IRFP260NPBF
2025-10-15 15:00:25
摘要：IRFP260NPBF 是一款高功率 N 沟道增强型 MOSFET，由 Infineon Technologies（原 International Rectifier） 生产。该器件专为高效率功率转换、电源管理及电机控制等应用设计，具有低导通电阻、高电流承载能力和优异的开关特性，广泛用于逆变器、开关电源（SMPS）、UPS、不间断电源和焊接机等设备中。
描述
IRFP260NPBF 采用 TO-247 封装，具备出色的散热性能和机械强度，适合安装于散热片上以应对高功率运行环境。该器件内建快恢复体二极管，能够在高频开关下有效降低损耗。其低栅极电荷与快速开关特性，使其成为高效率能量转换系统的理想选择，同时符合无铅环保标准（Pb-Free）。
产品概述
| 产品型号 | IRFP260NPBF |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 分类 | 分立半导体产品，晶体管，MOSFET |
| 描述 | 通孔 N 通道 200 V 50A（Tc） 300W（Tc） TO-247AC |
| 包装类型 | 管件 |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247AC |
| 基本产品编号 | IRFP260 |
产品图片
IRFP260NPBF产品图片
规格参数
| 产品状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 50A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 40 毫欧 @ 28A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 234 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4057 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 300W（Tc） |
环境与出口分类
| 属性 | 描述 |
| RoHS 状态 | 符合 ROHS3 规范 |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） |
| REACH 状态 | 不受 REACH影响 |
主要特点
高功率 N 沟道 MOSFET，适合大电流应用
导通损耗低，效率高
开关速度快，适用于高频电源
具备良好的热性能和可靠性
内置快恢复二极管，抑制反向电流冲击
TO-247 封装，便于散热与安装
符合 RoHS 环保标准
典型应用
高频开关电源（SMPS）
DC-AC 逆变器与功率转换器
电焊机、电机驱动电路
不间断电源（UPS）
太阳能逆变系统
工业电源与稳压设备
引脚图及功能
IRFP260NPBF引脚图及功能
替代型号
IRFP260N（早期版本）
IRFP250N（电流稍低的兼容型号）
IRFP264N（更高功率替代型号）
STP75NF75（功能相近替代器件）
IXFH26N50Q（同类高压替代型号）