NUP4201MR6T1G
摘要：NUP4201MR6T1G 是 onsemi（安森美半导体）推出的一款 ESD 保护器件（双向/多线路瞬态电压抑制阵列 TVS Diode Array），主要用于保护高速数据接口、通信总线和敏感 IC 免受静电放电（ESD）、浪涌（Surge）及电快速脉冲群（EFT）等瞬态过电压干扰。器件提供 4 路 ESD 保护通道，适用于 USB、HDMI、VGA、GPIO 等多路信号线。
描述
NUP4201MR6T1G 内部集成多个低电容 TVS 二极管阵列，可为多条数据线提供高速、低漏电流的静电抑制能力。其 极低结电容（典型 3pF） 使其特别适合高速数据接口，不会导致眼图变形或信号带宽受限。
该器件满足 IEC61000-4-2 Level 4（±30kV 接触放电/空气放电）的严格 ESD 防护标准，可显著提高电子产品的可靠性。封装采用 SOT-23-6（6-pin） 小型封装，适合紧凑型 PCB 布局。
产品概述
| 产品型号 | NUP4201MR6T1G |
| 制造商 | onsemi |
| 分类 | 电路保护，瞬态电压抑制器（TVS） |
| 描述 | 16.6V 夹子 1A（8/20µs） Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 6-TSOP |
| 包装类型 | 卷带（TR） |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 基本产品编号 | NUP4201 |
产品图片
规格参数
| 产品状态 | 停产 |
| 类型 | 转向装置（轨至轨） |
| 单向通道 | 4 |
| 电压 - 反向断态（典型值） | 5V（最大） |
| 电压 - 击穿（最小值） | 6V |
| 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值） | 16.6V |
| 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 1A（8/20µs） |
| 功率 - 峰值脉冲 | 500W |
| 应用 | 通用 |
| 不同频率时电容 | 3pF @ 1MHz |
主要特点
4 路数据线 ESD 保护（Quad-line TVS array）
超低结电容（典型 ~3pF），适配高速串行接口
高 ESD 抵抗能力：符合 IEC61000-4-2 ±30kV
瞬态响应速度极快
低泄漏电流（纳安级）
钳位电压低，保护更敏感的 IC
工作电压范围宽，兼容 3.3V / 5V 信号
SOT-23-6 紧凑封装
适用于移动设备、通信设备、电脑与消费电子产品
典型应用
USB 2.0 / USB 3.x 接口
HDMI、DVI 多媒体接口
VGA、LVDS、DisplayPort 信号保护
GPIO、按键输入端口 ESD 保护
高速数据通信线路
基站、路由器、交换机接口
MCU、DSP I/O 端口保护
工业控制系统的过压防护
引脚图及功能
工作原理
NUP4201MR6T1G 通过内部的 TVS 二极管阵列，在检测到瞬态高压时迅速导通，将浪涌电流快速旁路至地，从而保护被保护线路的电压保持在安全水平。
工作过程如下：
正常状态：
TVS 二极管呈现高阻抗，漏电流极低，不影响信号完整性。
过压/ESD 事件发生：
当瞬态电压超过击穿阈值时内部 TVS 二极管迅速导通。
钳位作用：
将过电流快速泄放至地，使信号线电压限制在安全范围，保护 IC。
恢复高阻抗：
过压结束后器件恢复至高阻抗状态，不影响线路后续工作。
TVS 阵列的响应速度可达皮秒级，因此能有效对抗高能量瞬态干扰。
替代型号
以下器件具有类似的多路 TVS/ESD 保护功能，可作为替代方案参考：
NUP4202MR6T1G（onsemi，性能相近）
ESD9M5 系列（onsemi）
TPD4E1B06（TI，超低电容）
ESD7004（STMicroelectronics）
SMF05C（Littelfuse，5 通道）
ESDA6V1-5SC6（ST，SOT-23-6）
SP0504BAHTG（Littelfuse，多路 ESD 保护）
实际替代需根据应用场景、封装、工作电压、端口数量进行确认。