IRFP450

2025-07-01 14:54:57

摘要:IRFP450 是一款 N沟道功率MOSFET,专为 高压、大电流开关应用 设计,广泛应用于 开关电源、逆变器、电机驱动 等高功率场景。

 

描述


IRFP450 是一款高电压、大电流 N 沟道增强型功率 MOSFET,由 International Rectifier(现为英飞凌 Infineon)开发。其典型耐压为 500V,漏极电流高达 14A,广泛应用于高压开关电源、逆变器、电机驱动、电子镇流器等领域。

IRFP450 采用 TO-247 封装,适用于高功率密度和大散热需求的工业场合,是经典的高压功率开关管之一。


产品概述


产品型号IRFP450
制造商Vishay Siliconix
分类分立半导体产品,晶体管,MOSFET
描述通孔 N 通道 500 V 14A(Tc) 190W(Tc) TO-247AC
包装类型管件
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型通孔
封装/外壳TO-247
基本产品编号IRFP450

产品图片


IRFP450产品图片

IRFP450

规格参数


产品状态在售
FET 类型N 通道
漏源电压(Vdss)500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)14A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)400 毫欧 @ 8.4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)50 nC @ 10 V
Vgs(最大值)±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2600 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)190W(Tc)

环境与出口分类


属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)
REACH 状态不受 REACH影响

特点


  • 高击穿电压(500V),适用于高压应用

  • 中等导通电阻,适合控制电流的场合

  • 高输入阻抗,便于驱动

  • 高功耗能力(190W)

  • 稳定性强,适合连续工作

  • TO-247 封装,易于安装和散热

应用领域


  • 开关电源(SMPS)

  • 高频逆变器(如太阳能逆变器)

  • 电机控制与软启动电路

  • 高频焊接设备、电磁炉驱动

  • 电感升压、Buck/Boost 电源模块

  • UPS 电源系统

  • HID 灯电子镇流器

引脚图及功能


IRFP450引脚图

G:Gate(栅极)

D:Drain(漏极)

S:Source(源极)

封装与散热建议


封装类型:TO-247

引脚数:3

说明:高功率封装,适合带螺丝散热片安装

散热建议:使用铝质散热片并加装硅脂,保证结温不超过 125°C。

替代型号


型号比较说明
IRFP460电压更高(500V→600V),适合冗余设计 
STW20NM50ST 公司型号,导通电阻更低
IXFH26N50Q更高电流(26A)更低导通电阻
IRFP450PBF环保无铅版本 


环保与合规


  • RoHS 符合

  • REACH 符合

  • 提供无铅(Pb-Free)环保封装版本

  • 符合工业标准认证(视厂家而定)


产品制造商介绍


Vishay Siliconix 是全球知名半导体制造商 Vishay Intertechnology, Inc.(威世科技)的全资子公司,专注于设计与生产高性能的功率MOSFET、模拟开关、线性IC 和电源管理芯片。Siliconix 以其高品质、可靠性和广泛的产品线而在全球电子行业中享有盛誉,尤其在汽车、工业、电信、便携设备、电源管理等应用领域表现卓越。