 P 通道 30 V 15A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC |
| 包装类型 | 卷带（TR） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
产品图片
AO4409产品图片
规格参数
| 产品状态 | 停产 |
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 15A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7.5 毫欧 @ 15A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.7V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 120 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 6400 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 3.1W（Ta） |
主要特点
P 沟道增强型 MOSFET，适合高端负载开关
导通阻抗低，减少功率损耗
开关速度快，响应性能优异
低栅极驱动电压即可正常工作
SO-8 封装，适合高密度电路设计
热稳定性好，可靠性高
符合 RoHS 无铅环保标准
典型应用
DC-DC 转换器高侧开关
电池保护与电源切换电路
笔记本电脑与移动设备电源管理
电机控制与负载驱动
消费电子设备功率开关
引脚图及功能
替代型号
AO4407A（参数相近的同系列替代）
SI4435DY（功能兼容型号）
FDS4435（同类 P 沟道 MOSFET 替代）
IRLML6402（低压应用替代）
AO4413（封装兼容的升级型号）